補(bǔ)充說明:1,采用infineon cool mosfet 11N80 也出現(xiàn)過炸機(jī)現(xiàn)象2,燒壞器件為MOSFET,UC3844及電流采樣電阻(0.27R*2 3W)3,電源電壓在230V時(shí)測(cè)試沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)現(xiàn)象,因調(diào)試EMI,多次插拔均沒出現(xiàn)過炸機(jī)的現(xiàn)象高手提供點(diǎn)拔,不勝感激!

沒有最基本的圖怎么 搞?樓主最好能提供圖

我估計(jì)是你的電流采樣沒有及時(shí)的有效關(guān)斷輸出,或者是變壓器沒有完全磁復(fù)位.

兄弟有見識(shí)!

電流采樣處電阻為1K,電容1000PF,但后來將電阻改為470R,也出現(xiàn)過炸機(jī).

也懷疑過此處,(采樣及PIN3)測(cè)試波形也正常,VPP最高時(shí)達(dá)0.9V,

對(duì)比過270VAC與254VAC輸入時(shí)采樣電阻上波形,沒明顯差別.

變壓器沒有完全磁復(fù)位

有什么好的建議?

要改用900V以上的MOS,800V的耐壓不夠,因?yàn)槟闶窃?70V出現(xiàn)的比例較大.

正常測(cè)試時(shí)VPP不到700V,最高一臺(tái)機(jī)測(cè)試只有677V(@input 270VAC, output 12.8V 25.6A)

現(xiàn)在我初步懷疑為開機(jī)瞬間磁芯飽和.

你可以用示波器抓波形啊,在復(fù)位繞組沒有正常工作之前,磁芯復(fù)位不好,很容易炸MOS .我估計(jì)應(yīng)該是耐壓不夠,你可以在170VAC和270VAC分別進(jìn)行沖擊測(cè)試.看什么情況下最容易出問題,這樣基本就可以肯定了.正激設(shè)計(jì)的MOS耐壓值一般為電解電容最高電壓的2.6-3倍.

有進(jìn)行過開機(jī)時(shí)測(cè)試mosfet Vds 電壓,并成功測(cè)試到一次炸機(jī)時(shí)的波形,但沒抓到高電壓,實(shí)際上,MOSFET在此時(shí)已經(jīng)完全擊穿,抓到高電壓僅400V的樣子.

說是磁芯飽和,降低工作頻率應(yīng)該炸機(jī)的機(jī)率會(huì)大大增加,實(shí)際上也沒顯差別.理論來講,正激電源在開機(jī)瞬間占空比會(huì)達(dá)最大(UC3844 48%),同時(shí)在高電壓作用下,可能會(huì)出現(xiàn)磁芯飽和.經(jīng)再次核算,40T初級(jí)線圈略少,但實(shí)際上,之前我設(shè)計(jì)另一款時(shí)初級(jí)線圈僅34T也沒出現(xiàn)過此現(xiàn)象(量產(chǎn)了幾十K).

請(qǐng)問示波器怎樣抓波形來確認(rèn)磁芯飽和與否?

請(qǐng)看看MOSFET 的電流波形,空或滿高壓270V開關(guān)機(jī)時(shí)的.

有沒有軟啟動(dòng)電路

實(shí)際上,只要能正常開機(jī),波形均正常

不錯(cuò)!分析得有理,加軟起動(dòng)可能會(huì)有一定幫助.

目前產(chǎn)品無軟啟動(dòng)線路,但我設(shè)計(jì)多款(用UC3844)電源均沒有使用軟啟動(dòng),從沒

出現(xiàn)此情況,而等同功率的也有一款產(chǎn)品正在順利生產(chǎn).

有沒可能是布線的問題?比如地線過長(zhǎng),產(chǎn)生了振蕩?若是,有沒方法解決?

目前我重點(diǎn)懷疑還是磁芯飽和,但初級(jí)線圈從32T改為40T也出現(xiàn)過炸機(jī),頻率從

45K改為60K 還是會(huì)炸機(jī).

問題可能在輸出電感上,270V時(shí)占空比在最小  輸出電感要加大

有道理,我試試!明天通報(bào)結(jié)果.

