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各位大佬看看這是什么拓撲?

如題:

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2023-12-20 22:42

串聯LLC諧振,另外一個L在副邊,這個結構不錯的,基本不會有容性狀態(tài)

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風琉璃
LV.2
3
2023-12-21 11:39
@米山人家
串聯LLC諧振,另外一個L在副邊,這個結構不錯的,基本不會有容性狀態(tài)

謝謝回復,請問原邊吸收電路發(fā)熱厲害如何解決

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2023-12-21 21:47
@風琉璃
謝謝回復,請問原邊吸收電路發(fā)熱厲害如何解決

這肯定發(fā)熱啊,電阻R承受全部熱量,RC在這里,電阻除了消耗能量,沒 有任何意義。

除了發(fā)熱,吸收不了任何東西。不應該放在這個位置。

吸收電容是用來保護IGBT的

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風琉璃
LV.2
5
2023-12-22 09:08
@米山人家
這肯定發(fā)熱啊,電阻R承受全部熱量,RC在這里,電阻除了消耗能量,沒 有任何意義。除了發(fā)熱,吸收不了任何東西。不應該放在這個位置。吸收電容是用來保護IGBT的

那有沒有什么辦法減小發(fā)熱呢?還有就是驅動這個全橋的PWM頻率是固定的,好像不是串聯LLC諧振

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2023-12-22 15:47
@風琉璃
那有沒有什么辦法減小發(fā)熱呢?還有就是驅動這個全橋的PWM頻率是固定的,好像不是串聯LLC諧振

這個電容直接跨接在IGBT的CE端,不能用電阻,電容是吸收過沖電壓保護IGBT的,加電阻后就沒意義了,而且會發(fā)熱。

有時候,在IGBT兩端加吸收電容會引起IGBT發(fā)熱,這說明有超前的電流成份,不過這個發(fā)熱是控制計算失誤引起的,就是設計時沒有對電流超前的措施,只能靠IGBT硬扛,這時候,發(fā)熱的現象實際上降低了IGBT炸機的風險。

這種情況解決,要從改善柘樸結構,改善控制策略入手,不過這是一個非常大的技術框架,不是那么容易解決的

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風琉璃
LV.2
7
2023-12-27 17:14
@米山人家
這個電容直接跨接在IGBT的CE端,不能用電阻,電容是吸收過沖電壓保護IGBT的,加電阻后就沒意義了,而且會發(fā)熱。有時候,在IGBT兩端加吸收電容會引起IGBT發(fā)熱,這說明有超前的電流成份,不過這個發(fā)熱是控制計算失誤引起的,就是設計時沒有對電流超前的措施,只能靠IGBT硬扛,這時候,發(fā)熱的現象實際上降低了IGBT炸機的風險。這種情況解決,要從改善柘樸結構,改善控制策略入手,不過這是一個非常大的技術框架,不是那么容易解決的

這個好像不是LLC串聯諧振,用的是NMOS不是IGBT,而且吸收電路也不是加在MOS的SD兩端的

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2023-12-28 08:34

這個是全橋電路

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2023-12-28 08:37
@風琉璃
那有沒有什么辦法減小發(fā)熱呢?還有就是驅動這個全橋的PWM頻率是固定的,好像不是串聯LLC諧振

RC是不是用的小了點,我們一般是R在100歐以上,C在1nF

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11455355
LV.9
10
2024-01-30 00:56

這是一個硬開關全橋變換器,RC吸收電路R發(fā)熱,排除變壓器漏感過大的情況下,要考慮RC選值是否恰當,一般R用20--47歐姆,3-10W,C用102--222J,(1nf-2.2nf),耐壓630V--1200V。C用的容量過大很容易引起R發(fā)熱。

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