請教大家一個問題,同一個電源使用普通的平面MOS傳導(dǎo)輻射基本上都OK,更換為低導(dǎo)通內(nèi)阻的kuMOS后測試EMI傳導(dǎo)余量很小,輻射測試超標(biāo);
問題:kuMOS結(jié)電容小更容易驅(qū)動,是因為驅(qū)動更容易,導(dǎo)致mos開關(guān)速度更加的快速mos在線性區(qū)域的時間更小,開關(guān)變得更加的硬,導(dǎo)致動量成倍增加,這些干擾信號通過某個導(dǎo)線或者某個元件發(fā)射出去造成EMI測試中輻射超標(biāo)。(我是這樣想的不知道對不對,請大家多多指教)。
有沒有比較好的辦法去解決這個問題,在溫度與EMI之間找到平衡點。
使用低內(nèi)阻的mos主要是解決溫度的問題;電源整體效率也會提高。