近日得一充電器電路圖如附件所示,經分析,本人覺得R8和R9的取
值均不妥,R8取值偏小,而R9的取值過大,根據(jù)光耦二極管最大電流
為50mA,計算的R8≥26R,而R9為提供死區(qū)電流應大于1mA,
故R9≤1.2K.不知各位大蝦有何見解?請踴躍討論!

R9的取值由431的漏電流決定,一般小于1MA就可以,R8的選擇是小了點,光耦原邊電流用不到那么大.

如果R9是由漏電流確定,按照漏電流越小越好的結論,豈不是可以省掉R9,
這樣就不會有漏電流了!所以我不贊同你的觀點哦!

R9應是補償光耦的C極電流和431工作電流,不過這種接法我還沒有用過,我一般接在R8下端.

如果TL431沒有漏電流,當然可以省掉R9.

我不認為是漏電流,應是內部比較器工作必需的工作電流.這個無論如何都是不能沒有的,至于你是全部讓他流過光耦還是要用電阻分流,應是和你所用的IC有關,應為IC的FB腳一般都會有個電壓工作范圍.

并聯(lián)在光耦二極管以前很多這種接法,但充電器類現(xiàn)很多都是像附件所示的接法.

假如大于1mA呢,會出現(xiàn)什么情況?

我贊同你說的是內部工作電流說法,否則當電流無經發(fā)光二極管流過時,431將
會進入失控時段,到下一次啟動到完成受控所需時間如過長,則初級電路已遭到破壞.

是的,反正就是不導通條件下從TL431的1端進入的所有電流之和.