最近在搞一款2KW 12V輸入的逆變

全橋輸出，驅動使用國產芯片，具體哪家的不方便說，免得說我打廣告或者污蔑芯片廠家。

使用中發(fā)現(xiàn)如下問題，想問問各位，有用過PI的IGBT驅動芯片的給個意見，看看怎么選型好。

下面我把問題具體描述下：

12V經過全橋變壓器后，形成320---450V直流電，然后經過兩組IGBT組成全橋結構，輸出220VAC。

現(xiàn)在的問題是要提高后級全橋的效率，就使勁壓迫IGBT的死區(qū)。

國產的驅動芯片沒死區(qū)設置，只能在驅動信號輸出之前由專用芯片固定死區(qū)。

然而固定死區(qū)是有劣勢的。在輕載時，完全可以減小死區(qū)，因為電流拖尾現(xiàn)象并不嚴重。

在重載的時候則需要增加死區(qū)時間，以防止拖尾造成的共通。

國產的驅動芯片是有檢測電流的功能，但線路復雜，而且是用二極管檢測IGBT管壓降的方式。

二極管的溫漂很大，這給設計帶來了很多不確定性。測試了很久，始終不能完美準確的在過流或者即將共通的時候關閉驅動輸出。

不知道PI有沒有一種驅動芯片，可以根據(jù)輸出功率的大小，主動調整死區(qū)時間的？

這樣可以壓榨IGBT最后一丟丟性能，使低壓逆變器具有更高的效率。

上圖是書上截取的一段波形。電流的拖尾時間確實與電流有關，也與DV/DT有關。

我測試到的電流波形沒有這么完美，總有毛刺，所以拿書上的圖來借用一下。

現(xiàn)在就是想把這個電流拖尾給干掉。如果不用IGBT，使用MOS做后級橋，是不是能避免拖尾炸管的問題？

同時也能解決效率問題？有用過MOS代替后級橋的朋友嗎？說說你們的經驗吧