Infineon IGBT4 最高結(jié)溫達(dá)到175℃,提高了25℃;1200V的芯片飽和壓降是1.7V.另外,IGBT4芯片和其反并聯(lián)續(xù)流二極管芯片,按高、中、低三個(gè)功率段的應(yīng)用特點(diǎn)分別在開關(guān)損耗、通態(tài)損耗、開關(guān)軟特性方案(EMI)方面進(jìn)一步優(yōu)化.

基于上述優(yōu)點(diǎn),給用戶帶來(lái)如下好處:
若設(shè)計(jì)與IGBT3工作在相同結(jié)溫,IGBT4的功率循環(huán)周次(PC)提高5倍;
IGBT4的工作結(jié)溫提高25℃,其輸出電流能力提高20%;
縮小散熱器的體積,實(shí)現(xiàn)小型化,降低系統(tǒng)成本.

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價(jià)格很有殺傷力,交貨現(xiàn)在穩(wěn)定了嗎?

西門康現(xiàn)在也在推.后綴為T4的用在變頻器行業(yè)