驅動能力不夠 驅動電阻太大了5V驅動電壓太低了

驅動不足，5V降到3V多，是因為MOS的GS結電容在充電，結電容充滿電驅動電壓回升到5V。驅動端輸出電流小，柵極電阻過大。這兩點需要改善。

我現(xiàn)在改成了圖騰柱驅動了，從3V回到5V的時間變短了，還有什么辦法可以改善嗎？其實我現(xiàn)在主要的問題是堵轉的時候MOS管會燒，請問跟這個有關系嗎？

有一定關系，5V驅動電壓本身比較低，常規(guī)的MOS驅動電壓最高±20V，驅動電壓通常選12--18V。你用5V驅動電壓需要選用低柵壓MOS才能飽和導通，如果管子不能飽和，很容易過流過熱燒壞。

不知道清楚你這個MOS管的型號，普通的功率MOS開啟電壓在3.5V左右，信號上用的話也在2V左右。通常情況驅動電壓在12、15V這個樣子，門極電壓太低，電阻大的話驅動能力肯定跟不上，電壓會被拉低，待電容電充上來之后才會恢復到VCC。一點疑惑？電阻R26應該是采樣，g極VCC電壓是相對s極，這個電路門極相對于VSS作為地，驅動回路中包含了采樣電壓部分。

把R13，51R取小試試呢

這是米勒效應，加大驅動力可以改善