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TNY255設(shè)計的小功率電源

TNY255芯片集成了電源控制器開關(guān)的高壓功率MOS場效應(yīng)管，和常規(guī)的PWM（脈寬調(diào)制）控制器不同，該芯片采 用了一個簡單的開/關(guān)控制輸出電壓。振蕩器的頻率定在130kHz，最大占空比，典型值為67% 。

TNY255設(shè)計的5V電源，電源輸出電壓5V，電流1.5A，考慮選擇EE16型磁心可滿足輸出7.5W功率的要求。整個電路尺寸小，成本低，非常不錯的電源。

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2021-10-19 14:47

每當(dāng)MOS場效應(yīng)管關(guān)斷時，5.8V校準(zhǔn)器向從漏極拉電流向連接到BYPASS引腳的旁路電容充電，充電到5.8V

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2021-10-19 14:47
@奮斗的青春
每當(dāng)MOS場效應(yīng)管關(guān)斷時，5.8V校準(zhǔn)器向從漏極拉電流向連接到BYPASS引腳的旁路電容充電，充電到5.8V

當(dāng)MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通時，TinySwitch釋放出存儲在旁路電容上的能量。

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2021-10-19 14:48
@奮斗的青春
當(dāng)MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通時，TinySwitch釋放出存儲在旁路電容上的能量。

Tny255內(nèi)部電路的功耗非常低，從漏極拉入的電流可供TinySwitch連續(xù)運行，一般選擇0.1uF旁路電容足夠高頻退耦和能量存儲。

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2021-10-19 16:12

頻率較高，一方面減少了無源器件的體積、另一方面無光耦和鉗位電路，減少了成本，研發(fā)周期縮短

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k6666
LV.9
6
2021-10-19 19:01
@奮斗的青春
每當(dāng)MOS場效應(yīng)管關(guān)斷時，5.8V校準(zhǔn)器向從漏極拉電流向連接到BYPASS引腳的旁路電容充電，充電到5.8V

不同的旁路電容容值可以實現(xiàn)不同的功能，修改很方便的。

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k6666
LV.9
7
2021-10-19 19:02
@奮斗的青春
每當(dāng)MOS場效應(yīng)管關(guān)斷時，5.8V校準(zhǔn)器向從漏極拉電流向連接到BYPASS引腳的旁路電容充電，充電到5.8V

一旦BYPASS引腳電壓低于5.1V，只有回升到5.8V才使能（打開）功率MOS場效應(yīng)管。

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k6666
LV.9
8
2021-10-19 19:03
@electronicLee
頻率較高，一方面減少了無源器件的體積、另一方面無光耦和鉗位電路，減少了成本，研發(fā)周期縮短

頻率高了的確產(chǎn)品的體積比較小，適合小產(chǎn)品的開發(fā)案例。該芯片開發(fā)的性能也不錯的。

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2021-10-21 16:37

頻率高了的確產(chǎn)品的體積比較小，適合小產(chǎn)品的開發(fā)案例。該芯片開發(fā)的性能也不錯的。

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gxg1122
LV.10
10
2021-10-21 17:47
@奮斗的青春
當(dāng)MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通時，TinySwitch釋放出存儲在旁路電容上的能量。

邊沿消隱電路用于在功率MOS場效應(yīng)管打開瞬間，抑制限流比較器。

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gxg1122
LV.10
11
2021-10-21 17:48
@k6666
頻率高了的確產(chǎn)品的體積比較小，適合小產(chǎn)品的開發(fā)案例。該芯片開發(fā)的性能也不錯的。

吸收電路可將TNY255漏極關(guān)斷時在初級產(chǎn)生的尖峰電壓限定在安全范圍內(nèi)。

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svs101
LV.8
12
2021-10-21 17:56
@k6666
一旦BYPASS引腳電壓低于5.1V，只有回升到5.8V才使能（打開）功率MOS場效應(yīng)管。

芯片內(nèi)部具有確的遲滯熱關(guān)斷保護(hù)功能，具備自動恢復(fù)功能，減少人工干預(yù)。

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謝厚林
LV.12
13
2021-10-21 22:36
@svs101
芯片內(nèi)部具有確的遲滯熱關(guān)斷保護(hù)功能，具備自動恢復(fù)功能，減少人工干預(yù)。

這個產(chǎn)品為PI的第一代TNY系列

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謝厚林
LV.12
14
2021-10-21 22:36
@謝厚林
這個產(chǎn)品為PI的第一代TNY系列

用的人很少了

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svs101
LV.8
15
2021-10-22 17:03
@謝厚林
用的人很少了

產(chǎn)品的后續(xù)維修可能用的比較多，早期產(chǎn)品應(yīng)用案例很多，用著不錯的IC.

