為了提高效率，電路中還必須選擇具有較低傳導(dǎo)損耗的有源器件。

IC內(nèi)部集成準(zhǔn)諧振反激控制器和集成的主開關(guān)管，同步整流控制器和內(nèi)置反饋，以及恒功率輸出。

GaN的切換開關(guān)取代了傳統(tǒng)硅高壓電晶體，減少了電流流過時(shí)的導(dǎo)通損耗。

對于充電器來說，充電器的待機(jī)功耗比較重要，40mW可以說比較低了。

電源在自供電模式中啟動，會從旁路引腳電容通過內(nèi)部電流源充電吸收能量。

同時(shí)并大大降低了運(yùn)作期間的切換損失，減少電源能源的浪費(fèi)。

較高的Vor允許在最低電壓時(shí)獲得更高的輸出功率，這會降低輸入電容值并增大給定PowiGaN器件的輸出功率能力。

使用 InSOP-24D封裝，可以設(shè)計(jì)出更薄，相同體積下輸出更大功率的電源。

GaN 是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，與硅相比具有顯著的效率和尺寸優(yōu)勢。

設(shè)計(jì)中輸出電壓高于15 V時(shí)，應(yīng)提高VOR，使輸出同步整流管的反向峰值電壓維持在可接受的水平。

變壓器上的輔助繞組也可以向初級旁路引腳提供供電電流。

INN3270C采用PowiGaN技術(shù)，最大輸出功率100W,基本可以滿足大多的充電器功率要求。

使用偏置繞組向初級旁路引腳供電后，可實(shí)現(xiàn)空載功耗低于15 mW的電源。

在恒流操作期間，當(dāng)輸出電壓下降時(shí)，芯片內(nèi)的次級側(cè)控制器將直接從次級側(cè)繞組進(jìn)行供電。

集成度高效率也需要提高，可以減小發(fā)熱量，相信這款適配器的效率應(yīng)該能達(dá)到92%左右了。

GaN"切換開關(guān)減少了電流流過時(shí)的導(dǎo)通損耗，并大大降低了運(yùn)作期間的切換損失。

同時(shí)該技術(shù)可以提高節(jié)省空間的 InSOP-24D 封裝的效率和功率輸送。

這個(gè)電源方案的綜合性能挺好的，各方面都有兼顧，值得借鑒與學(xué)習(xí)

InnoSwitch3-CP系列自行研發(fā)的氮化鎵（GaN）技術(shù)。基于PowiGaN的IC在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率高達(dá)95％，在封閉式適配器不需散熱片就可實(shí)現(xiàn)高達(dá)100W輸出功率。

InnoSwitch3-CP采用變頻準(zhǔn)諧振控制器并支持CCM/CrM/DCM工作，可提高效率和擴(kuò)大輸出功率能力。

45W的充電器最大轉(zhuǎn)換效率多大？

這款具有多種保護(hù)，線電壓過壓和欠壓保護(hù)、輸出過壓和過電流限制，以及過溫關(guān)機(jī).可滿足多種應(yīng)用的要求

提高開關(guān)頻率，減小磁性元件的體積和重量是提高變換器功率密度的有效措施

原邊控制的基本原理是通過精確采樣輔助繞組的電壓水平來反映負(fù)載的變化信息

如果直接靠高壓啟動提供PWM芯片供電損耗大,效率低,所以要加偏置繞組 

在接近交流峰值電壓處僅在很短的時(shí)間內(nèi)才有輸入電流流經(jīng)橋式整流電路

理論上正激可以不用開氣息，可是實(shí)際應(yīng)用上時(shí)很難做到一點(diǎn)氣息都沒有的

適當(dāng)?shù)拈_氣息是考慮在負(fù)載不能完全釋能的時(shí)候，可以幫助消除殘余磁能。

加氣隙可降低剩磁，增大磁振幅，利于減小匝數(shù)，降低銅損，但加了氣隙，勵磁電流會加大，開關(guān)管處理的能量，通過消磁電路返回電源的能量比例較大，對提升效率不利

信號傳輸對端口有什么特殊要求