P=I*I*Rds(on)

主要計(jì)算IPEAK電流值.

MOS管的功率受散熱條件的影響,我覺得說白了只要你能把由于導(dǎo)通電阻及開關(guān)損耗等產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去的話,象計(jì)算機(jī)超頻一樣,二極管一樣可以超容量使用.因此你計(jì)算MOS管的功率是沒意義的.他的功率的多少受很多條件的影響,塑封的散熱功率只有一半就是因?yàn)樗麖慕Y(jié)心到散熱器表面的熱阻大,因此相同的發(fā)熱功率的話,他的溫升就高.而管子結(jié)心最高溫度是定死的,因此素封允許的散熱功率就小.

謝謝各位大蝦們的回復(fù),我又學(xué)到了.
我現(xiàn)在想問一下,我原來用的MOS管的功率是 PD=115W,現(xiàn)在我想用想同型的塑封,但是它的PD=43W,那個(gè)管子的RDS(ON)=0.18,我用計(jì)算公式估算了一下IPK=3.64A,我用塑封的可以么.
我用的3842做PWM,MOS管是IRF640N 直流輸入36-72,輸出12V3A的
請(qǐng)各位幫我參考一下,謝謝!

那位大哥知道啊,我在線等回復(fù),項(xiàng)目后天就要交了,急啊~~~~

應(yīng)該可以,不知道你原來用不是塑封的穩(wěn)升多少,只要原來外殼溫度沒到60度就絕對(duì)沒問題,

計(jì)算MOS的功率(應(yīng)該是導(dǎo)通損耗)只能是做個(gè)參考而已,沒什么太大的用處
一般選用MOS看其額定的電壓,電流,Rds,熱量只要能散發(fā)出去就行了.

我在相同的條件下,做了個(gè)試驗(yàn),以前那個(gè)220封裝的,在帶負(fù)載情況下,元件的溫度是126,那個(gè)塑封的,在帶負(fù)載的情況下是139(手冊(cè)上說節(jié)點(diǎn)溫度是150).這樣還能替換么

牛人,溫度用到100多度,可以燒開水了,這種情況下沒散熱器那還不是等死啊

節(jié)點(diǎn)溫度150度,表面最大溫度限制也就120度左右.超過這個(gè)溫度限制就危險(xiǎn)了,還是加散熱片吧

我用的時(shí)候加了外殼散熱的,我說的那個(gè)溫度是我測(cè)得的管子溫度哈.

那就用不了,換好點(diǎn)的吧

哦,謝謝各位的回復(fù),看來我還是只能用220鐵封的了~

1. 計(jì)算 Vds 電壓2. 計(jì)算 Ipeak3. 考慮 Qg 的值,確定你的芯片驅(qū)動(dòng)能力,及驅(qū)動(dòng)間串阻值所帶的效果4. 考慮 Tj 下的溫升問題后兩項(xiàng), 參考 datasheet 中數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算