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DCDC升壓電路MOS DS波形尖峰非常高

方案用的是上海南芯的SC8804

MOS用的ON的5C670L

驅(qū)動電阻用的4.7R

GS波形還不錯 

Q1 Q2的DS波形尖峰太高 峰峰值高達(dá)60V  MOS管的耐壓也就60V

草圖66471011819375804129417289724933954

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謝開源
LV.5
2
2020-10-16 13:48
工作模式CCM?
0
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2020-10-16 16:52
@謝開源
工作模式CCM?
這個也不是很清楚 是個小白  偶爾會燒MOS 更改驅(qū)動電阻只能改善GS波形 DS波形不知道怎么改善
0
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ZhangDeng
LV.1
4
2020-10-16 17:03
在上下兩個MOS管的DS管腳處，就近（越近越好）各并聯(lián)一個100V/1206/2.2nF電容試試，把下管的RC吸收去掉，應(yīng)該會有改善
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2020-10-16 17:08
@ZhangDeng
在上下兩個MOS管的DS管腳處，就近（越近越好）各并聯(lián)一個100V/1206/2.2nF電容試試，把下管的RC吸收去掉，應(yīng)該會有改善
好的我試試
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謝開源
LV.5
6
2020-10-17 08:46
@dy-r4ynqSkv
這個也不是很清楚是個小白 偶爾會燒MOS更改驅(qū)動電阻只能改善GS波形DS波形不知道怎么改善
把R3,R4改成22R，或改為這樣
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2020-10-17 08:57
@謝開源
把R3,R4改成22R，或改為這樣[圖片]
額 你發(fā)的的圖看不見呀
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ZhangDeng
LV.1
8
2020-10-20 15:02
@dy-r4ynqSkv
好的我試試
試了沒，效果咋樣發(fā)出來看看啊
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2020-11-06 17:47
南芯的芯片對布局走線要求比較高，走線不好，修改外圍都很難調(diào)好！
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2020-11-06 20:41
把驅(qū)動電阻加大，同時給整流管并一顆肖特基試一下！
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raulgu
LV.4
11
2020-11-07 23:04
@guaiguaizi
南芯的芯片對布局走線要求比較高，走線不好，修改外圍都很難調(diào)好！
正解?；芈繁仨毿《壹訛V波能去掉
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wx_kang
LV.1
12
2020-12-07 10:02
可以了嘛
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