目前為64uH

也許是13N80有問題,我也碰到過這樣的問題,同樣的電路,用13N80耐沖擊的特性就差很多,換11N90后,雖然熱一點(diǎn),但是比13N80就好多了

多謝各位的幫助!

目前基本確定了原因,應(yīng)該說是FQA13N80驅(qū)動(dòng)的問題,我將驅(qū)動(dòng)電阻改為120R,所有功能正常,今天還沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但很明顯,驅(qū)動(dòng)波形有變形,溫升也比原來的要高出10度;

確定此原因后,將MOSFET改為Vishay MOSFET IRFPE50測(cè)試,沒有發(fā)現(xiàn)炸機(jī)的現(xiàn)象,但是最大的問題為MOSFET溫度過高,170VAC時(shí)接近150度(IP44,散熱環(huán)境不好).

故目前又產(chǎn)生了兩個(gè)問題:

1,是否FQA13N80驅(qū)動(dòng)真有問題,若有問題,該怎樣解決?若加大驅(qū)動(dòng)能解決,那驅(qū)動(dòng)器件參數(shù)怎樣確定?

2, 各位能否推薦一款其他型號(hào)的MOSFET來替代 FQA13N80?最好對(duì)EMI影響較小,因此產(chǎn)品目前用FQA13N80 EMI已經(jīng)可以通過,11N90我將買樣板試試.

目前線路MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻為39R明天我會(huì)與FAIRCHILD 工程師確認(rèn)此問題,會(huì)將最新發(fā)現(xiàn)通報(bào)各位.也希望各位多提建議,不勝感激!也希望與各位多交流.

是不是VGS電壓特別是尖峰電壓太高造成的?我以前在用7N80時(shí)也出現(xiàn)過這樣的問題,改大驅(qū)動(dòng)電阻后不炸機(jī),但是驅(qū)動(dòng)不足溫度很高后來在G串了個(gè)磁珠解決,FAIRCHILD的管子特別是大電流的管子工藝改了后感覺越來越不行了

可能是緩啟動(dòng)的問題.問一下你的緩啟動(dòng)時(shí)怎么加的,效果怎么樣.

我覺得匝比可以調(diào)小試試．

試過,調(diào)小匝比效率變低,同樣還會(huì)炸機(jī).

改為IRPFE50已經(jīng)OK,但溫度略高.

沒加緩啟動(dòng),請(qǐng)建議下,該怎樣加?

可以試一下ST的MOS RDS ON要比FAIRCHILD小

13N80 RDS  0.75R

IRFPE50 RDS 1.2R

實(shí)際上,我覺得很有可能是雪崩電流的問題,減慢MOSFET開通時(shí)間才能克服此問
題.

上面的前輩,小弟有點(diǎn)建議,一般我們調(diào)試時(shí)實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電阻20歐,這樣速度會(huì)快些,還有你炸機(jī)如果各種因素都考慮了,那可以考慮一下是否是熱學(xué)問題,損耗在管子上的功率

可能是快速關(guān)斷時(shí)漏感與走線電感形成VDS尖峰,關(guān)斷越快尖峰電壓和dv/dt越高,導(dǎo)致?lián)舸?示波器高壓探頭頻響不夠,抓不到電壓最高的瞬間

在開機(jī)過程中輸出電壓上升到接近穩(wěn)壓值的時(shí)候,電源達(dá)到最大功率,管子同時(shí)工作在高壓和大電流狀態(tài),這個(gè)尖峰最高(無論有沒有軟啟動(dòng)都是如此),可能造成高壓開機(jī)炸機(jī).

處理方法:
檢查高壓過載是否炸機(jī)
檢查RCD吸收電路的PCB布局,盡量減小電流環(huán)路密度
加大電阻到100歐以上太影響效率,下策
不行就換900V MOS

以前有人發(fā)現(xiàn)Fairchild的MOS承受dv/dt容易莫名其妙的損壞
使用IR同容量的老MOS就不壞

不用扯了,是開機(jī)瞬間電壓高把管子擊穿的,有幾個(gè)生產(chǎn)的機(jī)種也是這樣的問題.

查一下主控的供電吧,我是門外漢.

加斜率補(bǔ)償就可解決