車充輻射整改方法：

      就我個(gè)人而言，車充輻射整改主要從三個(gè)方向考慮：

1.選用合適的車充芯片。芯片的啟動(dòng)時(shí)間，頻率對(duì)輻射影響很大。

2.PCB板的layou

3.芯片外圍的抗干擾電路。

首先從芯片的選擇來考慮。芯片的啟動(dòng)時(shí)間越快，越難整改。芯片的頻率越高，越難整改。芯片的啟動(dòng)時(shí)間快，芯片內(nèi)部的MOS管產(chǎn)生的尖峰，就越大，產(chǎn)生的di/dv越大。頻率越高，根據(jù)公式Xl=2π fL(Xl是感抗，π 是指圓周率， f指頻率，L電感量），當(dāng)電感量一定時(shí)，頻率越高，感抗越大，引起的損耗越大。下面用英集芯的IP6515 和斯帕沃的NDP1460做對(duì)比一下。                                                                                                                                                                         從資料可以知道，英集芯的IP6515的MOS管啟動(dòng)時(shí)間是5mS,斯帕沃的NDP1460啟動(dòng)時(shí)間是250nS。同一塊PCB測(cè)試出來的數(shù)據(jù)完全不一樣。IP6515啟動(dòng)時(shí)間慢，產(chǎn)生尖峰小，輻射效果好。 相反 NDP146啟動(dòng)時(shí)間快，產(chǎn)生尖峰高，輻射效果差  。 如下圖。                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                  上圖是英集芯的IP6515測(cè)試的輻射。

          下圖是斯帕沃的NDP1460測(cè)試出來的輻射

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