我發(fā)表一下技術(shù)層面上的看法，普通MOS的管子速度比較慢，適合比較低頻率的場合，一般不超過100千赫茲，碳化硅使用頻率高一些，但是，價(jià)格貴一些，氮化鎵使用頻率更高，是價(jià)普通管子十倍 ，差不多可以使用到1M頻率，那么，價(jià)格非常貴，差不多是普通管子的十倍，如果技術(shù)還是硬開關(guān)，同樣頻率下，效率提高不少，畢竟存在損耗，那么，碳化硅如果使用到300K，同樣效率不高，那么，需要軟開關(guān)條件下，即需要技術(shù)的支持，否則 ，沒有意義也不實(shí)用，在于性價(jià)比問題。其實(shí)，使用300K頻率，一個(gè)PQ4040的變壓器可以達(dá)到2000瓦輸出，否則，60K頻率只能輸出500瓦，比較一下，這個(gè)時(shí)候，碳化硅成本高一些，但是，變壓器與機(jī)器設(shè)備小型化的成本大大降低，這個(gè)時(shí)候性價(jià)比就有優(yōu)勢了，實(shí)用，器件加新技術(shù)支持的效果才能夠體現(xiàn)出來的。技術(shù)說，不要片面的器件，哪怕先進(jìn)的新器件，一概不能實(shí)用化，新技術(shù)的支持是非常重要的前提。如果技術(shù)支持，2000瓦變壓器PQ4040的，產(chǎn)生耳目一新，還有大驚小怪的轟動(dòng)，提高技術(shù)含量的效果。做高端，高效率小型化，才是完美的結(jié)合。在于設(shè)備大反而不值錢，充分做出來的東西越小，越值錢，價(jià)格高，人家做不出來的你能夠做出來，就是最大的價(jià)值與競爭優(yōu)勢。

SIC MOS主要用于高壓，目前主流耐壓都是900V-1200V ,所以一般的普通電源用不上。新能源，充電樁等高端電源才用的上。

GaN 主要是650V以下，未來普通 電源用的會多些。

GaN和SIC 目前都是受限于驅(qū)動(dòng)器。量起來后價(jià)格自然就下去了。

目前GaN  200mR 8*8 的MOS 價(jià)格也到了1usd的樣子了。

你好，看來兄臺比較了解市場。 可否指教下 氮化鎵這東西的應(yīng)用注意事項(xiàng)。有說導(dǎo)通是負(fù)壓開通的。 

有兩種吧。就跟si FET一樣。耗盡型的和增強(qiáng)型的。增強(qiáng)型的，和硅mosfet一樣， 正壓開通，0壓關(guān)閉。

100W 氮化鎵有嗎?

寶礫微 dc-dc 升壓，降壓，升降壓（雙向升降壓控制器），全線產(chǎn)品等您來咨詢，13823131611 

淘寶上有啊

GaN 樣機(jī)我們出了三款了，量產(chǎn)的也有。

65W 反激 1A1C

100W  LLC加PFC 2A2C

126W  LLC加PFC 2C1A

GaN的價(jià)格不到1usd，起量后價(jià)格會更好，用國產(chǎn)英諾賽科的管子。

有興趣的私聊。

1V就可以關(guān)斷。有電路可以實(shí)現(xiàn)，也有加芯片實(shí)現(xiàn)的。

我們有100W 126W的GaN 都有了，

可以搞定的，官網(wǎng)的價(jià)格很高的，650mR 的CoolMOS  RMB也就不到2塊錢含稅