如下圖所示，驅(qū)動回路主要由柵極驅(qū)動器、驅(qū)動電阻、回路寄生電感Lgate、輸入電容Ciss及GaN晶體管組成。在GaN器件開關(guān)過程中，驅(qū)動回路的總電阻大小會直接影響GaN器件在電路應(yīng)用中的性能。若柵極電阻過小，柵極電壓Vgs容易過沖導(dǎo)致GaN失效，且振鈴若超過閾值電壓Vth導(dǎo)致誤導(dǎo)通增加導(dǎo)通損耗；柵極電阻過大雖然可以降低柵極電壓Vgs和振鈴，但是同時減緩漏極電流的轉(zhuǎn)換過程，也會增加導(dǎo)通損耗。因此減小寄生電感才是最優(yōu)解。

那么優(yōu)化驅(qū)動回路的措施有哪些呢？

第一，在布局中，盡可能讓驅(qū)動回路與功率回路分離，且驅(qū)動芯片要盡可能靠近GaN器件;

第二，驅(qū)動回路路徑盡可能小，同時電流路徑交疊流過頂層和內(nèi)層以減小驅(qū)動回路面積使寄生電感最小化;

第三，驅(qū)動回路總電阻不能過大，以保證導(dǎo)通時間可以更短;也不能過小，以防誤導(dǎo)通。