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SP6649HF主要應(yīng)用于充電器 PDA、數(shù)碼相機、攝像機電源適配器機頂盒電源開放框架式開關(guān)電源個人電腦輔助電源

SP6649HF規(guī)格書概述：

SP6649HF是一顆電流模式 PWM 控制芯片，內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET，應(yīng)用于功率在 30W 以內(nèi)的方案。SP6649HF 在 PWM 模式下工作于固定開關(guān)頻率，這個頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時，工作頻率由 IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。SP6649HF在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進(jìn)一步減小待機時的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發(fā)生，改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時（Leading-edge blanking time），消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對電路的影響。SP6649HF 采用了抖頻技術(shù)，能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI 性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。SP6649HF 內(nèi)置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的 EMI 特性和開關(guān)的軟啟動控制。

二、特點：

全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機功耗小于 75mW內(nèi)置 650V 高壓功率管4ms 軟啟動用來減少 MOSFET 上 Vds 的應(yīng)力抖頻功能，改善 EMI 性能跳頻模式，改善輕載效率，減小待機功耗無噪聲工作固定 65KHz 開關(guān)頻率內(nèi)置同步斜坡補償?shù)蛦与娏鳎凸ぷ麟娏鲀?nèi)置前沿消隱(LEB)功能過載保護（OLP），逐周期限流保護（OCP）   VDD 過壓保護（VDD OVP），欠壓保護（UVLO），VDD 電壓箝位過溫保護（OTP） SOP8 無鉛封裝