最可能是布線問題(把布線貼出來看看),其次可能是柵極沒串電阻(如果驅(qū)動(dòng)器需要串電阻抑制振蕩的話).

另外,PHASE和GND間的二極管一定要用肖特基的,否則也會(huì)有問題.

你圖上的那個(gè)過沖是應(yīng)為你沒有在high side的柵極串一個(gè)電阻(一般不超過4.7ohm,現(xiàn)在看來消除這個(gè)尖的唯一方法就是換一個(gè)輸入電容大一點(diǎn)的high side Mosfet(danshi這樣會(huì)是其效率降低).另外,其實(shí)這個(gè)應(yīng)該不是你燒low side的真正原因,燒的原因估計(jì)因該是在上下管的死區(qū)時(shí)出現(xiàn)了交疊現(xiàn)象,(使用示波器可以抓到)[你是那個(gè)公司的,有機(jī)會(huì)可以交流一下.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122293904.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
燒mos管在開機(jī)瞬間燒壞的,100pcs有7pcs燒壞,我們也懷疑可能是同時(shí)導(dǎo)通,但是都沒有量測(cè)到交疊的波形,臺(tái)北RD也否定了這種可能,想請(qǐng)教一下為什麼需要在high side 串電阻,low side 需要串嗎?還有查了一下high side mos的spec Ciss=1520pf Rg=0.47uf要將毛刺消除大概80%需要怎麼選mos,或者還有其他方法(不能改layout)!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122303444.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">


你們這么沒有用這種電路呢  你不能改LAYOUT 我就不知怎么辦了  我是剛學(xué)做這方面電源的.  你還可以換換其他的MOS 看看

沒錯(cuò),你這種情況就是交疊(如你紅圈中所畫的造成的),一般在剛開機(jī)時(shí)負(fù)載比較輕那個(gè)交叉電壓會(huì)比你現(xiàn)在紅圈中畫的要高一些(這個(gè)電壓一般不能高于大概是1.3V左右)所以會(huì)燒low side 的管子,但是如果你增加負(fù)載(比如run 3dmark)時(shí),交叉電壓就會(huì)降低所以負(fù)載越大越不會(huì)燒管子.(你可以實(shí)際測(cè)量一下)最保險(xiǎn)的做法是把你紅圈中的交疊電壓完全降到0,就是說沒有交疊(這樣效率會(huì)低些但是不會(huì)燒管子).解決的辦法是有,但是要實(shí)際試驗(yàn)(估計(jì)應(yīng)該可以,不要改layout的).有人回復(fù)再寫【你要告訴我你是那個(gè)公司的】

既然會(huì)high side,low side 同時(shí)導(dǎo)通,那電流必定會(huì)有尖峰電流,但是我們?cè)诙啻巫トow side 電流的時(shí)候並沒有抓到尖峰,而且遠(yuǎn)低與spec,還有怎樣將交疊電壓降到0,是IC還是MOS管的問題?

還有是否可以通過調(diào)節(jié)電感來調(diào)節(jié)電路性能!

輕載下達(dá)到快3V 也沒什么大問題啊大哥. 好像在輕載時(shí)這是假象.不能以這為準(zhǔn)吧.

作用不大,換電感的方法

你的這個(gè)圖(PHASE)是重載下的吧

建議high side mosfet 選用Cds值大一些的.

你這個(gè)問題很容易的!
我也做過主板,當(dāng)年mosfet狂燒,結(jié)果檢查layout,發(fā)現(xiàn)gate drive的信號(hào)走得太細(xì)了,才用了10mil好像,這樣就造成驅(qū)動(dòng)能力太差,low side mosfet導(dǎo)通得太慢,就燒了!
而至于你們說shoot through,我不認(rèn)為有這么嚴(yán)重,因?yàn)楝F(xiàn)在的gate driver都做得比較好了,哦,sorry,是我們公司的gate driver比較好,加了個(gè)死區(qū)時(shí)間,直接避免了shoot through.
還有一個(gè)原因是,phase上的尖峰太高了,燒掉了mosfet,這個(gè)時(shí)候可以加個(gè)rc,把它削下去.
而至于driver加不加series resistor,也要考慮一下.不過感覺到你這個(gè)不加這個(gè)匹配電阻就燒得這么厲害,如果加了,導(dǎo)通更慢了,估計(jì)燒得更厲害了.
我們公司的driver是SC1211XX,you can visit www.semtech.com.去看看上面的datasheet,看看什么是漂亮的gate driver和layout.

