個(gè)人認(rèn)為并在開(kāi)關(guān)管上面,主要是降低開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力,吸收關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰.

并聯(lián)在線圈上,過(guò)高的尖峰電壓通過(guò)吸收網(wǎng)絡(luò)流向電源,能抑制電壓尖峰;
并聯(lián)在開(kāi)關(guān)管上,過(guò)高的尖峰電壓通過(guò)吸收網(wǎng)絡(luò)流向地,同樣能抑制電壓尖峰.

兩種方式目的都是一樣的,都是要抑制尖峰電壓,降低開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力,但這二者之間有何差異?各有何利弊?

并聯(lián)在線圈上參數(shù)選擇較為容易,而且可以輕松實(shí)現(xiàn)電壓鉗位;
如果并在開(kāi)關(guān)管上面,開(kāi)通,關(guān)斷,RC都會(huì)損失能量,開(kāi)關(guān)管容易發(fā)熱,參數(shù)選擇也要更加慎重

無(wú)論是并在線圈上,還是并在開(kāi)關(guān)上,尖峰電壓的吸收電流通路不都是通過(guò)吸收回路返回到電源端或地端,并不會(huì)通過(guò)開(kāi)關(guān)管,為什么并在開(kāi)關(guān)管上開(kāi)關(guān)管更容易發(fā)熱呢?

吸收回路無(wú)非就是RCD之類(lèi),一般情況下,并在開(kāi)關(guān)管上,開(kāi)通時(shí)會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)通時(shí)間,并且有些吸收會(huì)通過(guò)開(kāi)關(guān)管放電,要看具體的線路

我現(xiàn)在做的一個(gè)低壓升高亞的DC/DC,批量中發(fā)現(xiàn)并在線圈上的RCD(C并R再串D)吸收網(wǎng)絡(luò),有時(shí)反而不好,主要有時(shí)有R反而比沒(méi)有R的尖峰更高,或者初級(jí)損耗比正常狀態(tài)下嚴(yán)重偏大,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管?chē)?yán)重發(fā)熱損壞.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)反而是C串D,電壓尖峰相對(duì)比較低,初級(jí)損耗更小,開(kāi)關(guān)管不會(huì)發(fā)熱

如果只是C串D的話,C上的電壓沒(méi)有瀉放渠道,應(yīng)該對(duì)抑制尖峰電壓無(wú)效的阿,實(shí)驗(yàn)結(jié)果反而這樣有效,而且有的時(shí)候比RCD都更有效

你這是個(gè)誤區(qū),如果沒(méi)有R,C上充的電是不能釋放的,它會(huì)把電荷積累到最高尖峰,這樣這個(gè)電路就起不到保護(hù)MOSFET的作用了,也抑制不了電壓尖峰.
輸出躁聲會(huì)增大,而且MOSFET也危險(xiǎn),因?yàn)槟悻F(xiàn)在的是低壓電源,你的MOSFET已經(jīng)選了很高耐壓,所以問(wèn)題沒(méi)有暴露出來(lái)
RCD之所以會(huì)造成損耗增大是因?yàn)镽在消耗能量
RCD與正激的復(fù)位繞組不同,并不能把能量返回母線或者回地,它的作用就是保護(hù)MOSFET和抑制躁聲,在正激拓?fù)渲兴牧硗庾饔檬菐椭判緩?fù)位.
接Np兩端MOSFET的電壓鉗位在2Vdc,接MOSFET鉗位低于2Vdc,前者要求MOSFET耐壓應(yīng)力更高,但是后面的情況在MOSFET要求電流應(yīng)力更大.
所以設(shè)計(jì)的時(shí)候根據(jù)不同情況選取不同電路方式.

我實(shí)際觀察尖峰電壓,確實(shí)有的時(shí)候沒(méi)有R尖峰反而更小,加上R尖峰更高,有點(diǎn)糊涂

可以在C上面再串一個(gè)小電阻看看效果

小電阻還沒(méi)加,先看看別的實(shí)驗(yàn)結(jié)果