力生美半導(dǎo)體—LN5S03 支持CCM CRM DCM QR模式 外置MOS 輸出電壓小于20V 主要應(yīng)用于USB多口充 QC3.0 PD快充電源應(yīng)用。
LN5S21B
LN5S21B 是一顆內(nèi)置 MOSFET 的高性能的開關(guān) 電源次級側(cè)同步整流功率開關(guān)集成電路，可以方便 地在應(yīng)用中構(gòu)建滿足 CoC V5 及 DoE 2016 等 6 級能效的 5~20V 電壓范圍 3~3.5A 電流級別的快 速充電開關(guān)電源系統(tǒng)，是性能優(yōu)異的理想二極管整 流器解決方案。芯片內(nèi)置了獨(dú)特的 TrueWaveTM 全 時(shí)波形追蹤技術(shù)，可支持高達(dá) 200kHz 的開關(guān)頻率 應(yīng)用，并且支持 CCM/CrM/DCM 等各種開關(guān)電源工
LN5S21B
Rev:B
高性能 AC/DC 開關(guān)電源次級同步整流功率開關(guān)
作模式應(yīng)用，可在開關(guān)電源的每一個(gè)波形轉(zhuǎn)換的邊 沿自動(dòng)快速打開或關(guān)閉內(nèi)部的 Low RdsON MOSFET 器件，利用其極低的導(dǎo)通壓降實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)小于諸如肖特 基二極管的導(dǎo)通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效 率，大幅降低了整流器件的溫度，可方便地實(shí)現(xiàn)極 高轉(zhuǎn)換效率的低壓大電流的開關(guān)電源應(yīng)用。
芯片內(nèi)置耐壓高達(dá) 105V 的 NMOSFET 同步整流 功率開關(guān)，且具有極低的內(nèi)阻，典型 RdsON 低至 8mΩ，可提供系統(tǒng)高達(dá) 3.5A 電流輸出能力，獲得 優(yōu)異的轉(zhuǎn)換效能，大幅提高轉(zhuǎn)換效率。
芯片還內(nèi)置了高壓直接檢測技術(shù)，檢測端子耐壓 高達(dá) 105V，配合高達(dá) 40V 的供電電壓范圍，使得 控制器可直接使用從變壓器端子上獲得的正反激 能量進(jìn)行供電操作，從而通過簡單的方式得到更佳 的導(dǎo)通電阻性能并允許輸出電壓下降到很低的值。
高集成度的電路設(shè)計(jì)使得芯片外圍電路極其簡 單，在 5V/9V/15V/20V 快充應(yīng)用中，僅需一顆電 容器件即可構(gòu)建一個(gè)完整的同步整流應(yīng)用。
可提供滿足 RoHs 要求的 SOP8 封裝
應(yīng)用領(lǐng)域
5V3A~12V3A 快速 USB 充電器
5V3A~20V3A Type-C-PD 高效充電器 高效率適配器
LN5S21B_Datasheet_CN_Rev_B.pdf
提供樣片及支持 QQ 916019115
