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TOP264EG設(shè)計的24V/0.5A電源

         電源基于TOP264EG離線式開關(guān)IC設(shè)計的12W無PFC反激式充電器電源，可在90VAC～264VAC的輸入電壓下工作，額定輸出電壓和電流分別為24V和0.5A的輸出，滿載效率高，90 VAC / 60 Hz輸入條件下效率可達(dá)80.5%，在本設(shè)計中，選用的器件尺寸比輸出功率所需的器件尺寸更大，這樣通?？蓪崿F(xiàn)最高效率。再繼續(xù)增大器 件尺寸，通常會取得同樣的效果，或降低效率。因為MOSFET越大， 帶來的開關(guān)損耗越大。PI有提供設(shè)計軟件PI expert 。 這個軟件可以到PI 的官網(wǎng)下載得到，里面有設(shè)計電路及變壓器設(shè)計。 

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k8882002
LV.9
2
2021-06-04 21:20

設(shè)計電路選擇芯片時可以選擇高于所需輸出功率的更大器件，以提高效率。

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k8882002
LV.9
3
2021-06-04 21:25

TOP264EG離線式開關(guān)IC采用eSIP-7C封裝，立式的封裝可縮小PCB占用面積。

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2021-06-04 21:27
@k8882002
設(shè)計電路選擇芯片時可以選擇高于所需輸出功率的更大器件，以提高效率。

所以TOPSwitch-JX的流限設(shè)定功能允許選擇可提供高于所需輸出功 率的更大器件。

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2021-06-04 21:34
@k8882002
TOP264EG離線式開關(guān)IC采用eSIP-7C封裝，立式的封裝可縮小PCB占用面積。

這種封裝可通過夾片快速安裝散熱片，提供相當(dāng)于一個TO-220封裝的熱阻抗。

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2021-06-04 21:34

TOP264EG內(nèi)部連接到漏極的高壓電流源在啟動階段提供偏置電流，從而省去了外部啟動電路。

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tabing_dt
LV.10
7
2021-06-04 21:41
@wengnaibing
所以TOPSwitch-JX的流限設(shè)定功能允許選擇可提供高于所需輸出功率的更大器件。

這樣可通過降低MOSFET導(dǎo)通損耗來實現(xiàn)高滿載、低輸入電壓效率

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tabing_dt
LV.10
8
2021-06-04 21:42
@眼睛里的海
TOP264EG內(nèi)部連接到漏極的高壓電流源在啟動階段提供偏置電流，從而省去了外部啟動電路。

內(nèi)部振蕩器具有頻率調(diào) 制（抖動）特性，可以降低EMI，該芯片具有很多優(yōu)勢。

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2021-06-05 17:27
@tabing_dt
這樣可通過降低MOSFET導(dǎo)通損耗來實現(xiàn)高滿載、低輸入電壓效率

但同時可保持過載功率、變 壓器和其他元件大小不變，如同使用了較小的器件。

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k8882002
LV.9
10
2021-06-05 17:30
@tabing_dt
內(nèi)部振蕩器具有頻率調(diào)制（抖動）特性，可以降低EMI，該芯片具有很多優(yōu)勢。

光耦并聯(lián)電阻作用為防止光耦誤導(dǎo)通，在關(guān)斷時防止反向電壓損壞光耦的作用，當(dāng)然也有一定的分流作用。

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k8882002
LV.9
11
2021-06-05 17:30

TOPSwitch-JX為10W到245W的反激電源，在264V輸入條件下空載待機(jī)功耗可低至0.1W。

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2021-06-05 17:34
@wengnaibing
但同時可保持過載功率、變壓器和其他元件大小不變，如同使用了較小的器件。

選擇RZCD（齊納二極管泄放）箝位，可實現(xiàn)更高 的輕載效率和更低的空載功耗

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tabing_dt
LV.10
13
2021-06-05 17:36
@眼睛里的海
這種封裝可通過夾片快速安裝散熱片，提供相當(dāng)于一個TO-220封裝的熱阻抗。

TOP264EG保護(hù)功能全面，包括輸出短路/過流/過載/過壓保護(hù)、輸入欠壓檢測、輸入過壓關(guān)斷和熱關(guān)斷。

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tabing_dt
LV.10
14
2021-06-06 09:40
@k8882002
光耦并聯(lián)電阻作用為防止光耦誤導(dǎo)通，在關(guān)斷時防止反向電壓損壞光耦的作用，當(dāng)然也有一定的分流作用。

TOPSwitch-JX有132KHZ和66khz 兩種頻率可選。精確地流限編程。

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wengnaibing
LV.9
15
2021-06-06 10:28
@k8882002
TOPSwitch-JX為10W到245W的反激電源，在264V輸入條件下空載待機(jī)功耗可低至0.1W。

還集成了MOS于芯片內(nèi)，可有效提升電源的功率密度，應(yīng)用成熟，可有效減少開發(fā)周期。

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wengnaibing
LV.9
16
2021-06-06 10:28
@眼睛里的海
選擇RZCD（齊納二極管泄放）箝位，可實現(xiàn)更高的輕載效率和更低的空載功耗

