大家好,能幫忙推導(dǎo)一下IGBT導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式嗎,關(guān)鍵不是很理解為什么要乘以占空比,知道不乘占空比又不對,但是總是不能理解的很順暢,希望能幫忙嚴(yán)謹(jǐn)?shù)耐茖?dǎo)一下
占空比*周期,是指電流流過IGBT對應(yīng)的時(shí)間吧。
損耗可以看出P=UI。
http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/files/manuals/powermos3_0.pdf
這個(gè)文檔的3.9/3.10講了。
在網(wǎng)上找到了一篇國外的論文,詳細(xì)得講述了導(dǎo)通損耗的推導(dǎo)過程,我將該文檔上傳供大家學(xué)習(xí),謝謝大家對該問題的關(guān)注!
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