相信不少DX都是用日本精工的S系列或者M(jìn)M1414或者美國(guó)的BQ系列做的多節(jié)鋰電池保護(hù)電路,現(xiàn)就MM1414的幾個(gè)缺陷跟大家交流交流,望以后設(shè)計(jì)的時(shí)候注意,可能其他的鋰電池保護(hù)IC也有此問(wèn)題.
當(dāng)發(fā)生電芯與保護(hù)板之間連線開(kāi)路或者連接不牢靠時(shí)發(fā)生,拿10串保護(hù)板為例,相信大家采用的一般都是433結(jié)構(gòu),我采用此結(jié)構(gòu),最下邊4節(jié)用一個(gè)芯片,上邊每三節(jié)用一個(gè)芯片.
1 當(dāng)非芯片供電端的連接線斷掉任何一根或者全部斷掉的時(shí)候,具體來(lái)說(shuō)是B1+,B2+,B3+,B5+,B6+,B8+,B9+,不論這些電芯是過(guò)充電還是過(guò)放電,只要B4+,B7+,B10+電壓正常,整個(gè)芯片都不會(huì)進(jìn)行過(guò)充或者過(guò)放保護(hù).
2 只要B4+和B-電壓正常,不論其他的各個(gè)連接線有沒(méi)有斷掉,都不會(huì)進(jìn)行過(guò)充電保護(hù)動(dòng)作,但會(huì)執(zhí)行過(guò)放電保護(hù)動(dòng)作,這時(shí)候進(jìn)行充電操作是很危險(xiǎn)的.
產(chǎn)生的原因是芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的,由于芯片內(nèi)部是分壓結(jié)構(gòu),所以斷線不會(huì)對(duì)芯片的判斷造成影響,請(qǐng)各位參考自己的保護(hù)電路所用芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),在設(shè)計(jì)中注意此問(wèn)題.
有關(guān)MM1414的缺陷,請(qǐng)?jiān)谠O(shè)計(jì)中注意
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@dazui
那么請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有什么片子可以選擇?謝了先!
有3~4節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC方面,精工和美上美的市場(chǎng)占有率較高,象精工的S-8254,S-8244,S-8233,S-8243,S-8253.美上美有新推出兩款3~4S的鋰離子電池保護(hù)IC,用于替換MM1414,去美上美網(wǎng)上即可查到.
TI公司也有,不過(guò)基本上是配套使用,象BQ29311,BQ29312.
日本瑞薩公司也有,但國(guó)內(nèi)使用的不多.
其它公司也有一些,象MAXIM,不過(guò)很少人使用.
TI公司也有,不過(guò)基本上是配套使用,象BQ29311,BQ29312.
日本瑞薩公司也有,但國(guó)內(nèi)使用的不多.
其它公司也有一些,象MAXIM,不過(guò)很少人使用.
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@饅頭幫
請(qǐng)問(wèn),過(guò)流檢測(cè)是不太精準(zhǔn),但是對(duì)于客戶來(lái)講,他們需要多精準(zhǔn)呢?5A,就應(yīng)該動(dòng)作?還是6A,還是10A,?有一個(gè)具體的規(guī)范嗎?請(qǐng)賜教!
過(guò)流保護(hù)的精度可以不要求很高,比如20%算是很寬范圍了吧,但問(wèn)題是MM1414的過(guò)流檢測(cè)的離散性都會(huì)超過(guò)這個(gè)范圍,如果換成一種MOSFET,更會(huì)偏得離譜,原來(lái)設(shè)為5A,它都可能偏到12A.
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@azhu
有3~4節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC方面,精工和美上美的市場(chǎng)占有率較高,象精工的S-8254,S-8244,S-8233,S-8243,S-8253.美上美有新推出兩款3~4S的鋰離子電池保護(hù)IC,用于替換MM1414,去美上美網(wǎng)上即可查到.TI公司也有,不過(guò)基本上是配套使用,象BQ29311,BQ29312.日本瑞薩公司也有,但國(guó)內(nèi)使用的不多.其它公司也有一些,象MAXIM,不過(guò)很少人使用.
可否告知新型號(hào)的名字?方便的話把pdf上傳一下如何,謝謝!
