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各位大佬，這個(gè)電流檢測(cè)是怎樣實(shí)現(xiàn)的，感謝

VDD_STWBC電壓5V，VRSENSE是待檢測(cè)的電壓，Isense是輸出的信息

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lysgdjp
LV.3
2
2018-06-15 10:38
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hylylx
LV.9
3
2018-06-15 11:11
我只想知道這圖誰(shuí)畫(huà)的。
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fuwenhe
LV.1
4
2018-06-16 13:31
鏡像電流源
0
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jrc961
LV.3
5
2018-06-16 14:45
@fuwenhe
鏡像電流源
4樓說(shuō)的是，就是鏡像電流源，把左邊那個(gè)三極管正過(guò)來(lái)，就容易看了。
鏡像電流源
0
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2018-06-16 21:34
@jrc961
4樓說(shuō)的是，就是鏡像電流源，把左邊那個(gè)三極管正過(guò)來(lái)，就容易看了。鏡像電流源
差分放大電路不知道樓主學(xué)的怎么樣,這個(gè)就是了....
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Starpan1
LV.2
7
2018-06-19 16:04
@qinzutaim
差分放大電路不知道樓主學(xué)的怎么樣,這個(gè)就是了....[圖片]
差分放大電路都差不多忘了，不過(guò)我看了拓?fù)?，還是有點(diǎn)區(qū)別的，特別是射極上串聯(lián)10K電阻，另外不太懂怎么把射極上的VRSENSE電壓放大到集電極的Isense
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Starpan1
LV.2
8
2018-06-19 16:49
@jrc961
4樓說(shuō)的是，就是鏡像電流源，把左邊那個(gè)三極管正過(guò)來(lái)，就容易看了。鏡像電流源
感覺(jué)和鏡像電流源射極不一樣，一個(gè)是串聯(lián)著10K到GND，一個(gè)相當(dāng)于接信號(hào)電壓吧
0
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2018-06-19 23:03
@Starpan1
差分放大電路都差不多忘了，不過(guò)我看了拓?fù)洌€是有點(diǎn)區(qū)別的，特別是射極上串聯(lián)10K電阻，另外不太懂怎么把射極上的VRSENSE電壓放大到集電極的Isense
有種放大電路形式叫共基放大電路,
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Starpan1
LV.2
10
2018-06-20 10:15
@qinzutaim
有種放大電路形式叫共基放大電路,[圖片]
有道理，請(qǐng)教下，這個(gè)線路圖有兩個(gè)共基極三極管和電阻電容搭配，計(jì)算的思路是怎樣的
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2018-06-20 12:43

都用猜的.....有時(shí)畫(huà)電路要簡(jiǎn)潔, 按照順序才好分析, 工程師對(duì)於這一點(diǎn)應(yīng)該要有能力.....

修正後電路圖:

可以看出, Q5在於做VBE箝位, 先忽略R57, R22沒(méi)有電流所以沒(méi)電位, 則主晶體VBE= (5*10K/10K+1M)+VBE_Q5 = 0.649V, 其中VBE_Q5設(shè)為0.6V ,

則當(dāng)R22跨壓超過(guò)0.049V , 主晶體會(huì)截止, ISENSE與IDEMOD 輸出HIGH.........

當(dāng)R57連接後, VBE會(huì)多一個(gè)分壓路徑為R57+VSET , VSET為主晶體飽和電壓, 所以原VBE電壓再往下修.....

當(dāng)主晶體進(jìn)入線性截止區(qū)時(shí), C29會(huì)透過(guò)R9對(duì)C29充電使R58電壓略高, 這算延遲, 也就是瞬間頂?shù)诫娏鲿r(shí), 會(huì)有一段延遲時(shí)間主晶體才完全截止....

所以R22應(yīng)該約30幾mV後進(jìn)入過(guò)流, 限流點(diǎn)不超過(guò)2A............

2
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Starpan1
LV.2
12
2018-06-20 17:13
@juntion
都用猜的.....有時(shí)畫(huà)電路要簡(jiǎn)潔,按照順序才好分析,工程師對(duì)於這一點(diǎn)應(yīng)該要有能力.....修正後電路圖:[圖片]可以看出,Q5在於做VBE箝位,先忽略R57,R22沒(méi)有電流所以沒(méi)電位,則主晶體VBE=(5*10K/10K+1M)+VBE_Q5=0.649V,其中VBE_Q5設(shè)為0.6V,則當(dāng)R22跨壓超過(guò)0.049V,主晶體會(huì)截止,ISENSE與IDEMOD輸出HIGH.........當(dāng)R57連接後,VBE會(huì)多一個(gè)分壓路徑為R57+VSET,VSET為主晶體飽和電壓,所以原VBE電壓再往下修.....當(dāng)主晶體進(jìn)入線性截止區(qū)時(shí),C29會(huì)透過(guò)R9對(duì)C29充電使R58電壓略高,這算延遲,也就是瞬間頂?shù)诫娏鲿r(shí),會(huì)有一段延遲時(shí)間主晶體才完全截止....所以R22應(yīng)該約30幾mV後進(jìn)入過(guò)流,限流點(diǎn)不超過(guò)2A............
明白了，分析的很清晰明了，非常感謝
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wyz2520
LV.1
13
2018-11-19 10:21
@juntion
都用猜的.....有時(shí)畫(huà)電路要簡(jiǎn)潔,按照順序才好分析,工程師對(duì)於這一點(diǎn)應(yīng)該要有能力.....修正後電路圖:[圖片]可以看出,Q5在於做VBE箝位,先忽略R57,R22沒(méi)有電流所以沒(méi)電位,則主晶體VBE=(5*10K/10K+1M)+VBE_Q5=0.649V,其中VBE_Q5設(shè)為0.6V,則當(dāng)R22跨壓超過(guò)0.049V,主晶體會(huì)截止,ISENSE與IDEMOD輸出HIGH.........當(dāng)R57連接後,VBE會(huì)多一個(gè)分壓路徑為R57+VSET,VSET為主晶體飽和電壓,所以原VBE電壓再往下修.....當(dāng)主晶體進(jìn)入線性截止區(qū)時(shí),C29會(huì)透過(guò)R9對(duì)C29充電使R58電壓略高,這算延遲,也就是瞬間頂?shù)诫娏鲿r(shí),會(huì)有一段延遲時(shí)間主晶體才完全截止....所以R22應(yīng)該約30幾mV後進(jìn)入過(guò)流,限流點(diǎn)不超過(guò)2A............
明白了
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