Mosfet并聯(lián)驅(qū)動(dòng)

Mosfet并聯(lián)驅(qū)動(dòng)
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yhy1224

LV.6

2003-12-11 12:51

并4--8只!
1071118266.sch

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LV.1

2003-12-12 09:22

@yhy1224

并4--8只!1071118266.sch

感謝
MOSFET并聯(lián)關(guān)鍵是不能同時(shí)導(dǎo)通,控制比較困難,請(qǐng)問在這方面你有經(jīng)驗(yàn)嗎,是否可以和你交流.

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yhy1224

LV.6

2003-12-12 12:49

感謝MOSFET并聯(lián)關(guān)鍵是不能同時(shí)導(dǎo)通,控制比較困難,請(qǐng)問在這方面你有經(jīng)驗(yàn)嗎,是否可以和你交流.

歡迎交流!
013702383795--俞

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LV.1

2003-12-14 11:35

@yhy1224

歡迎交流!013702383795--俞

交流
用手機(jī)交流太奢侈了吧,我的EMAIL:zhangjp@powermaxtech.com

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xing_xf

LV.7

2003-12-14 16:17

@yhy1224

并4--8只!1071118266.sch

我覺得mosfet的并聯(lián)不成問題,只要驅(qū)動(dòng)電流夠
驅(qū)動(dòng)差的導(dǎo)通電阻大,電流將主要從導(dǎo)通差的mosfet流走,起到自動(dòng)均橫的作用.

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annd

LV.5

2003-12-16 19:11

個(gè)人觀點(diǎn)
分場(chǎng)合,比如低電壓硬開關(guān)場(chǎng)合適宜多并,LC諧振軟開關(guān)也較適宜多并,高電壓硬開關(guān)場(chǎng)搞產(chǎn)品最好不并,應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)情況十分復(fù)雜,就算你設(shè)計(jì),生產(chǎn)都做的非常優(yōu)秀,久而久之怕生變,它們的空間分布、驅(qū)動(dòng)、生產(chǎn)都易出毛病,我只二只并過,這里面問題太多,話題也在長(zhǎng)了.

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196

LV.4

2003-12-17 16:09

@annd

個(gè)人觀點(diǎn)分場(chǎng)合,比如低電壓硬開關(guān)場(chǎng)合適宜多并,LC諧振軟開關(guān)也較適宜多并,高電壓硬開關(guān)場(chǎng)搞產(chǎn)品最好不并,應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)情況十分復(fù)雜,就算你設(shè)計(jì),生產(chǎn)都做的非常優(yōu)秀,久而久之怕生變,它們的空間分布、驅(qū)動(dòng)、生產(chǎn)都易出毛病,我只二只并過,這里面問題太多,話題也在長(zhǎng)了.

贊成觀點(diǎn)
MOS 并聯(lián)越多他的利用率就越低 4個(gè)管子大概90% 8個(gè)管子大概就75%,而且并聯(lián)對(duì)驅(qū)動(dòng)功率要求高.

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zero_lee

LV.5

2003-12-17 17:54

@annd

個(gè)人觀點(diǎn)分場(chǎng)合,比如低電壓硬開關(guān)場(chǎng)合適宜多并,LC諧振軟開關(guān)也較適宜多并,高電壓硬開關(guān)場(chǎng)搞產(chǎn)品最好不并,應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)情況十分復(fù)雜,就算你設(shè)計(jì),生產(chǎn)都做的非常優(yōu)秀,久而久之怕生變,它們的空間分布、驅(qū)動(dòng)、生產(chǎn)都易出毛病,我只二只并過,這里面問題太多,話題也在長(zhǎng)了.

如果非要並到4個(gè),怎樣才能提高利用率
?

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yhy1224

LV.6

2003-12-17 20:20

@zero_lee

如果非要並到4個(gè),怎樣才能提高利用率?

我的圖都貼在上面好久了!
并8只用于6KW的PFC效率.0.97.請(qǐng)大家看看,!!

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196

LV.4

2003-12-18 10:13

@zero_lee

如果非要並到4個(gè),怎樣才能提高利用率?

那就選一致性非常好的MOS
....

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zero_lee

LV.5

2003-12-18 11:34

@196

那就選一致性非常好的MOS....

也就是Rd(on)比較小的MOSFET,對(duì)吧
Rd(on)分佈不很集中會(huì)不會(huì)有影響?

