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使用低內(nèi)阻的ku MOS EMI傳導(dǎo)輻射變差

請教大家一個問題,同一個電源使用普通的平面MOS傳導(dǎo)輻射基本上都OK,更換為低導(dǎo)通內(nèi)阻的kuMOS后測試EMI傳導(dǎo)余量很小,輻射測試超標(biāo);

問題:kuMOS結(jié)電容小更容易驅(qū)動,是因為驅(qū)動更容易,導(dǎo)致mos開關(guān)速度更加的快速mos在線性區(qū)域的時間更小,開關(guān)變得更加的硬,導(dǎo)致動量成倍增加,這些干擾信號通過某個導(dǎo)線或者某個元件發(fā)射出去造成EMI測試中輻射超標(biāo)。(我是這樣想的不知道對不對,請大家多多指教)。

有沒有比較好的辦法去解決這個問題,在溫度與EMI之間找到平衡點。

使用低內(nèi)阻的mos主要是解決溫度的問題;電源整體效率也會提高。

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陳仁軍
LV.8
2
2022-07-04 10:50

DS腳之間增加一個幾十PF到100PF的小電容

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hl1314mwf
LV.3
3
2022-07-04 17:28

基本沒錯,MOS結(jié)電容小了  開關(guān)速率會變快   dV/dt di/dt均會變大 傳導(dǎo)和輻射出來的能量就會變大;找到滿足各方面設(shè)計指標(biāo)的平衡點即可,不能單獨追求某一個指標(biāo)

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這是一個死命題,平面MOS和Coolmos的差異就在這里,同等面積大小的晶圓:Planner MOS擁有較大的CISS和EAS能力,但是內(nèi)阻會偏大,好處是EMC效果好,抗沖擊能力強(qiáng),缺點就是導(dǎo)通損耗過高,產(chǎn)品效率低;Coolmos可以擁有較小Rdson和Ciss,優(yōu)點是導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗都會變小,效率較高,但就是由于Ciss變小,使dv/dt和di/dt加大,導(dǎo)致產(chǎn)品EMC難過,尤其是對輻射影響較大,所以這個在設(shè)計之初就要做考量和平衡。

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