請教大家一個問題，同一個電源使用普通的平面MOS傳導(dǎo)輻射基本上都OK，更換為低導(dǎo)通內(nèi)阻的kuMOS后測試EMI傳導(dǎo)余量很小，輻射測試超標(biāo)；
問題：kuMOS結(jié)電容小更容易驅(qū)動，是因為驅(qū)動更容易，導(dǎo)致mos開關(guān)速度更加的快速mos在線性區(qū)域的時間更小，開關(guān)變得更加的硬，導(dǎo)致動量成倍增加，這些干擾信號通過某個導(dǎo)線或者某個元件發(fā)射出去造成EMI測試中輻射超標(biāo)。（我是這樣想的不知道對不對，請大家多多指教）。
有沒有比較好的辦法去解決這個問題，在溫度與EMI之間找到平衡點。
使用低內(nèi)阻的mos主要是解決溫度的問題；電源整體效率也會提高。