在RCD箝位中，選取的電阻值 用來限制滿載和過載條件下的峰值漏極電壓。

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tabing_dt
LV.10
17
2021-06-07 12:51
@wengnaibing
在RCD箝位中，選取的電阻值用來限制滿載和過載條件下的峰值漏極電壓。

但在輕載或空載 條件下，由于漏感能量和開關(guān)頻率都已下降，因此該電阻值會導(dǎo)致電容電壓大量放電。

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2021-07-15 20:37
@k8882002
TOP264EG離線式開關(guān)IC采用eSIP-7C封裝，立式的封裝可縮小PCB占用面積。

平常不需要散熱器如果使用一個外部散熱片將提高輸出功率的能力。

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2021-07-15 20:42
@原來會員名可以很長的
平常不需要散熱器如果使用一個外部散熱片將提高輸出功率的能力。

器件采用EcoSmart技術(shù)，能夠在整個負(fù)載范內(nèi)實現(xiàn)最大的效率。

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2021-09-06 22:09
@k8882002
光耦并聯(lián)電阻作用為防止光耦誤導(dǎo)通，在關(guān)斷時防止反向電壓損壞光耦的作用，當(dāng)然也有一定的分流作用。

光耦串聯(lián)的電阻除了起到限流的作用，同時也會影響增益。

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tabing_dt
LV.10
21
2021-09-06 22:15
@眼睛里的海
光耦串聯(lián)的電阻除了起到限流的作用，同時也會影響增益。

并聯(lián)的電阻，一般是為TL431提供一個基礎(chǔ)電流，防止TL431工作到太接過關(guān)閉的區(qū)域

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k8882002
LV.9
22
2021-09-06 22:21
@tabing_dt
并聯(lián)的電阻，一般是為TL431提供一個基礎(chǔ)電流，防止TL431工作到太接過關(guān)閉的區(qū)域

如果電阻太小，很小的波動就會引起原邊相對較大的電流，所以電路有可能不容易穩(wěn)定。

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wengnaibing
LV.9
23
2021-09-06 22:34

高壓端驅(qū)動器經(jīng)由連接到高壓端工作 電壓引腳的自舉二極管從低壓端待機(jī)輔助電源。

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uf_1269
LV.8
24
2021-09-06 23:25
@wengnaibing
高壓端驅(qū)動器經(jīng)由連接到高壓端工作電壓引腳的自舉二極管從低壓端待機(jī)輔助電源。

高壓端驅(qū)動器也包含片內(nèi)熱關(guān)斷功能，但該溫度值將被設(shè)為高 于低壓端器件的熱關(guān)斷溫度

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dbg_ux
LV.9
25
2021-09-06 23:28
@uf_1269
高壓端驅(qū)動器也包含片內(nèi)熱關(guān)斷功能，但該溫度值將被設(shè)為高于低壓端器件的熱關(guān)斷溫度

 主轉(zhuǎn)換器最大占空比， 線電壓檢測引腳電阻可將輸入電壓轉(zhuǎn)換為線電壓檢測引腳電流 信號

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kckcll
LV.9
26
2021-09-06 23:36
@dbg_ux
 主轉(zhuǎn)換器最大占空比，線電壓檢測引腳電阻可將輸入電壓轉(zhuǎn)換為線電壓檢測引腳電流信號

 可外部選擇的待機(jī)片內(nèi)流限 在啟動期間，反饋引腳和使能引腳都用于分別選擇主轉(zhuǎn)換器和 待機(jī)轉(zhuǎn)換器的流限

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lx25hb
LV.8
27
2021-09-06 23:42
@tabing_dt
這樣可通過降低MOSFET導(dǎo)通損耗來實現(xiàn)高滿載、低輸入電壓效率

開關(guān)電源的驅(qū)動頻率越高，導(dǎo)通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動損耗會相應(yīng)增大。

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cb_mmb
LV.8
28
2021-09-06 23:53
@lx25hb
開關(guān)電源的驅(qū)動頻率越高，導(dǎo)通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動損耗會相應(yīng)增大。

高頻化可以使得模塊電源的變壓器磁芯更小，模塊的體積變得更小

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trllgh
LV.10
29
2021-09-08 17:52
@k8882002
TOPSwitch-JX為10W到245W的反激電源，在264V輸入條件下空載待機(jī)功耗可低至0.1W。

0.1W的待機(jī)功耗，對于現(xiàn)在的高端的電源來說，有點(diǎn)大，innoswitch的可以做到幾十mW的待機(jī)功耗。

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2021-09-08 18:02
@眼睛里的海
TOP264EG內(nèi)部連接到漏極的高壓電流源在啟動階段提供偏置電流，從而省去了外部啟動電路。

芯片可以采用通過控制極外接的電容充電過程來實現(xiàn)電路的軟啟動。

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dianre888
LV.6
31
2021-09-08 18:03
@大海的兒子
芯片可以采用通過控制極外接的電容充電過程來實現(xiàn)電路的軟啟動。

電源啟動時一般為連接在漏極和源極之間的內(nèi)部高壓電流源向控制極充電，這樣就會在RE兩端產(chǎn)生壓降。

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