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對于EMI的改善在電路設(shè)計的時候需要注意哪些了？PCB布板了？

RCD不同的組合方式，吸收效果還是有差異的，關(guān)鍵的元件選型依據(jù)哪些？

采用吸收電路則可以解決輻射騷擾度問題，通過不同的RCD組合可以進(jìn)一步降低輻射騷擾。

RCD電路在電源中能夠較大程度的吸收電阻，從而起到降低損耗的作用。

開關(guān)頻率越高，這些雜散電容和寄生電感更加不能夠忽略，從而帶來EMI問題。

在原邊反饋IC恒流方案中，RCD可以減少漏感在主開關(guān)上形成的電壓尖峰，減少EMI干擾。

變壓器的漏感是不可消除的，但可以通過合理的電路設(shè)計和繞制使之減小。

主要是由于MOSFET上的電壓和電流在開關(guān)時會快速變化，使輸出噪聲明顯增加，影響系統(tǒng)EMI特性。

RCD主要是保護(hù)芯片內(nèi)部的MOSFET管，避免異常高壓損壞芯片。

干擾有輻射干擾、傳導(dǎo)干擾，處理抑制方法不同，總體都是降低電磁干擾。

快速變化的電壓和電流與這些雜散電容和寄生電感相互作用，會導(dǎo)致電壓和電流出現(xiàn)尖峰。

設(shè)計和繞制是否合理，對漏感的影響是很明顯的。采用合理的方法，可將漏感控制在初級電感的2％左右。

設(shè)計時應(yīng)綜合變壓器磁芯的選擇和初級匝數(shù)的確定，盡量使初級繞組可緊密繞滿磁芯骨架一層或多層。

寄生電感和di/dt形成電壓尖峰，寄生電容和dv/dt形成電流尖峰。

制時繞線要盡量分布得緊湊、均勻，這樣線圈和磁路空間上更接近垂直關(guān)系，耦合效果更好。

在電路的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)增加電容、磁珠以及在MOSFET外接Cds、增大Rgon等

RCD電路中的RC取值不能夠過大或者過小，過大，會影響電源的效率。

這些都是降低MOSFET電壓尖峰和電流尖峰的有效措施，從而改善電路EMI性能。

所以在輸出功率大于2.5W的時候設(shè)計RCD吸收電路參數(shù)時，必須綜合考慮性能和效率等問題來選擇合適的 RC 參數(shù)。

MOSFET的選型有推薦和參考的？

可以更改有源鉗位這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，效率高。

有沒有提高器件EMI的有效方法

器件選型的注意事項(xiàng)有哪些

按照增加吸收電路的方法，在基于PI的TOPswitch系列電源芯片設(shè)計一個15W的ACDC電源時，在開關(guān)的漏極增加RCD吸收

可以考慮增加Y電容，y電容在EMI濾波電路中有兩個，一個連接零線和地線，一個連接火線和地線。

Y電容的容量一般都比較小，作用是消除共態(tài)噪音，也就是共模干擾

是否可以通過增加反接電阻來提高電路各項(xiàng)參數(shù)效率

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