FluxLink技術(shù)可安全地越過隔離層，提供非常大的通訊帶寬，實現(xiàn)極快的負載瞬態(tài)響應(yīng)，并省去光耦器，具有極高的可靠性

ZVS反激式拓撲本身就減少了一些傳統(tǒng)反激式拓撲中需要的元件，如鉗位電路和額外的驅(qū)動電路。

ZVS反激式拓撲與GaN互相結(jié)合是一個很好的思路，但是具體問題需要具體分析的

采用 InnoSwitch-3 IC 的設(shè)計很容易滿足所有全球能效法規(guī)，并且具有低散熱的特點。

零電壓開關(guān)設(shè)計值得思考和反思。

由于集成了 SR FET 柵極驅(qū)動器，它還配備了先進的直通和交叉?zhèn)鲗?dǎo)防止機制。

INN5396最大的特點就是采用了無需有源鉗位開關(guān)的零電壓開關(guān)（ZVS）操作，同時更加精準的SR FET控制技術(shù)，，這種技術(shù)有優(yōu)勢嗎？

INN5396最大的特點就是采用了無需有源鉗位開關(guān)的零電壓開關(guān)（ZVS）操作，同時更加精準的SR FET控制技術(shù)，這種控制是如何操作的？

隨著器件溫升的降低，可以實現(xiàn)更加緊湊的適配器布局，其元件數(shù)量遠遠少于非對稱半橋（AHB）電路或有源鉗位的方案設(shè)計。有源鉗位比較難理解

無需有源鉗位開關(guān)的零電壓開關(guān)操作，那ZVS是如何實現(xiàn)的呢

InnoSwitch3對同步整流的開關(guān)時序進行了優(yōu)化，確保實現(xiàn)對初級側(cè)的功率開關(guān)管和次級側(cè)的同步整流開關(guān)管的開關(guān)時序更加精準。

非常不錯的設(shè)計，拓撲結(jié)構(gòu)非常有利于傳輸效率的提高

非常不錯的設(shè)計使信號傳輸效率一直維持在較高水平

使用的是氮化鎵（GaN）的功率開關(guān)和零電壓開關(guān)，因此可以降低開關(guān)損耗，使變換效率超過95%，可用輸出多大功率？

使用的是氮化鎵（GaN）的功率開關(guān)和零電壓開關(guān)，因此可以降低開關(guān)損耗，使變換效率超過95%。這樣的設(shè)計可以省去熱管理所需的散熱片、導(dǎo)熱片和灌封材料，從而進一步減小尺寸，降低元件成本和制造復(fù)雜性。

筆記本現(xiàn)在也都是大功率GAN了

如何通過ZVS和GaN提高反激電源的效率？

INN5396如何在保證高效率的同時實現(xiàn)器件小型化和成本降低？

筆記本充電器一般都是啥拓撲結(jié)構(gòu)？

盡量延長次級側(cè)SR整流管的導(dǎo)通時間，從而充分利用次級側(cè)同步整流高效的特性，實現(xiàn)整體效率的提升。

根據(jù)干擾電壓幅值優(yōu)化變壓器屏蔽圈數(shù)，通過改變寄生電容進而減小共模電壓。

InnoSwith3同時集成了很多保護功能，其中增加了次級整流管短路保護功能。

氮化鎵開關(guān)損耗低，效率高，不需要散熱片，有利于減小產(chǎn)品尺寸

通過調(diào)整變壓器寄生電容，實現(xiàn)共模電流抵消，可明顯改善傳導(dǎo)性能。

選擇開關(guān)速度較快的功率開關(guān)管，減小寄生電容Ceq1及電壓電流交叉時間

完全符合安全和法規(guī)要求，具有出色的抗噪性，并具有增強絕緣和絕緣電壓 > 4000 VAC。

這些器件減少了驅(qū)動器布局的復(fù)雜性和EMI 的產(chǎn)生，同時也減少了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。

如果次級側(cè)SR整流管短路，則初級側(cè)的開關(guān)管即停止開關(guān)操作，無需額外的瞬態(tài)抑制二極管（TVS）對初級側(cè)功率開關(guān)管進行保護。

inn5396設(shè)計的電路使得適配器和充電器以及開放式框架電源更有效、更輕、更小。

零電壓開關(guān)意味著開關(guān)過程中電磁能量的釋放減少，從而有助于降低電磁干擾