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TNY268設(shè)計(jì)的15V電源

TNY268集成的自動(dòng)重啟動(dòng)，線路不足電壓檢測(cè)和頻率抖動(dòng)等功能，創(chuàng)新的設(shè)計(jì)在簡(jiǎn)單的開(kāi)/關(guān)控制方案中，最大限度地減少音頻分量，以切實(shí)消除音頻噪聲。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中音頻噪聲主要由電容和高頻變壓器產(chǎn)生，采用特殊的膠合劑粘接磁芯,降低因磁芯之間產(chǎn)生相對(duì)位移而引起的音頻噪聲，同時(shí)選擇磁通密度較低的磁芯。

利用TNY268設(shè)計(jì)的15V開(kāi)關(guān)電源，電源輸出電流最大1A，產(chǎn)品的效率高，體積小。繞制變壓器時(shí)必須注意初級(jí)繞組要繞在最里層且設(shè)計(jì)成兩層以下,以減小初級(jí)繞組的分布電容和產(chǎn)生的電磁干擾,縮短導(dǎo)線的長(zhǎng)度。整體電源的外圍電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了許多，系統(tǒng)成本低。

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fengxbj
LV.8
2
2021-03-03 16:54
第2代增強(qiáng)型單片隔離式高效小功率開(kāi)關(guān)電源控制芯片,集成了一只700V的功率MOSFET振蕩器.
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fengxbj
LV.8
3
2021-03-03 16:55
@fengxbj
第2代增強(qiáng)型單片隔離式高效小功率開(kāi)關(guān)電源控制芯片,集成了一只700V的功率MOSFET振蕩器.
由于漏極電壓直接提供系統(tǒng)啟動(dòng)和工作所需能量,從而省略了變壓器偏置繞組及相關(guān)電路.
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fengxbj
LV.8
4
2021-03-03 16:55
@fengxbj
由于漏極電壓直接提供系統(tǒng)啟動(dòng)和工作所需能量,從而省略了變壓器偏置繞組及相關(guān)電路.
TNY268芯片132kHz的工作頻率,減小泄漏磁場(chǎng),選用低成本的EE22型錳鋅鐵氧體磁芯.
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gxg1122
LV.10
5
2021-03-04 12:24
頻率抖動(dòng)技術(shù)還可以用來(lái)減少由PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生的電磁干擾。
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gxg1122
LV.10
6
2021-03-04 12:25
@gxg1122
頻率抖動(dòng)技術(shù)還可以用來(lái)減少由PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生的電磁干擾。
諧波次數(shù)越高,頻率分散越大，噪聲諧波頻率分散,使各次諧波在f1處信號(hào)降低。
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k6666
LV.10
7
2021-03-04 14:18
@fengxbj
TNY268芯片132kHz的工作頻率,減小泄漏磁場(chǎng),選用低成本的EE22型錳鋅鐵氧體磁芯.
TNY268單片隔離式智能集成芯片為核心,設(shè)計(jì)了一種通用性強(qiáng)、易于集成的專(zhuān)用開(kāi)關(guān)電源電路.
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k6666
LV.10
8
2021-03-04 14:19
@gxg1122
諧波次數(shù)越高,頻率分散越大，噪聲諧波頻率分散,使各次諧波在f1處信號(hào)降低。
正常工作時(shí),使能輸入/欠壓檢測(cè)端（EN/UV）控制MOSFET開(kāi)關(guān)狀態(tài),當(dāng)從該端流出的電流>240μA時(shí),MOSFET關(guān)斷。
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k6666
LV.10
9
2021-03-04 14:20
@fengxbj
由于漏極電壓直接提供系統(tǒng)啟動(dòng)和工作所需能量,從而省略了變壓器偏置繞組及相關(guān)電路.
RCD吸收回路使TNY268器件的漏極電壓限制在700V以下,防止TNY器件的損壞.
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svs101
LV.8
10
2021-03-04 14:51
@k6666
