沒人教教我啊!我在等啊???

好多參數(shù)都沒說啊?
是在什麼情況下測到的?
如果是低電壓輸出,75%的效率也不是很低

輸出24V   0.85A   我很想知道怎麼調(diào)整占空比?你能告訴我嗎?  因?yàn)槲议_關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間可以長了一點(diǎn),導(dǎo)致開關(guān)管過熱燒燬.......你能告訴我嗎?

輸出電壓24V這個(gè)效率是低了
變壓器可能要優(yōu)化
能貼圖上來嗎?讓大伙幫幫你

佔(zhàn)空比是由變壓器的初級(jí)與次級(jí)圈數(shù)比來決定的.Np/Ns=(Vin_min/Vs)*Dmax/(1-Dmax) where Vin_min=90Vac*1.414-10V(filter & rectifiers volt-drop); Vs=Vout+Vd(output rectifier forward voltage)

=> Dmax=(Vs/Ns)/(Vin_min/Np+Vs/Ns)

即是如果想增大佔(zhàn)空比, 則減少次級(jí)圈數(shù).

我建議 C6 維持 2.2nF, 但必須用 NPO 類陶瓷電容, 把 R4 改用 7.5k 即可.還建議你把所有 UC3842 有關(guān)的陶瓷電容改用 50V.

我相信開關(guān)管過熱的原因是 C9 的數(shù)值太大, 建議改用 120pF/1kV 或 56pF/1kV.如果擔(dān)心 EMI, 可把 R7 改用 22R 或大一點(diǎn), 把 D2 刪除.

想提高效率, 我建議你用我正在使用的方案:

把 D1 及 D3 改用 1N4937;
把 R12 改用 10R 或 22R;
把 C12 改用 47uF/35V 電容;
把 R2 的接法及數(shù)值稍為改動(dòng): 一邊接 UC3842 的 Vcc 腳不變, 另一邊接去交流電, 即是橋式整流的第 1腳 或 3腳, 數(shù)值改為 82k/1W.

另: R9 可改用 1W 或 1/2W (通常炸機(jī)的都是這個(gè)電阻燒毀, 但並不是因?yàn)檫@個(gè)電阻太熱而導(dǎo)致炸機(jī))
    C3 取 22uF 可能小了一點(diǎn), 除非 Vin=230Vac.33uF 好一點(diǎn), 44uF 就最好 (對於 20W 輸出而言).

這位大哥的建議很好啊!非常的感謝啊!我要好好的投你幾票......
下面是我改動(dòng)以后的電路圖,還想請您幫忙指正一下........1125282584.ddb

coldy大哥:我做了那些改動(dòng),但我的MOS管還是很燙啊!大慨在5分鍾左右就會(huì)燒燬.

佔(zhàn)空比是由變壓器的初級(jí)與次級(jí)圈數(shù)比來決定的.Np/Ns=(Vin_min/Vs)*Dmax/(1-Dmax) where Vin_min=90Vac*1.414-10V(filter & rectifiers volt-drop); Vs=Vout+Vd(output rectifier forward voltage)

=> Dmax=(Vs/Ns)/(Vin_min/Np+Vs/Ns)

即是如果想增大佔(zhàn)空比, 則減少次級(jí)圈數(shù)


我要求輸出的24V  0.85A   20W......
如果我改變了次級(jí)圈數(shù),那我的次級(jí)電壓不也就變了嗎???????

對不起, 我沒有安裝 Orcad, 可不可以把它轉(zhuǎn)成 pdf?

如果 Q1 還是熱, 可以把 C9 換成 33pF/1kV 串聯(lián) 220R/1W. 如果還是熱, 可能要加大散熱器或改用低阻值的開關(guān)管了, 亦都可以把頻率降低.

如果減少次級(jí)圈數(shù), 輸出電壓是不變的, 亦正是 UC3842 已作出調(diào)節(jié)佔(zhàn)空比來維持電壓不變.

