較低的啟動電流 (大約3μA)

l 軟啟動減少開機(jī)時MOSFET的漏源電壓應(yīng)力

l CCM+QR控制模式

l 內(nèi)建同步斜坡補(bǔ)償，消除次諧波震蕩

l 內(nèi)建頻率抖動功能，降低EMI

l 內(nèi)置65kHz開關(guān)頻率

l 輕載降低工作頻率

l 可編程AC輸入欠壓、過壓保護(hù)

l VDD過壓保護(hù)和輸出過壓保護(hù)功能

l 內(nèi)置前沿消隱電路

l 內(nèi)置輸出二極管短路保護(hù)

l 過載保護(hù)

l SOT23-6L封裝