RCD吸收回路使TNY268器件的漏極電壓限制在700V以下,防止TNY器件的損壞.
RCD鉗位電路主要是保護(hù)內(nèi)部MOSFET不被擊穿，不同的鉗位電路有點(diǎn)差異。
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svs101
LV.8
11
2021-03-04 14:52
@gxg1122
諧波次數(shù)越高,頻率分散越大，噪聲諧波頻率分散,使各次諧波在f1處信號(hào)降低。
電源設(shè)計(jì)沒(méi)有Y電容的情況下，工頻漏電流<10 μA，比較低。。
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svs101
LV.8
12
2021-03-04 14:53
@fengxbj
TNY268芯片132kHz的工作頻率,減小泄漏磁場(chǎng),選用低成本的EE22型錳鋅鐵氧體磁芯.
低成本的磁芯設(shè)計(jì)電源有競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)電源的性能也不錯(cuò)的。
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fengxbj
LV.8
13
2021-03-04 16:06
@svs101
RCD鉗位電路主要是保護(hù)內(nèi)部MOSFET不被擊穿，不同的鉗位電路有點(diǎn)差異。
TNY268具有精確的遲滯熱關(guān)斷保護(hù)并具備自動(dòng)恢復(fù)功能，無(wú)需人工重新置位。
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2021-03-04 17:17
@svs101
RCD鉗位電路主要是保護(hù)內(nèi)部MOSFET不被擊穿，不同的鉗位電路有點(diǎn)差異。
開(kāi)放式應(yīng)用中得到更高的連續(xù)輸出功率，更低的電流限流點(diǎn)可提高封閉式適配器/充電器設(shè)計(jì)的效率。
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2021-03-04 17:17
@k6666
正常工作時(shí),使能輸入/欠壓檢測(cè)端（EN/UV）控制MOSFET開(kāi)關(guān)狀態(tài),當(dāng)從該端流出的電流>240μA時(shí),MOSFET關(guān)斷。
通過(guò)BP/M引腳電容值可選擇不同的電流限流點(diǎn)，更高的電流限流點(diǎn)可得到更高的峰值功率。
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紫蝶
LV.9
16
2021-03-08 17:18
@塵埃中的一粒沙
開(kāi)放式應(yīng)用中得到更高的連續(xù)輸出功率，更低的電流限流點(diǎn)可提高封閉式適配器/充電器設(shè)計(jì)的效率。
芯片采用頻率抖動(dòng)技術(shù)可以有效提高輸出效率，同時(shí)功耗也能降低。
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fengxbj
LV.8
17
2021-03-09 12:38
@塵埃中的一粒沙
開(kāi)放式應(yīng)用中得到更高的連續(xù)輸出功率，更低的電流限流點(diǎn)可提高封閉式適配器/充電器設(shè)計(jì)的效率。
TNY268設(shè)計(jì)的電源，寬范圍交流供電電壓時(shí)，密封電源模塊的輸出功率只有10W。
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2021-03-09 12:39
@k6666
RCD吸收回路使TNY268器件的漏極電壓限制在700V以下,防止TNY器件的損壞.
芯片相比第一代產(chǎn)品增加了輸出功率，同時(shí)降低了芯片的功耗，提升了電源的效率。
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k6666
LV.10
19
2021-03-09 12:40
@fengxbj
TNY268設(shè)計(jì)的電源，寬范圍交流供電電壓時(shí)，密封電源模塊的輸出功率只有10W。
高于 TNY268的損耗電流，超出部分將被芯片內(nèi)部的穩(wěn)壓管鉗位在6.3V 的安全電壓上。
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2021-03-17 18:15
@svs101
低成本的磁芯設(shè)計(jì)電源有競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)電源的性能也不錯(cuò)的。
有的接到印刷電路板的銅箔上，eDIP-12，eSIP-7C，eSOP-12，eDIP-12的封裝度可以不用散熱片。
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@gxg1122
頻率抖動(dòng)技術(shù)還可以用來(lái)減少由PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生的電磁干擾。