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196

LV.4

2003-12-18 12:10

@zero_lee

也就是Rd(on)比較小的MOSFET,對(duì)吧Rd(on)分佈不很集中會(huì)不會(huì)有影響?

就是節(jié)電容 RON 放大倍數(shù)
并聯(lián)的MOS分布一定要集中步線也很講究特別在高頻大電流的時(shí)候盡量減小每個(gè)管子的導(dǎo)線壓降很分布電感

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annd

LV.5

2003-12-18 15:13

@196

贊成觀點(diǎn)MOS并聯(lián)越多他的利用率就越低4個(gè)管子大概90%8個(gè)管子大概就75%,而且并聯(lián)對(duì)驅(qū)動(dòng)功率要求高.

我的看法
諸位我不一一回答了.
里面問題多得去,前2天有一幅帖講到米勒電容,其實(shí)米勒電容充放的危害在并聯(lián)中是不可不考慮的,1/2C*V*V能量泄放的速度之快,泄放的回路在哪里?并的多電壓高能量就大,且不談電阻誤差、分布參數(shù)、回路電流初始值等等因素的影響,就MOSFET的開通、關(guān)斷電壓閥值一樣嗎?不可能理想,同型號(hào)不同廠家參數(shù)有差異,使用一段時(shí)間多少會(huì)發(fā)生變化,這是不好預(yù)測(cè)的,說道底并很難解決硬開關(guān)應(yīng)力一至的問題.當(dāng)然,我只講了一個(gè)問題.
你硬要4只、10只并,也不是不行,利弊的問題,我見過12只并的硬開關(guān)橋電源,輸出指標(biāo)不敢恭維,并必然影響指標(biāo),指標(biāo)是電源門檻.總之并麻煩多多,我的原則:已知山有虎,何不繞道行?

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尹工

LV.5

2004-01-15 01:51

@yhy1224

并4--8只!1071118266.sch

前輩:總算找到您的這張圖了!...
請(qǐng)問:
1:您的主控電路對(duì)3854的典型應(yīng)用電路做了哪些改進(jìn)?可否教導(dǎo)一二?
2:圖中主整流橋幾乎是與小整流橋(CR11)的負(fù)端相并聯(lián),那么R25(10R)及CR11的負(fù)端兩橋臂是否會(huì)承受很大的功耗?
3:主控板接口的第1及第2腳是做什么用的?
4:圖中的“J6”是接到哪里去的?
謝謝!

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861309

LV.5

2004-01-15 19:17

@zero_lee

如果非要並到4個(gè),怎樣才能提高利用率?

在每個(gè)FET的源極分別串很小的平衡電阻如何?
·

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tinyhe

LV.6

2004-01-17 09:24

@861309

在每個(gè)FET的源極分別串很小的平衡電阻如何?·

考慮米勒效應(yīng)
每個(gè)mosfet應(yīng)分別添加?xùn)艠O電阻和柵極放電電阻

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861309

LV.5

2004-01-17 21:27

@tinyhe

考慮米勒效應(yīng)每個(gè)mosfet應(yīng)分別添加?xùn)艠O電阻和柵極放電電阻

理論上,這樣能完全匹配每個(gè)FET的特性.然而實(shí)際上這是很難操作的:
要準(zhǔn)確確定添加的電阻的值困難而且繁瑣.再者,電路布局和布線亦影響電阻的取值.
其實(shí),我認(rèn)為只有在線性應(yīng)用時(shí)才需要考慮米勒效應(yīng)的差異,如功放電路.開關(guān)應(yīng)用時(shí),如驅(qū)動(dòng)夠快,導(dǎo)通的先后稍有差異并不影響工作:馬上就都全部導(dǎo)通了.何況,很多時(shí)候初始開通電流總是較小,而后逐漸增大的(反激型).當(dāng)然如驅(qū)動(dòng)不夠快,FET損耗以開關(guān)損耗為主時(shí)就要注意了.
Ron的差異才是主要影響平衡的因素,這可通過串聯(lián)電阻補(bǔ)償:但精確補(bǔ)償將面臨上面述及的困難;通過串聯(lián)比Ron大10倍的電阻又失去意義.較為可行的方法是每個(gè)FET單獨(dú)構(gòu)成完整的buck拓?fù)?或其他拓?fù)?,再并聯(lián).這樣解決了很多問題,就是電路稍為復(fù)雜,成本可能稍為增加.

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