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@azhu
過(guò)流保護(hù)的精度可以不要求很高,比如20%算是很寬范圍了吧,但問(wèn)題是MM1414的過(guò)流檢測(cè)的離散性都會(huì)超過(guò)這個(gè)范圍,如果換成一種MOSFET,更會(huì)偏得離譜,原來(lái)設(shè)為5A,它都可能偏到12A.
azhu,
1 當(dāng)非芯片供電端的連接線斷掉任何一根或者全部斷掉的時(shí)候,具體來(lái)說(shuō)是B1+,B2+,B3+,B5+,B6+,B8+,B9+,不論這些電芯是過(guò)充電還是過(guò)放電,只要B4+,B7+,B10+電壓正常,整個(gè)芯片都不會(huì)進(jìn)行過(guò)充或者過(guò)放保護(hù).
2 只要B4+和B-電壓正常,不論其他的各個(gè)連接線有沒(méi)有斷掉,都不會(huì)進(jìn)行過(guò)充電保護(hù)動(dòng)作,但會(huì)執(zhí)行過(guò)放電保護(hù)動(dòng)作,這時(shí)候進(jìn)行充電操作是很危險(xiǎn)的.
這個(gè) 說(shuō)的正確嗎?意思是比如說(shuō) 3串的電池,b1 b2 不接上去,1414都不會(huì)動(dòng)作?我沒(méi)有試過(guò),我明天去試驗(yàn)一下. 還有b- 的電壓正常,這是什么意思? b- 的電壓如果不正常會(huì)什么樣?b- 本來(lái)就接地的.
1 當(dāng)非芯片供電端的連接線斷掉任何一根或者全部斷掉的時(shí)候,具體來(lái)說(shuō)是B1+,B2+,B3+,B5+,B6+,B8+,B9+,不論這些電芯是過(guò)充電還是過(guò)放電,只要B4+,B7+,B10+電壓正常,整個(gè)芯片都不會(huì)進(jìn)行過(guò)充或者過(guò)放保護(hù).
2 只要B4+和B-電壓正常,不論其他的各個(gè)連接線有沒(méi)有斷掉,都不會(huì)進(jìn)行過(guò)充電保護(hù)動(dòng)作,但會(huì)執(zhí)行過(guò)放電保護(hù)動(dòng)作,這時(shí)候進(jìn)行充電操作是很危險(xiǎn)的.
這個(gè) 說(shuō)的正確嗎?意思是比如說(shuō) 3串的電池,b1 b2 不接上去,1414都不會(huì)動(dòng)作?我沒(méi)有試過(guò),我明天去試驗(yàn)一下. 還有b- 的電壓正常,這是什么意思? b- 的電壓如果不正常會(huì)什么樣?b- 本來(lái)就接地的.
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@饅頭幫
azhu,1 當(dāng)非芯片供電端的連接線斷掉任何一根或者全部斷掉的時(shí)候,具體來(lái)說(shuō)是B1+,B2+,B3+,B5+,B6+,B8+,B9+,不論這些電芯是過(guò)充電還是過(guò)放電,只要B4+,B7+,B10+電壓正常,整個(gè)芯片都不會(huì)進(jìn)行過(guò)充或者過(guò)放保護(hù).2 只要B4+和B-電壓正常,不論其他的各個(gè)連接線有沒(méi)有斷掉,都不會(huì)進(jìn)行過(guò)充電保護(hù)動(dòng)作,但會(huì)執(zhí)行過(guò)放電保護(hù)動(dòng)作,這時(shí)候進(jìn)行充電操作是很危險(xiǎn)的.這個(gè)說(shuō)的正確嗎?意思是比如說(shuō)3串的電池,b1b2不接上去,1414都不會(huì)動(dòng)作?我沒(méi)有試過(guò),我明天去試驗(yàn)一下.還有b-的電壓正常,這是什么意思?b-的電壓如果不正常會(huì)什么樣?b-本來(lái)就接地的.
這個(gè)我試過(guò)的,的確是這樣的.
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@zhaoden11
請(qǐng)問(wèn)能否說(shuō)詳細(xì)點(diǎn)呢?輸入端是指P+、P-嗎?后面的輸出信號(hào)是指什么呢?謝謝!
輸入端是指電池上每節(jié)的電壓信號(hào)輸入,輸出是指1414的過(guò)充和過(guò)放的信號(hào)輸出腳,因?yàn)槭沁@兩個(gè)信號(hào)來(lái)控制充、放電的回路的,如過(guò)你有多個(gè)芯片串聯(lián)的話在輸入端就直接輸入每節(jié)電壓即可,但是每個(gè)芯片都有過(guò)充和過(guò)放的信號(hào),這樣就要將所有的過(guò)充合成為一個(gè)過(guò)充信號(hào),過(guò)放信號(hào)也是如此.
