100W內(nèi)小功率電源中，反激架構(gòu)應(yīng)用最為廣泛，也是最符合成本要求的。
對于65W內(nèi)的適配器，PF只需要0.5，所以無需功率因素校正電路。
正激，LCC成本和空間利用率比較低。
手機快充及一些常規(guī)超極本，充電功率基本在65W左右，比如我用的K40游戲手機充電充電器功率67W，工作電腦戴爾靈越5488，充電器功率65W。接口都統(tǒng)一了type C
目前市場上PD快充非常火熱，加之用戶對快充頭體積要求越來越高，使得研發(fā)人員不得不想盡辦法提高電源功率密度及效率。
反激軟開關(guān)基于目前市場越來越受到重視，毫無疑問，軟開關(guān)好處太多了：
1.開關(guān)管處于零電壓導(dǎo)通，發(fā)熱小
2.ACF架構(gòu)可以回收利用漏感能量，效率高
3.開關(guān)管零電壓導(dǎo)通，所以開關(guān)頻率可以做得很高，比如300KHz，體積減小非常多
我之前也做過一款輸出83W反激ACF電源，分享給大家：
采用的是控制器加外置GAN，開關(guān)頻率350KHz，體積非常小。不過調(diào)試EMI非常有講究，需要經(jīng)過一番研究才能得出經(jīng)驗。
再分享機組測試波形：
三號探頭紫色波形，從左到右第一個波形，上升沿出有一個電壓尖峰，有沒有人知道原因？哈哈
探頭1，黃色：變壓器原邊電流波形
探頭2，藍色：下管驅(qū)動波形
探頭3，紫色：次級同步整流MOS電壓波形
探頭4，綠色：下管DS電壓波形
可見下管MOS導(dǎo)通前電流為負(fù)向，導(dǎo)通時兩端壓降為0，DS腳沒有一點漏感尖峰電壓。
圖二波形，可見頻率約為300KHz
滿載效率94.8%，效果非常好
但這個電源有個很大缺點，元器件非常多，導(dǎo)致調(diào)試需要花費很長時間，對工程師的技術(shù)水平要求相對較高，那種半桶水、一天到晚就知道瞎吹牛的就別想啃這塊骨頭了。
而讓IC應(yīng)用簡介化，外圍器件精簡化，是我們IC原廠的終極目標(biāo)，由此InnoSwitch4系列芯片孕育而生。
精簡的外圍，超級容易上手，下面看原理圖：
再看我之前設(shè)計的外置MOS反激軟開關(guān)原理圖：
外圍元器件數(shù)量相差太多了。
未來適配器一定是向著輕量化、普通便攜電子設(shè)備均支持快充、接口一致、高功率密度方向發(fā)展。
InnoSwitch4系列芯片正是這個目標(biāo)，內(nèi)置MOS，最大支持功率110W，目前已經(jīng)在很多快充頭中應(yīng)用，未來推廣力度會越來越大，各大IC原廠也會朝著這個方向研發(fā)更多新產(chǎn)品。
