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MOS 管

將IRF3710S和IRF4227PbF兩顆MOS管分別放在同一電源單板上做緩啟動使用時發(fā)現(xiàn)兩顆管子的參數(shù)基本相同,根據(jù)參數(shù)來看4227比3710應(yīng)該更加優(yōu)良,但耐沖擊特性有較大差別.通過實驗可發(fā)現(xiàn)IRF4227PbF的耐沖擊性相比IRF3710S要差些.
當(dāng)所帶負(fù)載增加到4A時,所測波形如圖6、圖7.由波形對比可知,MOS管IRF3710S的瞬間最大功率為488W,由波形圖可以看出MOS管并未擊穿損壞,此時量得MOS管DS端阻抗并未有明顯變化.而圖7中IRF4227PbF瞬時功率最大值為476.2W,由波形圖可看出,此時GS端電壓迅速降為0V,萬用表測量DS端,發(fā)現(xiàn)此時MOS管已被擊穿損壞.

圖6 IRF3710S 4A load

圖7 IRF4227PbF 4A Load


DATASHHT如下:
1463391244548701.pdf 1463391244548768.pdf
哪位大俠可以告知一下,導(dǎo)致這兩個管子耐沖擊性不同的原因是什么?非常感謝啦
全部回復(fù)(6)
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sheshouw
LV.2
2
2009-06-20 16:05
這是一個MOSFET耐瞬時功率沖擊的問題,MOSFET出廠前都是要經(jīng)過一個功率沖擊測試的,一般是在擊穿狀態(tài)下通電流,瞬間功率很大,如果MOS管的內(nèi)部有些缺陷之類的就容易發(fā)生擊穿現(xiàn)象,與你的實驗有相同的效果.這主要與MOS管的設(shè)計、生產(chǎn)工藝線水平有直接關(guān)系.
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sheshouw
LV.2
3
2009-06-20 16:10
一個產(chǎn)品的設(shè)計可以決定MOSFET的最大承受功率值,但生產(chǎn)線工藝對其影響非常大,個體與個體之間也會存在很大差異.
也會存在6A的樣管比8A的樣管承受的沖擊功率大的現(xiàn)象.
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sheshouw
LV.2
4
2009-06-20 16:11
再有什么情況我們可以多交流一下,敢問兄臺3710用在哪里?
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laoluo123
LV.3
5
2009-06-30 10:24
@sheshouw
再有什么情況我們可以多交流一下,敢問兄臺3710用在哪里?
**此帖已被管理員刪除**
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2009-07-22 18:42
@laoluo123
**此帖已被管理員刪除**
最煩廣告的,要的話肯定會主動找的嘛
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2009-07-22 18:46
@sheshouw
再有什么情況我們可以多交流一下,敢問兄臺3710用在哪里?
這個管子是用在緩啟動電路中,做緩起開關(guān)管使用的.MOS管在單脈沖條件下必須嚴(yán)格的按照SOA曲線來看,所有的管子無論它自身的工藝如何,他在自己設(shè)立的測試條件下都會得到不同的SOA曲線,仔細(xì)分析上述兩個管子可以看到他們的SOA曲線是不一樣的,也就決定了在單脈沖時不能按照穩(wěn)態(tài)條件的電壓、功率來選擇.
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