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5V7A充電器紋波不大雜波很大怎么辦？？求高手指點?。。?！

各位做電源朋友們：

           你們好??！

         本人最近做了一個5V7A多口輸出的充電器，測試時出現(xiàn)紋波不大雜波很大怎么辦？？求高手指點！?。?！

下面我把相關資料發(fā)出來，請那位大師指點一下了?。?！

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2018-07-02 10:06
期待大神啊   
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2018-07-02 10:17
@鳳凰息梧桐
期待大神啊  

好像是高頻的干擾，變壓器不好改的話，試試在輸出端子下加貼片陶瓷電容，輸出對FG加Y電容

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2018-07-02 14:53
@鳳凰息梧桐
期待大神啊  

1.首先要確定測試紋波的方法是否正確，帶寬限制在20M,用X1的電壓探頭（接地線盡可能短），并聯(lián)0.1uF瓷片電容；

2.電源工作在連續(xù)模式，在該模式下MOS的硬開通過程引起的開關噪聲比其它模式都要大，所以相對來說噪聲也更高些。可以在輸出濾波中考慮加小電感組成的派型濾波器對該噪聲進行濾除；

3.同步整流上的RC吸收部分可以再加大些，但會影響效率；

4.選擇輸出電容Coss更小的MOS管。

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mfkdcet
LV.8
5
2018-07-03 16:27
**此帖已被管理員刪除**
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2018-07-03 20:24
@mfkdcet
**此帖已被管理員刪除**

不好意思，做充電器復邊反饋不考慮??！

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2018-07-03 20:29
@峰谷浪子
1.首先要確定測試紋波的方法是否正確，帶寬限制在20M,用X1的電壓探頭（接地線盡可能短），并聯(lián)0.1uF瓷片電容；2.電源工作在連續(xù)模式，在該模式下MOS的硬開通過程引起的開關噪聲比其它模式都要大，所以相對來說噪聲也更高些?？梢栽谳敵鰹V波中考慮加小電感組成的派型濾波器對該噪聲進行濾除；3.同步整流上的RC吸收部分可以再加大些，但會影響效率；4.選擇輸出電容Coss更小的MOS管。

謝謝指點！原來是打算上一個差模電感 的，但是由于板子空間的不足而取消了！！測試時輸出是有并104和10UF電容的,用8A600普通MOS還比較燙，現(xiàn)在用的是8A650V的COOL MOS

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2018-07-03 20:36
@晨光o夕陽
好像是高頻的干擾，變壓器不好改的話，試試在輸出端子下加貼片陶瓷電容，輸出對FG加Y電容

謝謝指點！輸出到FG接Y電容，請問是指輸出的地到FG變壓器的地腳嗎？是不是相當于和同步整流的MOS相并呢？？是接102M的Y電容嗎？？下面是我的變壓器資料供分析

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2018-07-04 09:34
@yunfengzyf
謝謝指點！原來是打算上一個差模電感的，但是由于板子空間的不足而取消了??！測試時輸出是有并104和10UF電容的,用8A600普通MOS還比較燙，現(xiàn)在用的是8A650V的COOLMOS
C3雖然對輻射有好處，但對效率和MOS的溫升有較大影向，建議取消。如果一定要加，必須串聯(lián)電阻。
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mfkdcet
LV.8
10
2018-07-04 10:00
@yunfengzyf
不好意思，做充電器復邊反饋不考慮?。?/span>

FT8324D可以做50W?，F(xiàn)在N多客戶拿來做PD18W+QC3.0,或做2路QC3.0

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yunfengzyf
LV.6
11
2018-07-04 11:59
@峰谷浪子
C3雖然對輻射有好處，但對效率和MOS的溫升有較大影向，建議取消。如果一定要加，必須串聯(lián)電阻。
謝謝指點！這個我也知道，擔是不并電容輻射比較難過，現(xiàn)在加的是47PF，對MOS溫度和效率影響不是很大。
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yunfengzyf
LV.6
12
2018-07-04 21:57
@晨光o夕陽
好像是高頻的干擾，變壓器不好改的話，試試在輸出端子下加貼片陶瓷電容，輸出對FG加Y電容

加104M，471M，103M都沒什么效果，請問加多大的電容合適呢？？？

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yunfengzyf
LV.6
13
2018-07-05 14:16
@mfkdcet
[圖片]FT8324D可以做50W?，F(xiàn)在N多客戶拿來做PD18W+QC3.0,或做2路QC3.0
PSR IC外置MOS還要加個三極管，驅動能力不足嗎？？？
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yunfengzyf
LV.6
14
2018-07-05 21:38
@鳳凰息梧桐
期待大神啊  
還是沒有解決呢？？？大神們放假了嗎？？？
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mfkdcet
LV.8
15
2018-07-06 08:53
@yunfengzyf
還是沒有解決呢？？？大神們放假了嗎？？？
可以試一下FT8324D
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2018-07-07 13:00

