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MOSFET中的Id(連續(xù)漏電流)如何計(jì)算

ID定義為芯片在最大額定結(jié)溫TJ(max)下,管表面溫度在25℃或者更高溫度下,可允許的最大連續(xù)直流電流。該參數(shù)為結(jié)與管殼之間額定熱阻RθJC和管殼溫度的函數(shù):

A

ID中并不包含開(kāi)關(guān)損耗,并且實(shí)際使用時(shí)保持管表面溫度在25℃(Tcase)也很難。因此,硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中實(shí)際開(kāi)關(guān)電流通常小于ID 額定值@ TC = 25℃的一半,通常在1/3~1/4。補(bǔ)充,如果采用熱阻JA的話(huà)可以估算出特定溫度下的ID,這個(gè)值更有現(xiàn)實(shí)意義。

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Mr_劉
LV.3
2
2018-12-24 21:23

PD為容許溝道總功耗

容許溝道總功耗標(biāo)定了器件可以消散的最大功耗,可以表示為最大結(jié)溫和管殼溫度為25℃時(shí)熱阻的函數(shù)。

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