如題:
各位大佬看看這是什么拓撲?
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@風琉璃
那有沒有什么辦法減小發(fā)熱呢?還有就是驅動這個全橋的PWM頻率是固定的,好像不是串聯LLC諧振
這個電容直接跨接在IGBT的CE端,不能用電阻,電容是吸收過沖電壓保護IGBT的,加電阻后就沒意義了,而且會發(fā)熱。
有時候,在IGBT兩端加吸收電容會引起IGBT發(fā)熱,這說明有超前的電流成份,不過這個發(fā)熱是控制計算失誤引起的,就是設計時沒有對電流超前的措施,只能靠IGBT硬扛,這時候,發(fā)熱的現象實際上降低了IGBT炸機的風險。
這種情況解決,要從改善柘樸結構,改善控制策略入手,不過這是一個非常大的技術框架,不是那么容易解決的
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@米山人家
這個電容直接跨接在IGBT的CE端,不能用電阻,電容是吸收過沖電壓保護IGBT的,加電阻后就沒意義了,而且會發(fā)熱。有時候,在IGBT兩端加吸收電容會引起IGBT發(fā)熱,這說明有超前的電流成份,不過這個發(fā)熱是控制計算失誤引起的,就是設計時沒有對電流超前的措施,只能靠IGBT硬扛,這時候,發(fā)熱的現象實際上降低了IGBT炸機的風險。這種情況解決,要從改善柘樸結構,改善控制策略入手,不過這是一個非常大的技術框架,不是那么容易解決的
這個好像不是LLC串聯諧振,用的是NMOS不是IGBT,而且吸收電路也不是加在MOS的SD兩端的
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