從1貼的波形看，輸出紋波不大于30mV，電噪聲（雜波）峰峰值大于250mV。

請問樓主，要把電噪聲降到什么水平？

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2018-07-07 13:47
@世界真奇妙
從1貼的波形看，輸出紋波不大于30mV，電噪聲（雜波）峰峰值大于250mV。請問樓主，要把電噪聲降到什么水平？

從波形圖可以看到，電噪聲是MOSFET開關瞬時，即電壓或電流的突變產(chǎn)生的，只要MOSFET開關速度變慢，電噪聲就會下降。

還可以看到，MOSFET開時的電噪聲遠遠大于關時的電噪聲。還可以從波形看到，MOSFET開時的漏極電流接近零，所以，可以降低MOSFET的開通速度來降低電噪聲，并且不產(chǎn)生額外的開通損耗。具體做法是，把驅動電阻調到100R---150R，在該電阻上并一個1N4148，其陽極接MOSFET的柵。使MOSFET慢開快關，可有效降低電噪聲。

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mfkdcet
LV.8
18
2018-07-08 00:42
@yunfengzyf
PSRIC外置MOS還要加個三極管，驅動能力不足嗎？？？
可以增加它的驅動能力，這樣可以做更大電流！
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mfkdcet
LV.8
19
2018-07-08 00:43
R10太大了，用10K左右
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binganzhu
LV.1
20
2018-07-08 13:26
@mfkdcet
R10太大了，用10K左右
用siC的管子試下，效果很不錯。
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2018-07-09 11:16
首先看測試方法對沒對，其次讓MOS管驅動上升慢一點，不過這樣溫度可能高點，最后實在沒辦法換正激
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binganzhu
LV.1
22
2018-07-09 15:55
@當下做起
首先看測試方法對沒對，其次讓MOS管驅動上升慢一點，不過這樣溫度可能高點，最后實在沒辦法換正激
正激輸出小電壓會不會剎車剎不住燒壞手機的鋰電池控制芯片？
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yunfengzyf
LV.6
23
2018-07-15 10:16
@世界真奇妙
從波形圖可以看到，電噪聲是MOSFET開關瞬時，即電壓或電流的突變產(chǎn)生的，只要MOSFET開關速度變慢，電噪聲就會下降。還可以看到，MOSFET開時的電噪聲遠遠大于關時的電噪聲。還可以從波形看到，MOSFET開時的漏極電流接近零，所以，可以降低MOSFET的開通速度來降低電噪聲，并且不產(chǎn)生額外的開通損耗。具體做法是，把驅動電阻調到100R---150R，在該電阻上并一個1N4148，其陽極接MOSFET的柵。使MOSFET慢開快關，可有效降低電噪聲。
謝謝版主指點?。。。∥荫R上試試
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yunfengzyf
LV.6
24
2018-08-13 21:22
@binganzhu
正激輸出小電壓會不會剎車剎不住燒壞手機的鋰電池控制芯片？

做充電器PSR，反激才是王道?。。?

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yunfengzyf
LV.6
25
2018-08-14 17:41
@世界真奇妙
從1貼的波形看，輸出紋波不大于30mV，電噪聲（雜波）峰峰值大于250mV。請問樓主，要把電噪聲降到什么水平？
希望降100mV以下呢？？？知道過3C對于這個噪聲電壓有沒有硬性要求呢？？？
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mfkdcet
LV.8
26
2018-08-15 16:30
@yunfengzyf
希望降100mV以下呢？？？知道過3C對于這個噪聲電壓有沒有硬性要求呢？？？
兄弟原邊做100MV，真的做不到的。建意用SSR的
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2018-08-15 17:22
@mfkdcet
兄弟原邊做100MV，真的做不到的。建意用SSR的
100mV，完全能做到，20mV也能做到，只不過需要足夠的空間，加LC濾波而已。
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mfkdcet
LV.8
28
2018-08-16 11:11
@世界真奇妙
100mV，完全能做到，20mV也能做到，只不過需要足夠的空間，加LC濾波而已。
那成本太高了，做PSR有什么意義呢？PSR做5V7A已經(jīng)是風險很大了
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2018-08-17 17:21
@yunfengzyf
謝謝版主指點！?。?！我馬上試試
改一改Y電容的接法，搞一搞共模電感，環(huán)路調一調試試?；揪瓦@樣了。
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yunfengzyf
LV.6
30
2018-08-22 21:16
@西門大官人
改一改Y電容的接法，搞一搞共模電感，環(huán)路調一調試試。基本就這樣了。

謝謝指點??！我試試看

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yunfengzyf
LV.6
31
2018-09-05 11:37
@yunfengzyf
做充電器PSR，反激才是王道?。?！
EMC比較難搞，變壓器加銅箔屏蔽接次級地不知道可行不?。?！
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