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如何降低功率MOS的開關(guān)損耗

現(xiàn)在在做一款1000W的開關(guān)電源,方案為PFC＝IR1150S L＝560uH DC-DC＝ISL6752 變壓器初級(jí)電感5mH,Power MOS=IRFP460  Power MOS drive＝IR2110,G極驅(qū)動(dòng)電阻4.7ohm.
當(dāng)開關(guān)頻率為100K時(shí),Power MOS的開關(guān)損耗非常大,PFC級(jí)30W,全橋DC-DC級(jí)60W.
現(xiàn)在出現(xiàn)一個(gè)問題急需高手指點(diǎn)!
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kenny-qin
LV.1
2
2008-10-06 09:16
怎么沒有人回應(yīng)?大俠都去云游了嗎?
0
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nc965
LV.6
3
2009-02-01 16:52
你這個(gè)8錯(cuò)了,整體損耗才90W,效率過90%了
0
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log1
LV.8
4
2009-02-06 11:35
最簡單的方法,換用COOLMOS吧,比如INFINEON的SPW32N50C3,估計(jì)損耗可以立即下降1/4強(qiáng).
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晶熔鐵
LV.7
5
2009-02-27 22:57
@log1
最簡單的方法,換用COOLMOS吧,比如INFINEON的SPW32N50C3,估計(jì)損耗可以立即下降1/4強(qiáng).
MOS管損耗大怎么不查G極波形\PCB布線\以及副邊超快RC補(bǔ)償?shù)?
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lxsg
LV.2
6
2009-07-06 16:45
@log1
最簡單的方法,換用COOLMOS吧,比如INFINEON的SPW32N50C3,估計(jì)損耗可以立即下降1/4強(qiáng).
英飛凌的產(chǎn)品看起來很誘人哦,不過我想知道IR2110是否也引入了損耗,他的開關(guān)頻率是不是低了?
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