在2N1711的ce極并一個電容可實現(xiàn)，2N1711導通時，電容快速放電，MOS同時導通；關(guān)斷時要等到電容充滿電才關(guān)斷，從而實現(xiàn)快開慢斷。

還是加個門電路來的實惠，比如

您好，您這邊說2N1711導通以后，mos管同時導通，但是原電路中在2N1711導通之后mos管是關(guān)斷的，就算加了電容以后，也只是導通一瞬間；

2N1711關(guān)斷以后，原電路本來就是mos管要導通的，加了電容以后似乎沒有作用啊

您好，原電路是三極管關(guān)斷以后mos管導通的，您這個門電路IO信號延長的是高電平，好像也是沒有辦法實現(xiàn)瞬通緩斷啊

？？？

就是我發(fā)的那張圖中電路是兩個管子的實時狀態(tài)是相反的，前邊斷后邊通，我現(xiàn)在是想要mos管實現(xiàn)瞬通緩斷，IO信號控制的是三極管，使用您這個變化出來的信號能實現(xiàn)三極管的瞬通緩斷，但是對于后邊的mos管無法實現(xiàn)瞬通緩斷的啊

圖中MOS符號是P溝呀，因此三極管通 MOS也通。

三極管輸入正向串入個二極管，二極管負極對地并個電解，容量大小取決于緩放的時間。

不過缺點是緩放時會經(jīng)過放大區(qū)，以至MOS也是慢慢關(guān)斷。

可以用TL431基準穩(wěn)壓管來代替三極管，就可避免放大區(qū)了。

如果是單片機直接改占空比就行了

可以通過改變占空比的方式來實現(xiàn)，可以做軟件，可以用運放，邏輯門，555都行

延長占空比