大佬看的很細喲

嗯，最近有考慮用PI的芯片。因為寬電壓輸入的幾乎被PI壟斷。其他廠家都沒有類似產(chǎn)品。

而且，用普通芯片設(shè)計寬電壓輸入的電源又顯得復(fù)雜而且不夠可靠。

所以很關(guān)注PI這方面的資料。結(jié)果卻是這么多BUG。

想來用過的人都會發(fā)現(xiàn)這個問題，為何很少人提及？

難道問題中三個不同容量的電容串聯(lián)可以扛得住高壓？跟理論和實際情況都有沖突啊。

3.在3947的圖紙中，前級電容分別用了68nF+68nF+68uF的兩組電容，根據(jù)簡單的計算，這樣的簡單串聯(lián)，真實的主要電壓會全部加在兩個68uF的電容上，而耐壓只有500V的電容如何抗的??？

你考慮的主要是電容均壓的問題吧，通常電容串聯(lián)的應(yīng)用會在電容上并電阻達到均壓的目的

無外置MOS的芯片也能安全無恙？

圖有點小錯誤很正常，看ADI，TI的芯片手冊也是如此，關(guān)鍵是及時修正手冊中的錯誤，哈哈

大哥分析的很到位  
對于PI  我雖然沒用過  但口碑目前還可以 

前級都是RCD吸收，同樣的輸入規(guī)格，為何有兩種不同的接法？

我剛開始接觸PI產(chǎn)品的時候 對PI也有很多看法 …… 但是，但從性能方面來說 無話可說

樓主  你的這些疑問  你是怎么看的呢？ 或者有什么建議嗎？

坐等大神們來分析

作為新入行的小白來說  起初是不知道PI是個什么東西的 是被論壇的管理員邀請參加活動  這才了解了一下  

期間有和同事一起討論他們的產(chǎn)品  各有利弊吧   不過價格確實小公司合作不起

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大佬硬剛原廠貼么

對，可它這個并沒有并聯(lián)電阻。而且，在原理圖中也不應(yīng)該出現(xiàn)這樣原理性的錯誤。

所以才有這個疑問。

對，我也很神奇這一點。

很可能是PI隱藏了一部分零件，只公布了簡單的，或者有明顯錯誤的原理圖，

至于這種用意是為何，那我就猜不透了，難道PI的技術(shù)有意坑自己的老板？

以前見過一個TI芯片的錯誤，從90年代錯到10年代，都停產(chǎn)了都沒修復(fù)過。

給技術(shù)支持咨詢的結(jié)果是：關(guān)于這個問題，通過技術(shù)咨詢我們可以給您最新的更改數(shù)據(jù)，但無法更新之前的文件，因為實在太丟臉了。哈哈哈哈

我也有點疑惑為何用不同的方法，但現(xiàn)在看來，各種方法應(yīng)該是不同工程師的經(jīng)驗和成果。

對我這樣的初學(xué)者來說是非常有學(xué)習意義的資料。

我也滿臉疑惑，所以才會來論壇求經(jīng)問道。嗯，期待高手的答案。

是想硬剛一下。估計是我頭破血流。

但也很值得，至少能學(xué)到一些東西。

RCD除了吸收輸入外，還有副邊的反射，應(yīng)該是不同的輸出所以有不同的電路配比。

有時候串并聯(lián)的分壓分流需要仔細計算，要不然會造成沒有實現(xiàn)分壓的目的。

樓主這個比較細心?？梢韵扔肞I的仿真軟件驗證下，在搭建實物測驗吧。設(shè)計的

這個看設(shè)計的應(yīng)用吧？PI的主控芯片還是性能出色，集成度比較高。

吸收器件的參數(shù)不好確定的，范圍比較寬。