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采用INN3368C設(shè)計的45W快充

     InnoSwitch3-Pro系列芯片內(nèi)置SenseFET無損檢測電路，相比傳統(tǒng)分立器件的原邊檢測能夠降低損耗，提升效率。同時為了讓每個器件達到最佳的性能，該芯片還集成了FluxLink技術(shù)，可以實現(xiàn)初級和次級的實時通信。通過次級控制器控制原邊的開關(guān)，最大程度的控制同步整流MOS導(dǎo)通時間，實現(xiàn)最高效率。 

   INN3368C可以設(shè)定恒壓、恒流、恒功率輸出。設(shè)計者可以通過靈活的I2C接口可對輸出電壓、電流進行精確的動態(tài)控制，以滿足不同設(shè)備的供電需求。此快充方案搭配VP302實現(xiàn)的快充，輸入電壓85-264 VAC，可配置輸出5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/2.25 A或3.3V–16V PPS 輸出。效率高達到88%以上，由于輸入電壓85-264 VAC，比較適用于手機等移動設(shè)備的快充設(shè)計.整個參考設(shè)計之所以能實現(xiàn)如此精簡的外圍電路，主要歸功于InnoSwitch3-Pro芯片的應(yīng)用。

此45W快充方案，針對5 V/3 A ，9 V/3 A，15 V/3 A，20 V/2.25 A不同輸出的效率曲線下圖所示，最高效率可以達到92%以上。

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2022-03-08 18:12

InnoSwitch3-Pro設(shè)計的快充方案，由于其高度集成，因而整體方案的元件數(shù)目很少。

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2022-03-08 18:12

通常情況下，為了達到減小充電器體積的目的，可以提高開關(guān)頻率縮小變壓器的尺寸。

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tabing_dt
LV.10
4
2022-03-08 18:13

該芯片內(nèi)部集成了PWM主控芯片、650V功率器件、同步整流控制器等大部分主要功能。

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tabing_dt
LV.10
5
2022-03-08 18:14
@眼睛里的海
InnoSwitch3-Pro設(shè)計的快充方案，由于其高度集成，因而整體方案的元件數(shù)目很少。

效率高，采用的變頻技術(shù)可在整個負載范圍內(nèi)始終保持高效率，更高的效率則意味著更低的損耗。

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2022-03-09 18:00
@tabing_dt
該芯片內(nèi)部集成了PWM主控芯片、650V功率器件、同步整流控制器等大部分主要功能。

這樣工程師在應(yīng)用過程中只需要搭配一些必要的被動元器件和協(xié)議芯片，即可完成高性能快充產(chǎn)品的設(shè)計，節(jié)約開發(fā)成本。

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xxbw6868
LV.10
7
2022-03-10 16:29
@眼睛里的海
這樣工程師在應(yīng)用過程中只需要搭配一些必要的被動元器件和協(xié)議芯片，即可完成高性能快充產(chǎn)品的設(shè)計，節(jié)約開發(fā)成本。

對于小功率30W以內(nèi)的小功率PD快充而言，可以選用內(nèi)置MOS芯片，兼顧性能和成本。

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tabing_dt
LV.10
8
2022-03-11 16:41
@xxbw6868
對于小功率30W以內(nèi)的小功率PD快充而言，可以選用內(nèi)置MOS芯片，兼顧性能和成本。

而對于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN芯片。比如INN3379

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tabing_dt
LV.10
9
2022-03-11 16:42
@眼睛里的海
通常情況下，為了達到減小充電器體積的目的，可以提高開關(guān)頻率縮小變壓器的尺寸。

不過開關(guān)頻率的提升通常需要重新設(shè)計磁性元件，并且會出現(xiàn)驅(qū)動難調(diào)、EMI難調(diào)、電路布局不好處理等問題。

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2022-03-11 16:47
@tabing_dt
效率高，采用的變頻技術(shù)可在整個負載范圍內(nèi)始終保持高效率，更高的效率則意味著更低的損耗。

InnoSwitch3-Pro的I2C接口控制輸出電壓電流，和芯片的保護功能?？纱蠓鶞p少元件數(shù)。

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2022-03-11 16:48
@tabing_dt
而對于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN芯片。比如INN3379

INN3379集成了750V氮化鎵（GaN）開關(guān)，這可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗,輸出功率更大。

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tabing_dt
LV.10
12
2022-03-12 12:44
@眼睛里的海
InnoSwitch3-Pro的I2C接口控制輸出電壓電流，和芯片的保護功能?？纱蠓鶞p少元件數(shù)。

其中電壓階躍步長為10 mV，電流階躍步長為50 mA，并且提供其他可動態(tài)設(shè)定的保護功能。

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tabing_dt
LV.10
13
2022-03-12 12:45
@眼睛里的海
INN3379集成了750V氮化鎵（GaN）開關(guān)，這可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗,輸出功率更大。

降低開關(guān)損耗，就是提高效率，INN3368采用體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。

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2022-03-12 12:57
@tabing_dt
其中電壓階躍步長為10mV，電流階躍步長為50mA，并且提供其他可動態(tài)設(shè)定的保護功能。

