
MOS的熱阻計算
芯片溫度Tj=P*θJA+Ta,其中P是管子工作功率、θJA就是管子的熱阻表示的是junction To Ambient即芯片到環(huán)境的熱阻(spec上有這項參數(shù))、Ta是管子工作時的環(huán)境溫度;
芯片溫度還可表示為Tj=P*θJC+Tc,θJC是junction To Case即芯片到管體的熱阻(spec上有這項參數(shù))、Tc是管體的表面溫度可以用溫度計現(xiàn)場測試;
管體溫度Tc=P*θCA+Ta,
熱阻還可表示為θJA=θJC+θCA,θJC是junction到case即芯片到管體的熱阻、θCA是case到Ambient即管體到環(huán)境的熱阻;
以上4元方程組中,Tj、θJA、θJC、θCA是未知量,應該都可以計算出來了
還沒看完就看出你是高手!我多看幾遍 謝謝你
感覺比LDO溫升計算復雜多了 你干脆列一個公式給我啊
我重新簡單整理下計算過程
Tj=P*θJA+Ta
Tj=P*θJC+Tc
Tc=P*θCA+Ta
θJA=θJC+θCA
1. Tj:芯片溫度,生產(chǎn)廠家在封裝芯片前就可以提前測出P和Tj的對應曲線,但是封裝為成品后就沒法測出Tj了,因此要想在不知道P@Tj的曲線圖情況下求熱阻,只能通過上面4元方程組來算;
2. P:管子工作在穩(wěn)態(tài)時的功率,通過Rdson、Id、Vds等可以計算;
3. θJA:芯片(junction)到周圍環(huán)境(to Ambient)的熱阻
4. θJC:芯片到管殼(to Case)的熱阻
5. θCA:從管殼到環(huán)境的熱阻
6. Ta:工作時的環(huán)境溫度
7. Tc:工作在穩(wěn)態(tài)時的管體表面溫度,可以用儀器現(xiàn)場實測;