你用的是反激電路?
此時(shí)電源處在不DCM模式.
你的電源此時(shí)是工作在高端,(占空比很小.)

你的這個(gè)電源,應(yīng)該是反激,并且工作在DCM模式下面.

反射電壓,完成磁芯復(fù)位之后,MOS管的輸出電容Coss和初級(jí)勵(lì)磁電感,發(fā)生了諧振.

這種波形是很正常的,也是不可避免的.

這是空載反擊時(shí)的波形吧 正常的

是反激式的,之前我也認(rèn)為是發(fā)生了諧振現(xiàn)象,但不知能否改善,讓客戶接受,因?yàn)樗麄冋J(rèn)定像如下圖所示波形,謝謝.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/67/1396731215658351.png');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

反激的在CCM和DCM的臨界點(diǎn)處,發(fā)生諧振實(shí)屬正常,通常都會(huì)發(fā)生.傳說(shuō)中是可以調(diào)整的好,但是還沒(méi)有探索到.

上面那部分應(yīng)該是漏感震鈴

和你反激式變壓器的氣隙有關(guān)系,也就是和漏感息息相關(guān)

如果漏感大震鈴就明顯,相反則震鈴小

不過(guò)漏感大可帶的功率也大,漏感小則功率小

上面的波形圖,MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)候的振鈴看起來(lái)是很不錯(cuò)的了,怎么你看到的和我看到的不一樣?
還有所帶功率的大小會(huì)和漏感有關(guān)?輸出功率的大小是和你控制芯片有關(guān)的,為什么會(huì)有漏感大了所帶的功率就大了呢?

這個(gè)所帶功率是相對(duì)的,對(duì)于某個(gè)固定的IC和電路

氣隙小了就容易飽和,氣隙大了則不容易飽和故功率容量就大一些

當(dāng)然都是指的反激式的

但是還是沒(méi)有說(shuō)明為什么會(huì)漏感大了,所帶的功率就大,你所說(shuō)的氣隙的大小,只是能決定電感量的大小,并不能決定漏感的大小,漏感是一定會(huì)存在,只是大小的問(wèn)題,減小漏感也有各種方法,但是絕對(duì)不會(huì)說(shuō),用增加漏感來(lái)增大輸出功率,這樣,做出的電源,可靠性不是低,哪是相當(dāng)?shù)牡?反激的電路,個(gè)人認(rèn)為,工作在不連續(xù)的狀態(tài)是好的,其實(shí)做一個(gè)電源,除了能夠達(dá)到客戶的指標(biāo)以外,保證其可靠性,才是最重要的.

個(gè)人認(rèn)為只要是在DCM模式就會(huì)有此諧振波形,MOS輸出電容不可能沒(méi)有,漏感也不會(huì)一點(diǎn)沒(méi)有

漏感肯定會(huì)有,不管怎么搞.MOS在開(kāi)關(guān)的時(shí)候也都會(huì)有震鈴存在,其實(shí)在做電源的時(shí)候,不會(huì)讓整個(gè)輸入工作范圍都工作在DCM模式下,通常的電壓輸入范圍都是兩倍壓,有的是四倍壓,還有更高,反激的電源,大都避免不小DCM和CCM的交界點(diǎn),這個(gè)點(diǎn)也最容易引起諧振,傳說(shuō)是如果把芯片補(bǔ)償調(diào)的非常的好,是可以避免這個(gè)諧振,但是只是這么一個(gè)說(shuō)法.

說(shuō)的對(duì),我個(gè)人認(rèn)為不管正激反激工作于CCM和DCM模式的臨界狀態(tài)是最好的(最好做到滿載工作時(shí)正好處于這個(gè)狀態(tài))

反激式我們一般都做到帶載時(shí)處于DCM模式,因?yàn)檫@個(gè)狀態(tài)比較穩(wěn)定,電源可靠性高,雖然損失了一部分效率

正激式獨(dú)有的特點(diǎn)保證其一般輕載時(shí)都處于CCM模式,重載時(shí)處于DCM模式.一般來(lái)說(shuō)正激式不需要?dú)庀?但是為了其工作穩(wěn)定還會(huì)在變壓器中加入氣隙

有些大哥們會(huì)說(shuō)正激也開(kāi)一些氣隙,以前我在解決一個(gè)電源的開(kāi)關(guān)機(jī)時(shí)器件反壓過(guò)沖嚴(yán)重的問(wèn)題,后來(lái)又有人告訴我這樣是不行的,最后還是通過(guò)其它方法搞定,對(duì)于我來(lái)講,我通常正激都是追求最大感量,而不會(huì)開(kāi)氣隙,而您說(shuō)的開(kāi)氣隙會(huì)使電源穩(wěn)定性提高,我很是想了解,請(qǐng)指點(diǎn).

這個(gè)我也是紙上得來(lái),我是在一本貌似叫做《開(kāi)關(guān)電源原理及應(yīng)用》的書(shū)上看過(guò),書(shū)在辦公室

這本書(shū)比較厚,比較大,書(shū)皮上面有一部分是黑色的

所以我們研發(fā)所俗稱黑皮書(shū),估計(jì)您也有也看過(guò),是翻譯成中文的

正激式我做的不多,用的比較多的是PI的IC及3843等,最近在用3803和34063,請(qǐng)多指點(diǎn),我多做反激式的

是王志強(qiáng)譯的么?

我看的就是這本,第二版的.

對(duì)了,就是這本

《開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》

開(kāi)關(guān)電源,漏感大了之后,管子的阻尼振蕩會(huì)很大,尖峰很高,可以關(guān)注一下在輸出短保情況下,MOS管的Vds,尖峰能超出一二百伏.而整流管有時(shí)還可能處于雪崩狀態(tài),哪是相當(dāng)?shù)膬措U(xiǎn).把漏感做的越小對(duì)電源越有利,漏感和很多因素有關(guān),變壓器,布版,器件所帶來(lái)的影響,最明顯的就是變壓器的繞制方法,通常采用包繞,但是它也有不好地方,由于采用包繞,使變壓器匝之間的電容增大,同時(shí)還容易引入更大的共模干擾.同時(shí)對(duì)于EMC的影響也是相當(dāng)明顯,有時(shí)候?yàn)榱诉^(guò)EMC,而不采用包繞.

波形應(yīng)該是正常的現(xiàn)像,漏感剛好處在連續(xù)與非連續(xù)的臨界點(diǎn),產(chǎn)生的諧振點(diǎn).

王志強(qiáng)的是不是《開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》第二版?白底黑字,里面講的大多數(shù)都是基于110VAC電網(wǎng)系統(tǒng)下的應(yīng)用

波形正常