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@dazui
輸入端是指電池上每節(jié)的電壓信號(hào)輸入,輸出是指1414的過(guò)充和過(guò)放的信號(hào)輸出腳,因?yàn)槭沁@兩個(gè)信號(hào)來(lái)控制充、放電的回路的,如過(guò)你有多個(gè)芯片串聯(lián)的話在輸入端就直接輸入每節(jié)電壓即可,但是每個(gè)芯片都有過(guò)充和過(guò)放的信號(hào),這樣就要將所有的過(guò)充合成為一個(gè)過(guò)充信號(hào),過(guò)放信號(hào)也是如此.
多謝指教!
再請(qǐng)問(wèn),照這樣的話,那么整個(gè)電路所用的MOS就只用一對(duì)了,那么過(guò)流檢測(cè)端也要合成一個(gè)信號(hào)了.
合成一個(gè)信號(hào)是指將各端并聯(lián)起來(lái)嗎?
請(qǐng)多多指教.
再請(qǐng)問(wèn),照這樣的話,那么整個(gè)電路所用的MOS就只用一對(duì)了,那么過(guò)流檢測(cè)端也要合成一個(gè)信號(hào)了.
合成一個(gè)信號(hào)是指將各端并聯(lián)起來(lái)嗎?
請(qǐng)多多指教.
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@zhaoden11
多謝指教!再請(qǐng)問(wèn),照這樣的話,那么整個(gè)電路所用的MOS就只用一對(duì)了,那么過(guò)流檢測(cè)端也要合成一個(gè)信號(hào)了.合成一個(gè)信號(hào)是指將各端并聯(lián)起來(lái)嗎?請(qǐng)多多指教.
MOS是可以用一對(duì)的,過(guò)流信號(hào)是不用合成的,只用一個(gè)芯片(最高節(jié))的過(guò)流就可以了.合成信號(hào)要解決兩個(gè)問(wèn)題:一是要將每個(gè)芯片的輸出信號(hào)的電平變成一致,因?yàn)楦呒?jí)和低級(jí)的芯片的輸出電壓是不同的;二是要將信號(hào)合成象“與門(mén)”一樣,只要有一個(gè)信號(hào)起作用MOS就要關(guān)斷.
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@dazui
MOS是可以用一對(duì)的,過(guò)流信號(hào)是不用合成的,只用一個(gè)芯片(最高節(jié))的過(guò)流就可以了.合成信號(hào)要解決兩個(gè)問(wèn)題:一是要將每個(gè)芯片的輸出信號(hào)的電平變成一致,因?yàn)楦呒?jí)和低級(jí)的芯片的輸出電壓是不同的;二是要將信號(hào)合成象“與門(mén)”一樣,只要有一個(gè)信號(hào)起作用MOS就要關(guān)斷.
那么不用的過(guò)流端是否就可以懸空呢?
每個(gè)芯片的過(guò)流、過(guò)放端合成的話,可否在每個(gè)端口串個(gè)二極管隔離就行了呢?
請(qǐng)?jiān)僦更c(diǎn)一下.
每個(gè)芯片的過(guò)流、過(guò)放端合成的話,可否在每個(gè)端口串個(gè)二極管隔離就行了呢?
請(qǐng)?jiān)僦更c(diǎn)一下.
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@zhaoden11
那么不用的過(guò)流端是否就可以懸空呢?每個(gè)芯片的過(guò)流、過(guò)放端合成的話,可否在每個(gè)端口串個(gè)二極管隔離就行了呢?請(qǐng)?jiān)僦更c(diǎn)一下.
過(guò)流的輸入(CS)要接VCC,輸出可以懸空.
信號(hào)合成時(shí)還要考慮你的每級(jí)芯片的信號(hào)輸出(因?yàn)槟闶菍⑿酒?jí)聯(lián)),他們的電壓不是在某一個(gè)范圍內(nèi)的,要對(duì)高級(jí)的芯片的信號(hào)輸出進(jìn)行降壓來(lái)控制MOS的,因?yàn)镸OS的G極電壓一般在+/-20V的.
信號(hào)合成時(shí)還要考慮你的每級(jí)芯片的信號(hào)輸出(因?yàn)槟闶菍⑿酒?jí)聯(lián)),他們的電壓不是在某一個(gè)范圍內(nèi)的,要對(duì)高級(jí)的芯片的信號(hào)輸出進(jìn)行降壓來(lái)控制MOS的,因?yàn)镸OS的G極電壓一般在+/-20V的.
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