新能源電動(dòng)汽車OBC/DC-DC方案，使用SiC-MOSFET相對(duì)cool-MOSFET/IGBT的優(yōu)勢(shì)【勤基科技/代理臺(tái)灣瀚薪SiC】

1、超高工作結(jié)溫（Tj max），增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性，降低了PCB尺寸（簡(jiǎn)化了熱管理）

2、在高達(dá)200°C的整個(gè)溫度范圍內(nèi)有低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，降低了對(duì)冷卻的需求，具有更高的系統(tǒng)效率

3、降低開(kāi)關(guān)損耗，隨溫度變化最小，設(shè)計(jì)更緊湊（無(wú)源元件更少）

4、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻（對(duì)于650 V設(shè)備，典型20 m? @ 25 °C；對(duì)于1200 V設(shè)備，典型80 m? @ 25 °C），系統(tǒng)效率更高（降低了對(duì)冷卻的要求）

5、易于驅(qū)動(dòng)

6、穩(wěn)定的超快速本體二極管（無(wú)需外部續(xù)流二極管，從而進(jìn)一步縮小了系統(tǒng)尺寸）