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gxg1122
LV.10
16
2021-10-28 13:40
@electronicLee
頻率較高，一方面減少了無源器件的體積、另一方面無光耦和鉗位電路，減少了成本，研發(fā)周期縮短

芯片增加了自動重起動計數(shù)器和輸入欠壓檢測電路。一旦發(fā)生輸出短路、控制環(huán)開路或掉電故障,均能保護(hù)芯片不受損壞。

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gxg1122
LV.10
17
2021-10-28 13:40
@svs101
產(chǎn)品的后續(xù)維修可能用的比較多，早期產(chǎn)品應(yīng)用案例很多，用著不錯的IC.

正常工作時由此端控制內(nèi)部功率MOSFET的通斷。該端還可用于輸入欠壓檢測。

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k6666
LV.9
18
2021-11-05 15:05
@奮斗的青春
當(dāng)MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通時，TinySwitch釋放出存儲在旁路電容上的能量。

TNY255工作頻率設(shè)置在130kHz，變壓器尺寸小，成本低，比較適合低成本案例。

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k6666
LV.9
19
2021-11-05 15:08
@奮斗的青春
Tny255內(nèi)部電路的功耗非常低，從漏極拉入的電流可供TinySwitch連續(xù)運行，一般選擇0.1uF旁路電容足夠高頻退耦和能量存儲。

由于TinySwitch內(nèi)部電路的功耗非常低，從漏極拉入的電流可供TinySwitch連續(xù)運行。

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ehi763
LV.6
20
2021-12-04 20:41
@奮斗的青春
Tny255內(nèi)部電路的功耗非常低，從漏極拉入的電流可供TinySwitch連續(xù)運行，一般選擇0.1uF旁路電容足夠高頻退耦和能量存儲。

要實現(xiàn)功耗低，要采用偏置電路，待機功耗可以降低到100多mW，節(jié)省成本可以采用自供電。

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ehi763
LV.6
21
2021-12-04 20:46
@electronicLee
頻率較高，一方面減少了無源器件的體積、另一方面無光耦和鉗位電路，減少了成本，研發(fā)周期縮短

開關(guān)電源一般采用幾百K的工作頻率，這個跟電路也有很大關(guān)系，輸入電壓的大小，變壓器磁材的選擇，主開關(guān)管的選擇。

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2021-12-04 20:59
@gxg1122
吸收電路可將TNY255漏極關(guān)斷時在初級產(chǎn)生的尖峰電壓限定在安全范圍內(nèi)。

吸收與太多因素有關(guān)，比如漏感、繞組結(jié)構(gòu)、分布電感電容、器件等效電感電容、二極管反向恢復(fù)特性等等

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spowergg
LV.10
23
2021-12-04 21:00
@gxg1122
吸收電路可將TNY255漏極關(guān)斷時在初級產(chǎn)生的尖峰電壓限定在安全范圍內(nèi)。

RCD吸收不是阻尼吸收，而是靠非線性開關(guān)D 直接破壞形成電壓尖峰的諧振條件。

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2021-12-04 21:22
@ehi763
開關(guān)電源一般采用幾百K的工作頻率，這個跟電路也有很大關(guān)系，輸入電壓的大小，變壓器磁材的選擇，主開關(guān)管的選擇。

像錳鋅鐵氧體材料允許的工作頻率從幾十K到幾百K，一般頻率越高那么你的磁性元件的體積就越小，當(dāng)然成本也越低。

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tabing_dt
LV.10
25
2021-12-04 21:26
@k6666
TNY255工作頻率設(shè)置在130kHz，變壓器尺寸小，成本低，比較適合低成本案例。

頻率高，變壓器可以用成本低的EE16磁芯，不需要絕緣帶/端空，簡化了變壓器結(jié)構(gòu)，降低成本

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tabing_dt
LV.10
26
2021-12-04 21:28
@spowergg
RCD吸收不是阻尼吸收，而是靠非線性開關(guān)D直接破壞形成電壓尖峰的諧振條件。

吸收電路中的C 的大小決定吸收效果也就是電壓尖峰，同時決定了吸收功率。

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spowergg
LV.10
27
2021-12-04 21:43
@眼睛里的海
像錳鋅鐵氧體材料允許的工作頻率從幾十K到幾百K，一般頻率越高那么你的磁性元件的體積就越小，當(dāng)然成本也越低。

其實一般的電源芯片有的是固定頻率有的是允許用戶自己設(shè)置頻率，而IGBT的開關(guān)器件一般再20KHz以內(nèi)的開關(guān)頻率應(yīng)用。

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tmpeger
LV.10
28
2022-11-13 12:03
@k6666
一旦BYPASS引腳電壓低于5.1V，只有回升到5.8V才使能（打開）功率MOS場效應(yīng)管。

電感不能過大，過大會造成開關(guān)電源反饋回路增益降低，降低系統(tǒng)的工作帶寬

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