請傳給我一份,不勝感激.

2樓的兄臺,改下你的日期吧,還有請說明一下做幾W的.

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可以幫我來一份嗎?

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本公司代理的CREE產(chǎn)品,是由政府出資的,開發(fā)的產(chǎn)品SiC材料提供給美國軍方,同時近幾年也買給Osram,英飛凌,ROHM等本導體廠家.可以用來生產(chǎn)LED,RF,LIGHTING, power Switching等,近幾年現(xiàn)在我們的一些產(chǎn)品也可以轉為民品在市場上銷售,并得到廣大知名電源的廠家的關注,本公司可以為廣大大功率電源廠家提供在300V下的20A和10A,在600V的1A,2A,4A,6A,10A和20A,在1200V下的5A,10A,20A 的肖特基二極管,在附件中有肖特基二極管的選擇相關資料供大家參考.
由于SiC的勢壘為3.3EV,Si的勢壘為1.1EV,這是SiC和Si本身特性的差異．這種特性導致他們的物理特性不一樣,如SiC的導電率是Si的3倍,致使能承受更大的電流,能帶隙是Si的3倍,致使能承受更高的溫度;10倍于Si的潰崩電壓,在相同的電壓時,有更低的內(nèi)阻,更快的響應速度．1160660508.pdf 回復第10帖     編輯     好評     差評  

colinzhou0504:   第11帖         [今天 22:36] 一    
    由于這些特點,加上肖特基本身的特性,是單極性的N極．故在高溫,高壓時都保持良好的電氣特性．致使它更適合在高壓高溫的條件下使用,如大功率的電路中PFC的電路中,有人認為SiC的價格高,實際上并不是這樣,首先,他可以用來代替大電流的快恢復二極管,如CSD010600的1A的SiC在200W中可以代替8A/600vSi-3產(chǎn)品.由于肖特基本身的特性,可以增加電路的頻率,減少開關損耗,由于高能帶隙,能降低系統(tǒng)的溫度,能夠減少磁環(huán)的磁通量,減少電容值,降低Mosfet的負載,減少電路的EMI,使電路更容易的通過EMI測試．減小PCB的面積．基于以上優(yōu)點,現(xiàn)在已經(jīng)為最大的電源廠家臺達,TYCO等單位使用,應用于200W以上的電路尤為明顯,降低了系統(tǒng)的溫度20~40度,功耗,成本．
如須更多的了解和服務,請與我聯(lián)系:周祥林 13817906430 colinzhou0504@126.com
同時我們還代理SUPERTEX/OSRAM/SSC的產(chǎn)品,涉及LED驅動,LED,IR,LASER,OLED的產(chǎn)品．

期待中.....

你好,我司是美國QSPEED的代理,主推是PFC快恢復二極管,其性價比極好,可以與SIC的基本一樣,但是我們是SI的制成,8A/600V可以支持到1200W.有興趣我可以提供樣品測試.而且我這里有與SIC相比的測試報告,哪位有興趣我可以發(fā)送與您們,供參考.謝謝!