哪位大哥幫小弟一把啊  小弟急的不行了

我從論壇上下載了一篇文章,分享給你吧!

我也是初學(xué)者,咱們互相幫助.
RCD吸收回路計(jì)算.doc

感激  感激!大家互相幫助啦

是否正激反激的公式差不多呢?還有請(qǐng)教tase兄,您給我的那篇文章中Vdss指的是哪個(gè)電壓呢?

看了你的文章,我想問一下,你覺得二極管的反向恢復(fù)時(shí)間快點(diǎn)好嗎?
你有沒有做過試驗(yàn),別誤導(dǎo)別人

文章不是我寫的! 我是在論壇上下載的!
所以我也是初學(xué)者,和大家以前討論.

頂一下

反向恢復(fù)快肯定要好過!

有沒有想過用TVS 代替RC吸收回路?

聽說效果比RC好些!

用TVS效率會(huì)好一點(diǎn).

請(qǐng)教:TVS 是什么啊?

謝謝了

TVS好象貴一點(diǎn)吧

突破吸收器呀 ,一般用P6K200A

實(shí)踐是檢驗(yàn)真理的唯一標(biāo)準(zhǔn),
回家好好想想

謝謝

請(qǐng)你證明
為什么用反向恢復(fù)時(shí)間慢的會(huì)比快的要好呢?
我認(rèn)為如果反向恢復(fù)慢的話,在開關(guān)管剛剛導(dǎo)通時(shí),
電容會(huì)向開關(guān)管放電,
在二極管上的功耗會(huì)很大!

恩TVS確實(shí)貴一些,也有用過TVS,只不過老大說要costdown想用RC

P6KE200A確實(shí)效率要高一點(diǎn),現(xiàn)在想在單端反激上用RCD costdown一下,不知道哪位大哥可以幫小弟一把,感激不盡!!

文章地講法沒有錯(cuò),你的講法也對(duì).
但是你的角度輿文章所講的角度不一樣,因此盡管論點(diǎn)相反可是沒有沖突,就像一斤輿一米無法比較誰更多一樣.

兄弟,如果站在損耗的角度看,你講的是對(duì)的,但是如果換一個(gè)角度,因?yàn)槁艿姆烹?會(huì)讓電容的電壓在mos導(dǎo)通結(jié)束的瞬間進(jìn)一步降低,也就是mos關(guān)斷時(shí)對(duì)漏感能量吸收更好,會(huì)獲得更低的Vds和更好EMI,因此cuke兄也是對(duì)的,但我不是很欣賞他回答問題的方式.

你說的意思就是用慢管的話,對(duì)輸出電壓的紋波及EMI都會(huì)更好
用快管就是電源效率會(huì)更高!

用TVS會(huì)不會(huì)沒有用RCC的可靠性高啊.功率大一點(diǎn)會(huì)不會(huì)燒毀啊.
我試過很容易激穿啊.

輸出紋波沒有注意過,但是開關(guān)管的Vds會(huì)比較低.
總效率不一定,須然二極管的損耗會(huì)增加,但是MOS的關(guān)斷損耗會(huì)減少.

漏感太大就很容易擊穿的,如果你一定要用,可以在TVS兩端並聯(lián)一個(gè)100~220pF的小電容緩沖一下就可以了.

我現(xiàn)有一個(gè)功放用的開關(guān)電源,用反激100W (50V2A)
采用TOP249Y 做的,現(xiàn)在紋波很大,空載都有800mV,帶1A有2V 的紋波
我用示波器測得紋波的尖峰最大的時(shí)候是在MOS關(guān)斷的瞬間產(chǎn)生的
現(xiàn)在不知怎么減小?
做了好多次參數(shù)調(diào)試都沒有改變?
請(qǐng)你指點(diǎn)一下!

是紋波還是尖峰啊,紋波要調(diào)反饋,尖峰大多是地線走得不好造成的.
發(fā)個(gè)波形看看,有l(wèi)ayout最好.

小弟我找到本很老的開關(guān)電源設(shè)計(jì)書,發(fā)現(xiàn)上面有RCD的設(shè)計(jì),掃描下來供大家享用!希望能有些幫助,實(shí)在感激幫助過我的兄弟!在此有禮了!

1112341693.pdf

我這條件有限,不能把測到的波形傳上來

尖峰就是在關(guān)斷時(shí)比較大,紋波也有,

你看一下我這個(gè)原理圖,有紋波該調(diào)哪些參數(shù)?

聽說好像反激的紋波不好做啊