還有一種可能,換個(gè)Rds(on)更小的 low side mosfet.因?yàn)楣烙?jì)開機(jī)的時(shí)候,電流太大,所以燒了!

這個(gè)也可能是LOWSIDE在開機(jī)瞬間產(chǎn)生的一個(gè)負(fù)壓燒壞的,建議抓一下LOWSIDE Vgs的瞬間波形.

紅圈里的波形沒有出現(xiàn)兩管同時(shí)導(dǎo)通,因?yàn)楣茏佑幸欢ㄩ_啟電壓的.一般的集成驅(qū)動(dòng)器都內(nèi)置了防止共態(tài)導(dǎo)通的電路,不大可能出現(xiàn)共態(tài)導(dǎo)通.

燒管子的問題更可能是體二極管反向恢復(fù)問題.

在兩管都截止的死區(qū)期間,下管的體二極管作為續(xù)流二極管導(dǎo)通,產(chǎn)生載流子存儲(chǔ);然后當(dāng)上管導(dǎo)通時(shí),體二極管就進(jìn)入反向恢復(fù)狀態(tài):存儲(chǔ)電荷通過上管和VCC釋放,形成很大的反向電流.當(dāng)反向恢復(fù)結(jié)束時(shí),體二極管突然截止,這個(gè)電流在幾納秒以內(nèi)迅速下降到0(比MOSFET的正常關(guān)斷速度快的多),產(chǎn)生極高的di/dt,在引線電感上產(chǎn)生可觀的感應(yīng)電壓Ldi/dt.同時(shí),下管截止使得PHASE突然上升到VCC.兩個(gè)電壓相疊加的結(jié)果就是MOSFET突然承受很高的尖峰電壓和dv/dt,可以使它的內(nèi)部寄生三極管導(dǎo)通并發(fā)生二次擊穿,在幾納秒之內(nèi)使管子徹底損壞.相比之下,共態(tài)導(dǎo)通的尖峰電流只能導(dǎo)致過熱,燒掉管子至少需要幾秒的時(shí)間.

解決這個(gè)問題不能加大死區(qū)時(shí)間,而是要減小死區(qū)時(shí)間以避免體二極管飽和導(dǎo)通產(chǎn)生存儲(chǔ)效應(yīng),即使有少許的共態(tài)導(dǎo)通也在所不惜.MOTOROLA的一本書甚至建議用少量的共態(tài)導(dǎo)通來減少di/dt.(因?yàn)楣矐B(tài)導(dǎo)通電流的結(jié)束是靠管子的關(guān)斷,速度不可能太快).另外的影響因素有布線、外加的RC吸收電路(snubber)和管子的換向安全工作區(qū)(CSOA)特性等.CSOA是MOTOROLA提出的概念,一般的管子手冊(cè)上不一定有,但是要盡量選擇專門為此類電路(主板電源、電機(jī)控制等)設(shè)計(jì)的管子.

劍心,
請(qǐng)問下你說的“MOTOROLA的一本書甚至建議用少量的共態(tài)導(dǎo)通來減少di/dt.(因?yàn)楣矐B(tài)導(dǎo)通電流的結(jié)束是靠管子的關(guān)斷,速度不可能太快)“具體的內(nèi)容和書名.
對(duì)此很有興趣呀.

建議樓主可以把最后的解決辦法公布下.看到底是不是交疊引起或別的原因.

TMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理及應(yīng)用  沈耀忠等編  電子工業(yè)出版社 1995.11  
這本書似乎是由MOTOROLA的Application Notes翻譯而來的;電子工業(yè)出版社出過一系列介紹MOTOROLA元器件應(yīng)用的書,而且不在書名中指明是MOTOROLA的.現(xiàn)在MORTOROLA生產(chǎn)這類器件的分部已經(jīng)改名OnSemi(安森美半導(dǎo)體).

