在某些750伏DC的應(yīng)用當(dāng)中，氮化鎵已經(jīng)可以取代碳化硅了，氮化鎵可以使用硅基工藝，同時晶圓尺寸更大，但是氮化鎵在功率密度上遙遙領(lǐng)先于硅，因此越來越多要求高功率密度的場景開始接受氮化鎵。在30W以上應(yīng)用中，就足以體現(xiàn)出氮化鎵的優(yōu)勢。
硅的禁帶寬度為1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上半導(dǎo)體材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料是被稱為第三代半導(dǎo)體材料。氮化銦(InN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)及其合金組成的Ill族氮化物(又稱GaN基)半導(dǎo)體是最重要的一類寬禁帶半導(dǎo)體。電子器件領(lǐng)域：高溫、高頻、高功率微波器件是無線通信、國防等領(lǐng)域急需的電子器件。
PI PowiGaN的優(yōu)勢如下：
1.優(yōu)勢是高度整合，在單芯片中集成了包括開關(guān)、保護、反饋、同步整流以及磁隔離等全部組件，用戶只需要設(shè)計外圍電路即可，這降低了產(chǎn)品的開發(fā)門檻，減少了產(chǎn)品尺寸，同時也提高了可靠性。
2.PowiGaN的獨特架構(gòu)，采用了Cascode（共源共柵）架構(gòu)，通過MOSFET與氮化鎵并聯(lián)的方式，實現(xiàn)了器件的常關(guān)。
推出900V 的PowiGaN器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。700V氮化鎵器件不僅能夠增加裕量和耐用性，與硅器件相比也有更好的效率和功率。
InnoSwitch3架構(gòu)下的900V器件性能也非常強勁，pi氮化鎵芯片涵蓋了InnOswitch系列的幾乎所有產(chǎn)品，包括大廠定制產(chǎn)品SC標(biāo)識產(chǎn)品，LYTSwitch-6系列的LED驅(qū)動電源也采用了GaNj技術(shù)，發(fā)揮了寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢。