電路采用隔離反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，效率可以達(dá)到80%以上。

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trllgh
LV.10
22
2021-09-09 20:42
@塵埃中的一粒沙
開(kāi)放式應(yīng)用中得到更高的連續(xù)輸出功率，更低的電流限流點(diǎn)可提高封閉式適配器/充電器設(shè)計(jì)的效率。

限流值設(shè)定為僅略高于低電壓工作時(shí)的滿載峰值電流，允許使用更小的變壓器磁芯。

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2021-09-09 21:04
@trllgh
限流值設(shè)定為僅略高于低電壓工作時(shí)的滿載峰值電流，允許使用更小的變壓器磁芯。

同時(shí)可以避免啟動(dòng)和輸出負(fù)載瞬態(tài)的變壓器磁芯飽和。

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spowergg
LV.10
24
2021-09-09 21:11
@trllgh
限流值設(shè)定為僅略高于低電壓工作時(shí)的滿載峰值電流，允許使用更小的變壓器磁芯。

限制高輸入電壓時(shí)的最大過(guò)載功率，并使次級(jí)無(wú)需任何保護(hù)電路

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beakline
LV.6
25
2021-09-09 21:16
@fengxbj
第2代增強(qiáng)型單片隔離式高效小功率開(kāi)關(guān)電源控制芯片,集成了一只700V的功率MOSFET振蕩器.

發(fā)生電涌時(shí)，TNY268在電涌期間停止工作，可以使器件可以經(jīng)受700V高壓的沖擊。

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xxbw6868
LV.10
26
2021-09-09 21:23
@beakline
發(fā)生電涌時(shí)，TNY268在電涌期間停止工作，可以使器件可以經(jīng)受700V高壓的沖擊。

為了改善抵抗共摸電涌的能力，偏置繞組的共摸電路直接與直流大電容相連。

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dianre888
LV.6
27
2021-09-09 21:29
@塵埃中的一粒沙
通過(guò)BP/M引腳電容值可選擇不同的電流限流點(diǎn)，更高的電流限流點(diǎn)可得到更高的峰值功率。

由于可以選擇外部降低流限，在需要更高效率或散熱條件很差的低功率應(yīng)用中，可以選用較大的芯片型號(hào)。

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2021-09-18 17:59
@fengxbj
第2代增強(qiáng)型單片隔離式高效小功率開(kāi)關(guān)電源控制芯片,集成了一只700V的功率MOSFET振蕩器.

低的系統(tǒng)成本具有簡(jiǎn)單的開(kāi)/關(guān)控制，無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償及更大的輸出功率范圍。

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dianre888
LV.6
29
2021-10-07 10:37
@fengxbj
TNY268芯片132kHz的工作頻率,減小泄漏磁場(chǎng),選用低成本的EE22型錳鋅鐵氧體磁芯.

對(duì)于反激拓樸，二次側(cè)整流管足夠好的情況下，如果變壓器漏感足夠低比較好。

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uf_1269
LV.8
30
2021-10-07 10:55
@fengxbj
第2代增強(qiáng)型單片隔離式高效小功率開(kāi)關(guān)電源控制芯片,集成了一只700V的功率MOSFET振蕩器.

內(nèi)部振蕩器在兩個(gè)電壓水平之間對(duì)內(nèi)部電容進(jìn)行線性充電和放電，以產(chǎn)生用于脈沖寬度調(diào)制器的鋸齒波。

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dbg_ux
LV.9
31
2021-10-07 11:05
@uf_1269
內(nèi)部振蕩器在兩個(gè)電壓水平之間對(duì)內(nèi)部電容進(jìn)行線性充電和放電，以產(chǎn)生用于脈沖寬度調(diào)制器的鋸齒波。

振蕩器在每個(gè)周期開(kāi)始時(shí)設(shè)置脈沖寬度調(diào)制器和電流限制鎖存器的。

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