車充輻射整改方法:
就我個人而言,車充輻射整改主要從三個方向考慮:
1.選用合適的車充芯片。芯片的啟動時間,頻率對輻射影響很大。
2.PCB板的layou
3.芯片外圍的抗干擾電路。
首先從芯片的選擇來考慮。芯片的啟動時間越快,越難整改。芯片的頻率越高,越難整改。芯片的啟動時間快,芯片內部的MOS管產生的尖峰,就越大,產生的di/dv越大。頻率越高,根據(jù)公式Xl=2π fL(Xl是感抗,π 是指圓周率, f指頻率,L電感量),當電感量一定時,頻率越高,感抗越大,引起的損耗越大。下面用英集芯的IP6515 和斯帕沃的NDP1460做對比一下。 從資料可以知道,英集芯的IP6515的MOS管啟動時間是5mS,斯帕沃的NDP1460啟動時間是250nS。同一塊PCB測試出來的數(shù)據(jù)完全不一樣。IP6515啟動時間慢,產生尖峰小,輻射效果好。 相反 NDP146啟動時間快,產生尖峰高,輻射效果差 。 如下圖。
上圖是英集芯的IP6515測試的輻射。
下圖是斯帕沃的NDP1460測試出來的輻射
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