其中集成了3.6 V電源，用于為外部微控制器(MCU)供電，可以用MCU實現(xiàn)控制相應(yīng)的功能。

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2022-03-12 12:57
@tabing_dt
不過開關(guān)頻率的提升通常需要重新設(shè)計磁性元件，并且會出現(xiàn)驅(qū)動難調(diào)、EMI難調(diào)、電路布局不好處理等問題。

InnoSwitch3的恒壓、恒流及恒功率定特性，可編程特性能夠很好的解決這些問題。

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2022-03-13 18:09

FluxLink技術(shù)原理是什么，如何實現(xiàn)初級和次級的實時通信的？

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2022-03-19 18:07

芯片內(nèi)置SenseFET無損檢測電路，相比傳統(tǒng)分立器件的原邊檢測能夠降低損耗

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2022-03-30 11:21

三星的S22隨機附送的電源，好像就是這個方案

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小燕紙
LV.5
19
2022-04-28 09:54

通過次級控制器控制原邊的開關(guān)可以最大程度的控制同步整流MOS導(dǎo)通時間

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紫蝶
LV.9
20
2022-10-08 13:55

電源的輸出功率支持的更大，性能出色，待機功耗很小。

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紫蝶
LV.9
21
2022-10-08 13:55

PI的該系列芯片可以大廠進行定制型號及功能，使用更加便捷。

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紫蝶
LV.9
22
2022-10-08 13:56
@眼睛里的海
INN3379集成了750V氮化鎵（GaN）開關(guān)，這可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗,輸出功率更大。

INN3368芯片內(nèi)部集成的氮化鎵技術(shù)有效提升了產(chǎn)品的應(yīng)用范圍，支持的工況更加復(fù)雜，且高效率。

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opingss88
LV.10
23
2022-11-20 22:34
@xxbw6868
對于小功率30W以內(nèi)的小功率PD快充而言，可以選用內(nèi)置MOS芯片，兼顧性能和成本。

處于VOUT和次級接地引腳之間的外部電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)的中點連接至反饋引腳，以調(diào)整輸出電壓

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黑夜公爵
LV.10
24
2022-12-08 21:58
@tabing_dt
而對于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN芯片。比如INN3379

鉗位電路均是為了吸收漏感的能量以降低主開關(guān)管的電壓應(yīng)力

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紫蝶
LV.9
25
2022-12-16 09:40
@眼睛里的海
InnoSwitch3-Pro的I2C接口控制輸出電壓電流，和芯片的保護功能?？纱蠓鶞p少元件數(shù)。

這個快充設(shè)計方案需要搭配快充協(xié)議芯片來實現(xiàn)，滿足不同終端負載的應(yīng)用。

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tmpeger
LV.10
26
2023-01-13 22:00
@tabing_dt
不過開關(guān)頻率的提升通常需要重新設(shè)計磁性元件，并且會出現(xiàn)驅(qū)動難調(diào)、EMI難調(diào)、電路布局不好處理等問題。

由于電路中存在雜散電感和雜散電容，在功率開關(guān)管關(guān)斷時，電路中也會出現(xiàn)過電壓并且產(chǎn)生振蕩

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黑夜公爵
LV.10
27
2023-02-09 21:03
@xxbw6868
對于小功率30W以內(nèi)的小功率PD快充而言，可以選用內(nèi)置MOS芯片，兼顧性能和成本。

減少等效感抗即減少了相同電流情況下該感抗的儲能，也就減少了震蕩的幅值

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xxbw6868
LV.10
28
2023-02-11 21:17
@tmpeger
由于電路中存在雜散電感和雜散電容，在功率開關(guān)管關(guān)斷時，電路中也會出現(xiàn)過電壓并且產(chǎn)生振蕩

如果尖峰電壓過高，就會損壞開關(guān)管。同時，振蕩的存在也會使輸出紋波增大，所以要加吸收電路。

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opingss88
LV.10
29
2023-02-14 21:41
@tabing_dt
不過開關(guān)頻率的提升通常需要重新設(shè)計磁性元件，并且會出現(xiàn)驅(qū)動難調(diào)、EMI難調(diào)、電路布局不好處理等問題。

由于線性預(yù)測時序控制和因果時序功能有可能無法保證安全運行，應(yīng)該使用一些保護功能

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cmdz002
LV.5
30
2023-10-26 21:09

在任何輸入電壓及負載條件下均可提供94%的高效性能，將電源損耗大幅降低25%，并且可以設(shè)計出無散熱片的緊湊型65 W電源，內(nèi)置650V MOSFET，額定電壓達725V。InnoSwitch3器件適合對能耗、外形尺寸或熱約束提出嚴苛要求的電源，特別是那些必須符合強制性總能耗(TEC)標準的電源，現(xiàn)廣泛應(yīng)用于：SB-PD及PPS/QC，適配器，電動工具，家電，IOT，工業(yè)控制，電機控制，儀表電表等。

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tmpeger
LV.10
31
2024-01-08 22:57

通常與高歐姆電阻串聯(lián)使用，其中的導(dǎo)通電阻在總串聯(lián)電阻中只占很小的比例

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