并聯(lián)在IGBT的CE兩端電容器類型的選擇

有誰知道并聯(lián)在IGBT兩端電容器應(yīng)該選擇何種材料(此處用作ZVS的諧振電容),先謝了!

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蒲公英的翅膀

LV.6

2005-04-07 12:11

你是指的是RCD吸收的電容嗎??好像滌綸的或者CBB的都可以!!

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zyl611

LV.2

2005-04-07 12:14

選用DV/DT較高的電容,比較流行的是CDE 941C系列的

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applicate

LV.3

2005-04-07 15:26

@zyl611

選用DV/DT較高的電容,比較流行的是CDE941C系列的

不是用來做RC吸收的,RC吸收的好像用CBB的電容就可以了,
好像CDE的電容是用來吸收母排上的電壓尖峰,
我用的電路結(jié)構(gòu)為全橋移相ZVS,由于設(shè)置的死區(qū)時間比較長2US,沒有辦法.只有在IGBT上面并聯(lián)電容,這個電容連同結(jié)電容與諧振電感一起震蕩
進(jìn)而得到軟開關(guān)的條件.
我現(xiàn)在不知道并聯(lián)什么材料的電容器比較合適.請大家指點(diǎn)!

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liuxing925

LV.6

2005-04-08 19:44

@applicate

不是用來做RC吸收的,RC吸收的好像用CBB的電容就可以了,好像CDE的電容是用來吸收母排上的電壓尖峰,我用的電路結(jié)構(gòu)為全橋移相ZVS,由于設(shè)置的死區(qū)時間比較長2US,沒有辦法.只有在IGBT上面并聯(lián)電容,這個電容連同結(jié)電容與諧振電感一起震蕩進(jìn)而得到軟開關(guān)的條件.我現(xiàn)在不知道并聯(lián)什么材料的電容器比較合適.請大家指點(diǎn)!

CBB電容,我做過的
,一般1.1或則2.2N

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applicate

LV.3

2005-04-09 19:55

@liuxing925

CBB電容,我做過的,一般1.1或則2.2N

謝謝,超前臂我并聯(lián)10n,而滯后臂我每個并聯(lián)15n,你覺得如何?

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mr.lan

LV.7

2005-04-09 21:22

@applicate

謝謝,超前臂我并聯(lián)10n,而滯后臂我每個并聯(lián)15n,你覺得如何?

頻率多少?

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applicate

LV.3

2005-04-10 16:15

@mr.lan

頻率多少?

頻率20khz,死區(qū)時間2us,所以lr=20uh,cr=40=uf,t/4=2us;是不是死區(qū)時間可以設(shè)置的更小,比如1us,我一直想知道這個答案.

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細(xì)節(jié)決定成敗

LV.7

2005-04-10 20:42

@applicate

不是用來做RC吸收的,RC吸收的好像用CBB的電容就可以了,好像CDE的電容是用來吸收母排上的電壓尖峰,我用的電路結(jié)構(gòu)為全橋移相ZVS,由于設(shè)置的死區(qū)時間比較長2US,沒有辦法.只有在IGBT上面并聯(lián)電容,這個電容連同結(jié)電容與諧振電感一起震蕩進(jìn)而得到軟開關(guān)的條件.我現(xiàn)在不知道并聯(lián)什么材料的電容器比較合適.請大家指點(diǎn)!

吸收母排上的電壓尖峰
母排指的是什么?

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