IRF3205單邊發(fā)熱
現(xiàn)在新做個(gè)板帶300W發(fā)現(xiàn)單邊場(chǎng)管發(fā)熱,同樣的元件,實(shí)驗(yàn)時(shí)帶300W兩邊都不燙,實(shí)驗(yàn)時(shí)用6對(duì)管,現(xiàn)在用2對(duì)管,想用IGBT輸出,只是實(shí)驗(yàn).
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@有一
最后,問(wèn)題解決了,原來(lái)IRF3205控制極不能并在一起,每只管的控制極要獨(dú)立串一電阻,這樣才不單邊發(fā)熱.還有我的IGBT輸出成功,這樣比起可控硅輸出節(jié)能.因?yàn)椴焕速M(fèi)能量在關(guān)斷電感上.不過(guò)沒(méi)有了脈沖尖峰.但效果還是不錯(cuò).帶感性負(fù)載時(shí)輸出端要并個(gè)高耐壓小容量的電容,防止串入自感電壓擊穿IGBT,最后IGBT控制電壓一定要穩(wěn)定.不要超壓.
呵呵!本來(lái)MOS的柵極串聯(lián)電阻是為了防止多管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)參數(shù)不一致導(dǎo)致部分管發(fā)熱及燒毀,你倒好--共電阻.對(duì)你的IGBT后級(jí)很有興趣,不仿發(fā)上來(lái)我們看看?和你一樣對(duì)可控硅有很深的偏見(jiàn),---即不能發(fā)揮前級(jí)效率,關(guān)斷電路消耗也大.
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@11455355
呵呵!本來(lái)MOS的柵極串聯(lián)電阻是為了防止多管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)參數(shù)不一致導(dǎo)致部分管發(fā)熱及燒毀,你倒好--共電阻.對(duì)你的IGBT后級(jí)很有興趣,不仿發(fā)上來(lái)我們看看?和你一樣對(duì)可控硅有很深的偏見(jiàn),---即不能發(fā)揮前級(jí)效率,關(guān)斷電路消耗也大.
上面的就是原理圖,圖中IGBT的驅(qū)動(dòng)電路有點(diǎn)問(wèn)題,驅(qū)動(dòng)部分元件的功率要加大,不要用9013,9013的集電極電阻要調(diào)大些,要按照你的輸出電壓的高低相應(yīng)計(jì)算出驅(qū)動(dòng)電路的功率,防止燒毀驅(qū)動(dòng)部分.一旦驅(qū)動(dòng)部分燒毀,IGBT很可能會(huì)燒掉,所以做IGBT輸出的一定要搞好驅(qū)動(dòng)部分,包括它的驅(qū)動(dòng)電壓一定要穩(wěn)住.我這電路驅(qū)動(dòng)電壓穩(wěn)住在18V.輸出帶300W過(guò)了幾分鐘時(shí)IGBT只是微熱.
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@有一
最后,問(wèn)題解決了,原來(lái)IRF3205控制極不能并在一起,每只管的控制極要獨(dú)立串一電阻,這樣才不單邊發(fā)熱.還有我的IGBT輸出成功,這樣比起可控硅輸出節(jié)能.因?yàn)椴焕速M(fèi)能量在關(guān)斷電感上.不過(guò)沒(méi)有了脈沖尖峰.但效果還是不錯(cuò).帶感性負(fù)載時(shí)輸出端要并個(gè)高耐壓小容量的電容,防止串入自感電壓擊穿IGBT,最后IGBT控制電壓一定要穩(wěn)定.不要超壓.
有一 xiong,請(qǐng)問(wèn)你G極驅(qū)動(dòng)怎么做的,就是穩(wěn)壓怎么做的,能否把圖發(fā)上來(lái)看看,我的是這樣子的, 3559991258683596.pdf
irf3205上電吱吱叫,然后很燙,然后壞掉啊
irf3205上電吱吱叫,然后很燙,然后壞掉啊
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