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INN3165設(shè)計的25W充電器

    InnoSwitch3-CE 是集成了650 V MOSFET、同步整流、FluxLink反饋的離線反激式恒壓/恒流準諧振的開關(guān)電源集成電路，次級側(cè)提供輸出電壓、輸出電流，進而感測和驅(qū)動到提供同步整流的MOSFET，由于該產(chǎn)品兼具高集成度和卓越性能，所以表現(xiàn)出了很高的功率密度和效率特性，比較適合用來設(shè)計功率在65 W以內(nèi)的應用場合，也適合用來設(shè)計充電器。

InnoSwitch3-CE 實物圖：

    INN3165C是InnoSwitch3-CE 產(chǎn)品系列中具有絕緣、安全等級集成反饋的AC/DC集成電路，該產(chǎn)品擁有極其快速的瞬態(tài)響應，且與負載時序無關(guān)；它內(nèi)置了同步整流，以實現(xiàn)高效率。該產(chǎn)品輸入交流電壓范圍為85V-265V，滿載效率超過88%，最大輸出電流和最大輸出電壓分別為5A、5V，所以最大輸出功率可達25W，在實際應用中最好不要滿載使用，最好是其額定的70-80%。電源的實現(xiàn)主要包括主MOSFET，初級側(cè)控制器和次級側(cè)控制器，一般次級感應反饋系統(tǒng)上需要使用光電耦合器，該集成電路所采用的二級側(cè)控制器內(nèi)置了同步整流和Fluxlink技術(shù)，無需使用光電耦合器。此外空載輸入功率小于35 mW，線路輸入小于20 mW，且受變壓器變化影響比較小。

電路板性能指標：

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2022-07-13 12:36

這類電源無需散熱片，電源設(shè)計更小、更輕便，體積更小型化。

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2022-07-13 12:37

5V的充電器都需要有電纜壓降補償功能，電纜壓降補償是減少總充電時間的關(guān)鍵要求。

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tabing_dt
LV.10
4
2022-07-13 12:50
@眼睛里的海
這類電源無需散熱片，電源設(shè)計更小、更輕便，體積更小型化。

不用散熱片的話，就要想辦法降低損耗，提高效率了，InnoSwitch3效率都比較高，有的都可以做到90%以上的效率。

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tabing_dt
LV.10
5
2022-07-13 12:50

具有多種設(shè)定的纜線壓降補償，滿足不同的額充電器應用場合。

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ehi763
LV.6
6
2022-07-14 14:00
@tabing_dt
具有多種設(shè)定的纜線壓降補償，滿足不同的額充電器應用場合。

該產(chǎn)品系列將初級和次級控制器以及符合安全標準的反饋機制集成到了單個集成電路中。

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ehi763
LV.6
7
2022-07-14 14:01
@眼睛里的海
5V的充電器都需要有電纜壓降補償功能，電纜壓降補償是減少總充電時間的關(guān)鍵要求。

主要是當電源的額定功率越高，充電線有線損，導致電池終端電壓很低，電池可能充不飽的現(xiàn)象或者很慢。

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tabing_dt
LV.10
8
2022-07-18 13:03
@ehi763
該產(chǎn)品系列將初級和次級控制器以及符合安全標準的反饋機制集成到了單個集成電路中。

還集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷.

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tabing_dt
LV.10
9
2022-07-18 13:03

IC的內(nèi)部有個基準電壓為1.266 V，閾值約為33 mV，這個閾值來檢測負載情況來減少損耗。

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2022-07-18 13:15
@tabing_dt
不用散熱片的話，就要想辦法降低損耗，提高效率了，InnoSwitch3效率都比較高，有的都可以做到90%以上的效率。

為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低開關(guān)損耗，芯片可在初級開關(guān)的電壓接近其最小電壓時強制進行開關(guān)。

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2022-07-18 13:15
@tabing_dt
IC的內(nèi)部有個基準電壓為1.266V，閾值約為33mV，這個閾值來檢測負載情況來減少損耗。

一旦超過這些電阻上的電流檢測閾值，器件就會調(diào)整開關(guān)脈沖的數(shù)量，以保持固定的輸出電流。

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tabing_dt
LV.10
12
2022-07-19 12:54
@眼睛里的海
為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低開關(guān)損耗，芯片可在初級開關(guān)的電壓接近其最小電壓時強制進行開關(guān)。

這種工作模式不會檢測初級側(cè)的勵磁振蕩波谷的位置，而是使用正激引腳的峰值電壓來選通次級請求。

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tabing_dt
LV.10
13
2022-07-19 12:55
@ehi763
主要是當電源的額定功率越高，充電線有線損，導致電池終端電壓很低，電池可能充不飽的現(xiàn)象或者很慢。

因此有必要根據(jù)負載電流的壓降比，對充電器進行輸出電壓補償來加快充電。

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2022-07-19 13:01
@tabing_dt
還集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷.