在你未有改動(dòng)變壓器之前, 我建議你用以下方法去找出你想要的佔(zhàn)空比:

首先預(yù)備 2 只 100k (或 500k) 的半可變電阻(或可變電阻), 把它們調(diào)去最高值,

然後把它們分別並聯(lián)在 R15 及 R16,

慢慢把 R16 的半可變電阻調(diào)低, 此時(shí)輸出會(huì)慢慢升高, 佔(zhàn)空比慢慢變大, 直到你想要的佔(zhàn)空比時(shí), 量度輸出電壓,

則: (V_measured+0.7)/Ns=(24+0.7)/Ns_new

coldy大哥:非常謝謝你的建議!我現(xiàn)在就試試看..........上面是PDF檔的電路圖

別忘記供電給 UC3842 的繞組也要改.同時(shí)佔(zhàn)空比不要取得太盡, 因?yàn)榍蟪?Ns_new 後, 不是整數(shù), 如 6.91 或 7.32, 多數(shù)會(huì)取其接近的整數(shù) 7.

這些小小的誤差, 很容易使佔(zhàn)空比超過 0.5 而不穩(wěn)定 (尤其是你的儲(chǔ)電空那麼小).

C9 用 330pF 真是大了一點(diǎn), 建議先改 33pF 看看 Q1 是否還是很熱.

D1 的速度真是不夠快, 須用 1N4937 才行.

D3 的電壓不夠, 只得 75V, 可用公式 PRV=Vout+375*Nvcc/Np (375=264Vac*1.414).

好的,謝謝您的指教!我這就改,改了再告訴您!

老大:in4937反向電壓才600V啊!行嗎?

可以的, 我估計(jì) D3 的最高反向電壓為 90V 左右.

DUTY CYCLE小一點(diǎn)對動(dòng)態(tài)要好一點(diǎn)

你的場管驅(qū)動(dòng)有一個(gè)到地電阻沒有加.很容易出現(xiàn)自激.從而導(dǎo)致你的效率那么底.

情感禁區(qū):你是說那個(gè)G極電阻啊!我看了好多的資料,好多都沒有加,即使加了也是10K左右,我覺得沒有多在用處啊!你有什麼好的見解嗎?????

D1 的速度真是不夠快, 須用 1N4937 才行.
D3倒是沒事,但你給我說的是D1啊!D1大慨有650V左右..........

那個(gè)電阻就是10K.一定要加.還有你現(xiàn)在的占空比有多大,我一般像你這么大的功率是在33K頻率

還是加了可靠點(diǎn), 因?yàn)?UC3842 在失控時(shí), 沒有把 MOSFET 的閘極電苛抽走, 做成長期導(dǎo)通而炸機(jī).
加了這個(gè)電阻, 就可以把閘極的電苛引流到地.

你看見很多沒有加這個(gè)電阻是因?yàn)樵?PWM IC 內(nèi)部已加了這個(gè)等效電阻如 SG6841.

非常謝謝你的建議,我現(xiàn)在也不知我的占空比是多少啊!好像我怎麼調(diào)3.4腳的RT/CT都無法改變啊!誰能教教我到時(shí)底怎麼具體的改變3842的占空比啊..................

改變初次級(jí)的扎比就可以改變了.一般最大是在40%是最好

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coldy老師您好,在論壇上看到您關(guān)于3842占空比設(shè)置的講解,還是有點(diǎn)不清楚.我的理解是,在設(shè)計(jì)變壓器時(shí)假定占空比為一特定值,后按此計(jì)算相關(guān)值,占空比與產(chǎn)生頻率的Rt、Ct有關(guān),根據(jù)占空比和所需頻率計(jì)算振蕩電阻電容,是這樣嗎?但問題是占空比與Rt、Ct的具體關(guān)系如何?請幫忙!謝謝!

講的很仔細(xì)啊,受教了.
頂,,,,,,,,

UC3843剛認(rèn)識(shí)，很想知道占空比怎么卻定的！！謝謝！由Rt， Ct卻定的嗎？