mosfet耐壓值的大小取決于輸入電壓,輸出電壓,變壓器變比&一次側(cè)漏電感四個分量,我不明白為什么你要選用800V耐壓的管子;
你得告訴我們更詳細的規(guī)格才好幫你啊!

輸入190~264V,輸出20V,2A,我按最低電壓190Vac X 1.3 =247Vdc計算匝比要12:1呀,我取10:1,那么反射電壓也就很高了,200V,有人說反射電壓取低些,比如100V左右,那么匝比才5:1,這樣的話,正常190~264輸入,占空比才開到1/3呀,甚至更小,P.F.值很低,Ip很大啊,這是我的理解,還請指教,謝謝!

我之所以說30W,是因為輸出長期是15V,2A,只是短時間工作在20V,2A

還請問:變壓器漏感的問題,一般說夾層繞法漏感低,但每個繞組的層數(shù)對漏感是否也很大影響啊?我的初級要用三層,次級兩層,EI28的芯,先饒兩層在里面,中間夾兩層次級外面再饒一層初級,這樣漏感一般有多大呢??%.請各位大俠賜教!

還請問:
Mosfet 的Vds需承受的電壓:最高輸入電壓370Vdc+反射電壓+漏感所造成的尖蜂電壓(一般怎么確定或控制呢?)+富余量(一般設(shè)為多大為安全呢?)

我只知道前兩個量,后面兩個我不清楚,所以不知怎么確定Mosfet的Vds啊,
變壓器還沒做,PCB已發(fā)出打版了,還清各位賜教,好讓我今天定下變壓器和Mosfet的參數(shù)啊,先謝謝各位高手了.

600V以上就夠了,

清問你認為我的匝比該取多少呢?反射電壓該取多少?

375V+反射+尖峰,<600*0.9就可以了.

怎么算的10:1的變比呢?
我算了一下5:1~6:1就行了,一次側(cè)采用4N60的mosfet,二次側(cè)schottky
耐壓100V以上的就行了;

非常感謝!謝謝各位幫忙!

但請問這匝比設(shè)在5:1,和85~264V輸入有何區(qū)別呢?還請解惑!非常感謝!

問的好!在回答此問題之前要首先考慮我們根據(jù)什么來選擇duty,幾乎所有的書都在講設(shè)計反激變壓器時首先確定duty要小于0.5,但至于具體選多少確沒有說明:
實際上書上講的很是形而上學(xué),例如大部分的書本都已在最低輸入電壓下
duty取0.45來計算,實際上這個值的選取是以變壓器效率最高,mosfet損耗最小為設(shè)計優(yōu)化目標而確立的;這就是為什么你計算的變比很高的原因;
在實際設(shè)計中,大部分的電源產(chǎn)品都僅僅是可行性設(shè)計,即用最低的成本達到客戶的規(guī)格,那么power中成本最高的元件例如mosfet,schottky等與變壓器變比有直接聯(lián)系的器件隨著變比的變化將會有多種組合,只要duty小于0.5,就可以保證產(chǎn)品主體回路是穩(wěn)定的,剩下的那就要看哪種變比是成本最低的嘍!

非常感謝曉凡兄的解惑!這樣說從成本考率,190V~264V輸入基本也是按85V~264V設(shè)計了嗎?如單獨設(shè)計85V~135V的產(chǎn)品就不需更改變壓器只是換輸入電容由400V改為200V,是這樣嗎?

也可以這么說!畢竟從工程化設(shè)計角度出發(fā),只要滿足了spec,成本盡可能的低才是最有競爭力的產(chǎn)品,如果僅在85~135v條件下使用,mosfet可以選用500V~550V的,schottky也可降低一個耐壓等級!我上網(wǎng)的時間不是很多!見諒!

謝謝你的答復(fù)!好,有時間我發(fā)e-mail向你請教!