順便說一下:這種橋式輸出級(jí)因?yàn)榉聪蚧謴?fù)造成燒管的現(xiàn)象通常被稱作dv/dt failure,MOTOROLA的叫法是“二極管換向壓”.

現(xiàn)在已換了Ciss較大的電容,但開起換了電壓更小的MOS管,已跑了100多PCS板子,還沒出什麼問題,老大讓我們預(yù)防,各位提點(diǎn)意見,以後說不定又出什麼問題,我可就慘了,對(duì)TMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 很感興趣,能否上傳學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)!

我是在圖書館看的紙版的書,沒有電子版的.你可以試試去ONSEMI的網(wǎng)站找些Application Notes,有可能找到相關(guān)的內(nèi)容.

你說換了Ciss較大,開啟電壓較小的管子是上管還是下管?讓上管早一些開始導(dǎo)通但是電流慢一些上升也是有效的.另外,我以前的說法“下管導(dǎo)通的慢就燒了”是錯(cuò)的.

那換了Ciss大的管子,Rds(on)變小沒有?

Rds(on)在這個(gè)問題里不是關(guān)鍵:MOS管過流燒壞是因?yàn)檫^熱,升溫需要的時(shí)間較長(zhǎng),一般不會(huì)瞬間燒毀的.

high side low side 兩個(gè)mos管均換了,原來開啟電壓1.8v,現(xiàn)在換了1.5v
,因?yàn)楝F(xiàn)在換了Ciss(3200p--5103p)較大的,尖峰電壓降到27v左右.1122633625.tif

tif是什么?

我要好好研究研究!
SO8的管子會(huì)一下子燒毀,因?yàn)闊岵痪鶆?但是這里的是DPAK的,所以可能不一樣!

可是有一點(diǎn)我不明白,現(xiàn)在的controller,都把中間的死區(qū)時(shí)間做得很長(zhǎng)呀,也沒看到燒了多少mosfet呀,這是怎么回事呀?

用看圖軟件就可以打開,示波器生成的波形

死區(qū)長(zhǎng)的都是速度較低的驅(qū)動(dòng)器,管子導(dǎo)通時(shí)電流上升率較小,因此對(duì)面管子的reverse recovery電流和產(chǎn)生的沖擊也相應(yīng)較小.對(duì)于死區(qū)長(zhǎng)達(dá)幾百ns的驅(qū)動(dòng)器,管子導(dǎo)通的上升時(shí)間也有100多ns,reverse recovery還不是特別嚴(yán)重的問題.這類驅(qū)動(dòng)器一般用于幾十KHz開關(guān)頻率的場(chǎng)合.

對(duì)于開關(guān)頻率幾百KHz的音頻D類功放,驅(qū)動(dòng)器的死區(qū)時(shí)間減少到30ns左右,上升時(shí)間只有十幾ns.按照www.diyaudio.com上的帖子看,相當(dāng)一部分的燒管案例都是管子沒有過熱就突然擊穿,這時(shí)二極管恢復(fù)問題或者稱作"dv/dt failure"被認(rèn)為是主要懷疑對(duì)象之一.而討論MOSFET可靠性的文章幾乎全部集中在二極管dv/dt問題上.

注:dv/dt failure發(fā)生時(shí)的dv/dt極高(>5V/ns),需要極其昂貴的測(cè)試設(shè)備才能捕捉,通常只有MOSFET的制造商才具備這個(gè)測(cè)試能力.

那可不可以理解成:如果不使用內(nèi)部帶diode的Mos,就可以解決這個(gè)問題呢?請(qǐng)指證.

懂了.
看看這個(gè)波形
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/32/1122870058.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
開關(guān)頻率是200K吧?負(fù)載是5A,SO8的管子,沒見燒管子!
可能是死區(qū)時(shí)間還是比較長(zhǎng)的原因吧?

在現(xiàn)有的功率MOS工藝?yán)?那個(gè)diode是寄生元件,想去都去不掉.