輸出電流采用外部檢測的方式，可提供精確的恒流/恒壓調(diào)整率，從而提高設(shè)計靈活性。

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cmdz002
LV.5
15
2022-07-22 20:47

 INN3165C-H101-TL是一款I(lǐng)nnoSwitch™-CE系列CV/CC反激式轉(zhuǎn)換芯片。該器件集成650V MOSFET同步整流, FluxLink™反饋CV和CC可達65W。

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2022-07-23 13:51

效率最好有90%嗎

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聽聽1234
LV.5
17
2022-07-23 20:49

InnoSwitch3-CE 是集成了650 V MOSFET、同步整流、FluxLink反饋的離線反激式恒壓/恒流準諧振的開關(guān)電源集成電路，

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cwm4610
LV.6
18
2022-07-25 13:38

方案是好的，但是實際制作的過程中需要注意的地方很多很多

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Fourier
LV.1
19
2022-07-26 19:57
@眼睛里的海
這類電源無需散熱片，電源設(shè)計更小、更輕便，體積更小型化。

無需散熱，會不會導致充電器工作的時候溫度過高，發(fā)燙

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hellbaron
LV.6
20
2022-07-27 13:49

這芯片得多少錢一個，挺貴的吧

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cwm4610
LV.6
21
2022-08-24 11:38

無需散熱片，電源設(shè)計更小、更輕便，體積更小型化。這是優(yōu)勢！

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紫蝶
LV.9
22
2022-09-24 18:49

樓主這個電路設(shè)計有電源原理圖嗎？參考學習下，最近做類似的設(shè)計。

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紫蝶
LV.9
23
2022-09-24 18:50

25w的功率輸出，5V電壓150mV的紋波是不是有點大了？這個系列的設(shè)計應該沒這么大吧？

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2022-10-26 13:56

二級側(cè)控制器內(nèi)置了同步整流和Fluxlink技術(shù)無需使用光電耦合器，節(jié)省了外部光耦

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tabing_dt
LV.10
25
2023-02-09 20:23
@名字不好取
效率最好有90%嗎

為有更的高效率，在次級側(cè)采用同步整流驅(qū)動，以功率MOSFET取代二級管，減低導通時間,減少損耗，電源可工作在DCM-CCM間平滑切換。

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opingss88
LV.10
26
2023-04-20 20:18
@ehi763
主要是當電源的額定功率越高，充電線有線損，導致電池終端電壓很低，電池可能充不飽的現(xiàn)象或者很慢。

選擇磁芯時要綜合考慮繞線面積、磁芯截面積及磁芯表面積與體積的比例

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spowergg
LV.10
27
2023-04-25 20:07
@opingss88
選擇磁芯時要綜合考慮繞線面積、磁芯截面積及磁芯表面積與體積的比例

當設(shè)計應用需要較小的磁心截面積時,可以選用BPD型的磁心產(chǎn)品。

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xxbw6868
LV.10
28
2023-04-25 20:33
@spowergg
當設(shè)計應用需要較小的磁心截面積時,可以選用BPD型的磁心產(chǎn)品。

漏磁和漏感與磁芯結(jié)構(gòu)有直接關(guān)系.如果磁芯不需要氣隙,則盡可能采用封閉的環(huán)形和方框型結(jié)構(gòu)磁芯。

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紫蝶
LV.9
29
2023-05-15 11:31
@tabing_dt
具有多種設(shè)定的纜線壓降補償，滿足不同的額充電器應用場合。

PI所用的是次級側(cè)的控制器同時控制三個開關(guān)，從而做到精準的控制，實現(xiàn)效率最大化的設(shè)計

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opingss88
LV.10
30
2023-10-11 22:43
@tabing_dt
還集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷.

初級功率MOSFET的次級側(cè)控制可避免兩個MOSFET發(fā)生任何交越導通

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黑夜公爵
LV.10
31
2023-12-14 21:28

額外握手協(xié)議可以在次級側(cè)檢測到初級側(cè)提供多于所要求周期的情況下被調(diào)用

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