LLC 環(huán)路設(shè)計(jì)討論
關(guān)于LLC環(huán)路,不知道大家有沒有研究過,大家一起討論一下.
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@007luchuang
想請教樓主一個(gè)問題呀.LLC諧振上管要實(shí)現(xiàn)ZVS,首先是下管結(jié)電容COSS2充電,上管的結(jié)電容COSS1放電,只要當(dāng)COSS1充電到VIN+0.7V左右,上管體內(nèi)二極管放可以導(dǎo)通,此時(shí)才可以實(shí)現(xiàn)ZVS.這樣理解對?如果是對的那么下管COSS2上面的電壓怎么充到那么高的電壓?如果是錯(cuò)的還望樓主詳細(xì)講解一下.
是這樣的,
基本上, 可以理解為, 在VGS變高前一刻, 有電流從MOSFET的體二極管流通, 使得VDS接近零(實(shí)際-1V左右), 這樣就實(shí)現(xiàn)了在VDS=0開通溝道. 即ZVS.
在諧振腔電路與負(fù)載總效果呈感性時(shí), 電流滯后于電壓, 這樣ZVS就可以實(shí)現(xiàn)了. 你講的Coss充放電就是由這個(gè)滯后電流實(shí)現(xiàn)的. 注意MOSFET管上的電流是有正有負(fù)的.
基本上, 可以理解為, 在VGS變高前一刻, 有電流從MOSFET的體二極管流通, 使得VDS接近零(實(shí)際-1V左右), 這樣就實(shí)現(xiàn)了在VDS=0開通溝道. 即ZVS.
在諧振腔電路與負(fù)載總效果呈感性時(shí), 電流滯后于電壓, 這樣ZVS就可以實(shí)現(xiàn)了. 你講的Coss充放電就是由這個(gè)滯后電流實(shí)現(xiàn)的. 注意MOSFET管上的電流是有正有負(fù)的.
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@l003zi
搞個(gè)比例環(huán)節(jié)進(jìn)行補(bǔ)償是什么意思啊?
謝謝,DEEP-THOUQHT指點(diǎn).這點(diǎn)我是可以理解的.我搞不懂的是,HB點(diǎn)的電壓怎么能上升那么高.諧振時(shí)候,漏感和諧振上面的電壓幾乎為0,初級電感上面的電壓又被輸出反射為NV0.還希望你多多指點(diǎn)?我個(gè)人認(rèn)為是結(jié)電容很小,可以在小于死區(qū)時(shí)間能內(nèi)充到很高的值,正是由于VIN的存,有個(gè)乾位的作用,使HB點(diǎn)的電壓被充到VIN+0.7不知道是否正確.
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