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聊聊反激電源的這個(gè)尖峰電壓如何抑制

在PI手冊(cè)里看到這樣一個(gè)波形，和實(shí)際電路測(cè)出來(lái)的波形也很一致。下面主要來(lái)看看這個(gè)應(yīng)力尖峰如何消除。

這是反激電源原邊MOS的應(yīng)力波形，很經(jīng)典的一幅圖。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是在反激電路中，MOS管關(guān)斷之后變壓器會(huì)將原邊的能量轉(zhuǎn)移到副邊。但漏感中的能量卻無(wú)法轉(zhuǎn)移，這部分的能量會(huì)在電路中的雜散電容上產(chǎn)生振鈴。

MOS在關(guān)斷后，其兩端電壓由三部分組成，輸入電壓最大值Vinmax，副邊折射電壓VoR=N x Vout和振鈴產(chǎn)生的尖峰電壓Vspike。

MOS尖峰必須得到抑制，不能很容易出問(wèn)題，RCD吸收電路是比較簡(jiǎn)單有效，經(jīng)濟(jì)的方案。

MOS開(kāi)通時(shí)刻，能量存儲(chǔ)在勵(lì)磁電感Lm和漏感Ls中，當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)候，Lm中能量會(huì)傳到副邊，但漏感中能量卻不會(huì)。

這時(shí)候漏感會(huì)釋能，D1導(dǎo)通給C1充電，當(dāng)充電電壓到達(dá)Vclamp時(shí)，D1截止，C1通過(guò)R1放電。因此電阻R需要耗散能量，其封裝選型和Layout應(yīng)滿足散熱設(shè)計(jì)。

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天晴朗
LV.6
2
2022-11-12 19:34

漏感中的能量無(wú)法轉(zhuǎn)移，這部分的能量會(huì)在電路中的雜散電容上產(chǎn)生振鈴

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2022-11-18 13:49

這種尖峰電壓無(wú)法消除，只能通過(guò)電路板布局優(yōu)化，降低它到一個(gè)比較合理的范圍內(nèi)就行了 。

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svs101
LV.8
4
2022-11-22 14:48
@方笑塵MK
這種尖峰電壓無(wú)法消除，只能通過(guò)電路板布局優(yōu)化，降低它到一個(gè)比較合理的范圍內(nèi)就行了。

需要電路增加吸收元件，降低尖峰脈沖電壓，保護(hù)芯片工作正常。

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tanb006
LV.10
5
2022-11-24 22:23

用高耐壓的管子就好啊?？梢詼p小RCD的功耗。用管子的實(shí)力硬剛尖峰。

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hjk23
LV.2
6
2022-11-25 14:53

想辦法減小變壓器原邊繞組分布電流

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2022-11-25 15:42

RCD可以吸收掉，不過(guò)會(huì)影響效率的，所以要取一個(gè)平衡點(diǎn)

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2022-11-25 17:35

這個(gè)RCD還得靠測(cè)試不停的調(diào)節(jié)，純理論出來(lái)的還是有差異。

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RCD吸收電路參數(shù)如何來(lái)選擇？

 

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dbg_ux
LV.9
10
2022-11-25 20:52
@方笑塵MK
這種尖峰電壓無(wú)法消除，只能通過(guò)電路板布局優(yōu)化，降低它到一個(gè)比較合理的范圍內(nèi)就行了。

尖峰太大跟你變壓器整流輸出整個(gè)回路的分布電感有很大關(guān)系

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dbg_ux
LV.9
11
2022-11-25 20:53
@svs101
需要電路增加吸收元件，降低尖峰脈沖電壓，保護(hù)芯片工作正常。

如果你目前沒(méi)有別的改善方法而且原邊可以承受的話，我建議將原邊MOS管的開(kāi)通速度降低一些，這樣對(duì)于副邊二極管尖峰電壓也有改善。

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12
dy-7yarl3tv
LV.3
13
2022-11-25 22:00

RCD吸收是很經(jīng)典，但RCD分為RCD吸收和RCD鉗位沒(méi)有講清楚

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海怒
LV.2
14
2022-11-25 22:22

除了rcd還有別的辦法么？

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dy-StTIVH1p
LV.8
15
2022-11-25 23:12

尖峰電壓工作時(shí)的輸出功率呈現(xiàn)哪些變化

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2022-11-25 23:39

MOS在關(guān)斷后，其兩端電壓由三部分組成，輸入電壓最大值Vinmax，副邊折射電壓VoR=N x Vout和振鈴產(chǎn)生的尖峰電壓Vspike。

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liweicheng
LV.7
17
2022-11-25 23:51
@天晴朗
漏感中的能量無(wú)法轉(zhuǎn)移，這部分的能量會(huì)在電路中的雜散電容上產(chǎn)生振鈴

雜散電容指哪一部分?層與層還是線與線之間的寄生電容?

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18
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19
#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
20
liweicheng
LV.7
21
2022-11-25 23:58
@lijian_power
RCD可以吸收掉，不過(guò)會(huì)影響效率的，所以要取一個(gè)平衡點(diǎn)

RCD可以有源嵌入位，D可以用MOS替代，也可以用瞬態(tài)二極管，還有變壓器輔助繞組吸收漏感

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23
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24
p537312
LV.4
25
2022-11-26 08:06
@tanb006
用高耐壓的管子就好啊。可以減小RCD的功耗。用管子的實(shí)力硬剛尖峰。

耐壓越高的管子價(jià)格越高，成本就越高，適可而止為好

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#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
26
2022-11-26 21:56

方法：提前預(yù)防是減小漏感，設(shè)計(jì)時(shí)用RCD吸收壓制尖峰，調(diào)試時(shí)改變開(kāi)關(guān)頻率/驅(qū)動(dòng)電阻等壓制

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2022-11-26 21:57

還有一點(diǎn)，需要PCB優(yōu)化設(shè)計(jì)，減少環(huán)路面積，降低寄生電感和寄生電容

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hellbaron
LV.6
29
2022-11-26 22:21

反激電路吸收一般都是Rcd,我也沒(méi)用過(guò)別的吸收

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2022-12-23 20:11

記錄一下，以后用的到，感謝分享

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dy-KNLyiTzn
LV.4
31
2022-12-24 13:15

尖峰太高對(duì)于CMI處理也是一個(gè)難題呀

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