緊急！！有關Boost電路中IGBT仿真模型
Boost電路中的功率元件是IGBT，要求耐壓600V，電流200A，選用的IGBT為CM200DY－12E。在用Pspice對該電路仿真時，當IGBT由導通到關斷的瞬時，其兩端的電壓沒有與實際相符合的尖峰電壓，其兩端的電壓基本上是平的，太理想化。請問這個尖峰電壓與IGBT的哪些參數(shù)有關？在仿真時應該考慮IGBT的哪些模型參數(shù)？？請各位高手多多指教！這個問題比較緊急?。?！
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