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【親測ROHM評估板 】羅姆碳化硅功率管評估板--開箱評測

首先，非常感謝電源網(wǎng)舉辦的“羅姆碳化硅功率管評估板免費試用活動”，也非常感激電源網(wǎng)-天邊，從獲知自己在試用名單中、郵寄評估板、到試用階段等環(huán)節(jié)的諸多關(guān)心和幫助。由于前段時間筆記本顯示屏出現(xiàn)花屏故障，通過申請三包的方式進行維修導(dǎo)致拿到筆記本的時間有點久，也在此表示抱歉，拖了這么久才發(fā)出我的開箱貼。

收到的評估板是由京東快遞運送的，整體包裝很好，貼了易碎的標識。

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打開箱子后，可以看到評估板有單獨的盒子包裝，且外部有氣泡袋包裹。

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打開氣泡袋后就可以看到羅姆碳化硅功率管評估板啦，盒子上粘貼了裝有不同型號的SiC MOSFET小袋子，每個袋子里裝了2只功率管。

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下面是打開白色盒子后，拿到的評估板，盒子內(nèi)部四周都有泡沫墊，評估板也采用防靜電包裝袋。不得不說的是，評估板在包裝方面考慮的非常周到。四個小袋子里分別裝了四種不同型號的功率管，SCT3060ALG、SCT3040KL、SCT3030AL、SCT3060AL。

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全部回復(fù)(10)
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倒序查看
gxg1122
LV.10
2
2019-08-21 13:06
講講這個板子功能，期待后續(xù)評估板的測試數(shù)據(jù)分享。
0
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2019-08-21 21:00
看著這個評估版的設(shè)計還是相當巧妙的，布板緊湊。樓主的芯片快利用起來測試。
0
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kuamax123
LV.2
4
2019-09-11 19:35

Rohm評估板套件中提供的SiC MOSFET有四種型號，分別是SCT3060AL、SCT3030AL、SCT3040KL、SCT3080KL，均是3pin的封裝。

其中，SCT3060AL是650V 39A的Nch SiC功率MOSFET，Rdson(Typ.) =60mΩ；

SCT3030AL是650V 70A的Nch SiC功率MOSFET，Rdson(Typ.) =30mΩ；

SCT3040KL是1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET，Rdson(Typ.) =40mΩ；

SCT3080KL是1200V 31A的Nch SiC功率MOSFET，Rdson(Typ.) =80mΩ。

具體器件datasheet可以從網(wǎng)站https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet輸入相關(guān)型號可以搜索下載。

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kuamax123
LV.2
5
2019-09-11 19:37
@kuamax123
Rohm評估板套件中提供的SiCMOSFET有四種型號，分別是SCT3060AL、SCT3030AL、SCT3040KL、SCT3080KL，均是3pin的封裝。其中，SCT3060AL是650V39A的NchSiC功率MOSFET，Rdson(Typ.)=60mΩ；SCT3030AL是650V70A的NchSiC功率MOSFET，Rdson(Typ.)=30mΩ；SCT3040KL是1200V55A的NchSiC功率MOSFET，Rdson(Typ.)=40mΩ；SCT3080KL是1200V31A的NchSiC功率MOSFET，Rdson(Typ.)=80mΩ。具體器件datasheet可以從網(wǎng)站https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet輸入相關(guān)型號可以搜索下載。

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kuamax123
LV.2
6
2019-09-11 19:43
@kuamax123
[圖片][圖片]

下面簡單說下評估板的驅(qū)動電路部分，柵極驅(qū)動電壓是采用隔離反激式電源供給，其中，反激式電源采用的是去光耦控制芯片BD7F200EFJ。


驅(qū)動電路原理圖如下。




驅(qū)動芯片采用的是BM6101，datasheet也可以從網(wǎng)站下載到，https://www.rohm.com.cn/products/power-management/gate-drivers/isolated-gate-drivers/bm6101fv-c-product。




手冊中分別列出了用于4pin和3Pin功率開關(guān)器件的典型外圍電路。



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kuamax123
LV.2
7
2019-09-11 19:43
@kuamax123
下面簡單說下評估板的驅(qū)動電路部分，柵極驅(qū)動電壓是采用隔離反激式電源供給，其中，反激式電源采用的是去光耦控制芯片BD7F200EFJ。[圖片]驅(qū)動電路原理圖如下。[圖片]驅(qū)動芯片采用的是BM6101，datasheet也可以從網(wǎng)站下載到，https://www.rohm.com.cn/products/power-management/gate-drivers/isolated-gate-drivers/bm6101fv-c-product。[圖片]手冊中分別列出了用于4pin和3Pin功率開關(guān)器件的典型外圍電路。[圖片][圖片]
相關(guān)的驅(qū)動測試結(jié)果，將在明天貼出來。
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其樂518
LV.2
8
2019-09-12 16:39
@kuamax123
[圖片][圖片]
還配了那么多MOS，是要替換MOS來測么？這樣對比的效果會比較直觀額，不錯不錯，可以學到很多東西
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kuamax123
LV.2
9
2019-09-12 22:20
@kuamax123
相關(guān)的驅(qū)動測試結(jié)果，將在明天貼出來。

做了一些簡單的測試，HS端采用的是SCT3080型號的SiC MOSFET（GS端連接示波器第一通道），LS端采用的是SCT3030型號的SiC MOSFET（GS端連接示波器第二通道），可以看出，平均電壓分別為-12.5V和-11.2V。后續(xù)將繼續(xù)補充相關(guān)測試。

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kuamax123
LV.2
10
2019-09-17 22:47
@kuamax123
[圖片][圖片][圖片]做了一些簡單的測試，HS端采用的是SCT3080型號的SiCMOSFET（GS端連接示波器第一通道），LS端采用的是SCT3030型號的SiCMOSFET（GS端連接示波器第二通道），可以看出，平均電壓分別為-12.5V和-11.2V。后續(xù)將繼續(xù)補充相關(guān)測試。
依據(jù)手冊中buck電路的工作測試方法進行連線，將ENABLE端與SGAND短接（即CN201端子的1號與2號短接），IN_CLK端外接信號發(fā)生器，外圍電路只需簡單的連線等操作就可實現(xiàn)。具體電路測試方法如下圖。
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kuamax123
LV.2
11
2019-09-17 22:55
@kuamax123
依據(jù)手冊中buck電路的工作測試方法進行連線，將ENABLE端與SGAND短接（即CN201端子的1號與2號短接），IN_CLK端外接信號發(fā)生器，外圍電路只需簡單的連線等操作就可實現(xiàn)。具體電路測試方法如下圖。[圖片]

HVDC與PGND兩端連接直流電源，給評估板接通+12V電，測試得到相關(guān)結(jié)果如下圖。



由此可以看出，MOS管的GS端驅(qū)動信號沒有過多的ring效應(yīng)，通電后的測試相對比較好。

后續(xù)將借用電子負載等儀器進一步完善補充多種不同電路的測試，如Boost，以及雙脈沖等試驗。


本次試用總結(jié)：

（1）羅姆評估板采用四層板設(shè)計，留有相應(yīng)的測試接口，手冊介紹很詳細；

（2）評估板可搭建不同拓撲結(jié)構(gòu)的測試電路進行驗證，如buck，Boost，只需簡單搭建即可完成；

（3）提供了多種不同型號的SiC MOSFET，可進行對比測試；

（4）不足之處，或者在后續(xù)為方便替換不同型號功率開關(guān)器件，可將 GDS引腳接端子排的方式，方便器件插拔。

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